Gain de courant de court-circuit de BJT Calculatrice

✖Le gain de courant d'émetteur commun à basse fréquence est obtenu à partir des courants de base et de collecteur.ⓘ Gain de courant de l'émetteur commun à basse fréquence [β₀]			+10% -10%
✖La variable de fréquence complexe décrit un signal sinusoïdal avec une onde sinusoïdale croissante (σ positive) ou décroissante (σ négative).ⓘ Variable de fréquence complexe [s]			+10% -10%
✖La capacité émetteur-base est la capacité entre l'émetteur et la base.ⓘ Capacité émetteur-base [C_eb]			+10% -10%
✖La capacité de jonction collecteur-base en mode actif est polarisée en inverse et correspond à la capacité entre le collecteur et la base.ⓘ Capacité de jonction collecteur-base [C_cb]			+10% -10%
✖La résistance d'entrée est la résistance vue par la source de courant ou la source de tension qui pilote le circuit.ⓘ Résistance d'entrée [R_in]			+10% -10%

✖Le gain de courant de court-circuit est le rapport du courant de collecteur et du courant de base.ⓘ Gain de courant de court-circuit de BJT [H_fe]

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Formule

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Gain de courant de court-circuit de BJT

Formule

`"H"_{"fe"} = ("β"_{"0"})/(1+"s"*("C"_{"eb"}+"C"_{"cb"})*"R"_{"in"})`

Exemple

`"23.62307"=("25.25dB")/(1+"2.85"*("1.5μF"+"1.2μF")*"8.95kΩ")`

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Gain de courant de court-circuit de BJT Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Gain de courant de court-circuit = (Gain de courant de l'émetteur commun à basse fréquence)/(1+Variable de fréquence complexe*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)*Résistance d'entrée)
H_fe = (β₀)/(1+s*(C_eb+C_cb)*R_in)
Cette formule utilise 6 Variables

Variables utilisées

Gain de courant de court-circuit - Le gain de courant de court-circuit est le rapport du courant de collecteur et du courant de base.
Gain de courant de l'émetteur commun à basse fréquence - (Mesuré en Décibel) - Le gain de courant d'émetteur commun à basse fréquence est obtenu à partir des courants de base et de collecteur.
Variable de fréquence complexe - La variable de fréquence complexe décrit un signal sinusoïdal avec une onde sinusoïdale croissante (σ positive) ou décroissante (σ négative).
Capacité émetteur-base - (Mesuré en Farad) - La capacité émetteur-base est la capacité entre l'émetteur et la base.
Capacité de jonction collecteur-base - (Mesuré en Farad) - La capacité de jonction collecteur-base en mode actif est polarisée en inverse et correspond à la capacité entre le collecteur et la base.
Résistance d'entrée - (Mesuré en Ohm) - La résistance d'entrée est la résistance vue par la source de courant ou la source de tension qui pilote le circuit.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Gain de courant de l'émetteur commun à basse fréquence: 25.25 Décibel --> 25.25 Décibel Aucune conversion requise
Variable de fréquence complexe: 2.85 --> Aucune conversion requise
Capacité émetteur-base: 1.5 microfarades --> 1.5E-06 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Capacité de jonction collecteur-base: 1.2 microfarades --> 1.2E-06 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Résistance d'entrée: 8.95 Kilohm --> 8950 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

H_fe = (β₀)/(1+s*(C_eb+C_cb)*R_in) --> (25.25)/(1+2.85*(1.5E-06+1.2E-06)*8950)

Évaluer ... ...

H_fe = 23.623073053067

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

23.623073053067 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

23.623073053067 ≈ 23.62307 <-- Gain de courant de court-circuit

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Tu es là -

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< 14 Courant de base Calculatrices

Courant de saturation utilisant la concentration de dopage

Aller Courant de saturation = (Zone de section transversale de la jonction base-émetteur*[Charge-e]*Diffusivité électronique*(Concentration de transporteur intrinsèque)^2)/(Largeur de la jonction de base*Concentration de dopage de la base)

Courant de base utilisant le courant de saturation en courant continu

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)+Pression de vapeur saturante*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)

Gain de courant de court-circuit de BJT

Aller Gain de courant de court-circuit = (Gain de courant de l'émetteur commun à basse fréquence)/(1+Variable de fréquence complexe*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)*Résistance d'entrée)

Courant de drain donné Paramètre de l'appareil

Aller Courant de vidange = 1/2*Transconductance*Ratio d'aspect*(Tension efficace-Tension de seuil)^2*(1+Paramètre de l'appareil*Tension entre drain et source)

Courant de base 2 de BJT

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*(e^(Tension base-émetteur/Tension thermique))

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Courant de référence du miroir BJT

Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de référence du miroir de courant BJT

Aller Courant de référence = (Tension d'alimentation-Tension base-émetteur)/Résistance

Courant de référence du miroir BJT donné Courant de collecteur

Aller Courant de référence = Courant de collecteur*(1+2/Gain de courant de l'émetteur commun)

Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur

Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur

Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de base 1 de BJT

Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun

Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur

Courant de base total

Aller Courant de base = Courant de base 1+Courant de base 2

Gain de courant de court-circuit de BJT Formule

Comment fonctionne un BJT?

Un BJT est un type de transistor qui utilise à la fois des électrons et des trous comme porteurs de charge. Un signal de faible amplitude s'il est appliqué à la base est disponible sous forme amplifiée au collecteur du transistor. C'est l'amplification fournie par le BJT.

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