Guadagno di corrente di cortocircuito di BJT Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Guadagno di corrente di cortocircuito = (Guadagno di corrente a emettitore comune a bassa frequenza)/(1+Variabile di frequenza complessa*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)*Resistenza di ingresso)
Hfe = (β0)/(1+s*(Ceb+Ccb)*Rin)
Questa formula utilizza 6 Variabili
Variabili utilizzate
Guadagno di corrente di cortocircuito - Il guadagno di corrente di cortocircuito è il rapporto tra la corrente di collettore e la corrente di base.
Guadagno di corrente a emettitore comune a bassa frequenza - (Misurato in Decibel) - Il guadagno di corrente dell'emettitore comune a bassa frequenza è ottenuto dalle correnti del circuito di base e di collettore.
Variabile di frequenza complessa - La variabile di frequenza complessa descrive un segnale sinusoidale con onda sinusoidale crescente (σ positiva) o decrescente (σ negativa).
Capacità di base dell'emettitore - (Misurato in Farad) - La capacità emettitore-base è la capacità tra l'emettitore e la base.
Capacità di giunzione collettore-base - (Misurato in Farad) - La capacità di giunzione collettore-base in modalità attiva è polarizzata inversamente ed è la capacità tra collettore e base.
Resistenza di ingresso - (Misurato in Ohm) - La resistenza di ingresso è la resistenza vista dalla sorgente di corrente o dalla sorgente di tensione che guida il circuito.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Guadagno di corrente a emettitore comune a bassa frequenza: 25.25 Decibel --> 25.25 Decibel Nessuna conversione richiesta
Variabile di frequenza complessa: 2.85 --> Nessuna conversione richiesta
Capacità di base dell'emettitore: 1.5 Microfarad --> 1.5E-06 Farad (Controlla la conversione ​qui)
Capacità di giunzione collettore-base: 1.2 Microfarad --> 1.2E-06 Farad (Controlla la conversione ​qui)
Resistenza di ingresso: 8.95 Kilohm --> 8950 Ohm (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Hfe = (β0)/(1+s*(Ceb+Ccb)*Rin) --> (25.25)/(1+2.85*(1.5E-06+1.2E-06)*8950)
Valutare ... ...
Hfe = 23.623073053067
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
23.623073053067 --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
23.623073053067 23.62307 <-- Guadagno di corrente di cortocircuito
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Anshika Arya
Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur
Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

14 Corrente di base Calcolatrici

Corrente di base utilizzando la corrente di saturazione in CC
​ Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*e^(Tensione base-collettore/Tensione termica)+Pressione di vapore di saturazione*e^(Tensione base-collettore/Tensione termica)
Corrente di saturazione mediante concentrazione di doping
​ Partire Corrente di saturazione = (Area della sezione trasversale della giunzione base-emettitore*[Charge-e]*Diffusività elettronica*(Concentrazione portante intrinseca)^2)/(Larghezza della giunzione di base*Concentrazione drogante della base)
Guadagno di corrente di cortocircuito di BJT
​ Partire Guadagno di corrente di cortocircuito = (Guadagno di corrente a emettitore comune a bassa frequenza)/(1+Variabile di frequenza complessa*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)*Resistenza di ingresso)
Corrente di scarico dato dal parametro del dispositivo
​ Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Transconduttanza*Proporzioni*(Tensione effettiva-Soglia di voltaggio)^2*(1+Parametro dispositivo*Tensione tra Drain e Source)
Corrente di base 2 di BJT
​ Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*(e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica))
Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente di saturazione
​ Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)
Corrente di riferimento dello specchio BJT
​ Partire Corrente di riferimento = Corrente del collettore+(2*Corrente del collettore)/Guadagno di corrente dell'emettitore comune
Corrente di riferimento dello specchio di corrente BJT
​ Partire Corrente di riferimento = (Tensione di alimentazione-Tensione base-emettitore)/Resistenza
Corrente di riferimento del BJT Mirror data la corrente del collettore
​ Partire Corrente di riferimento = Corrente del collettore*(1+2/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)
Corrente di base del transistor PNP data la corrente dell'emettitore
​ Partire Corrente di base = Corrente dell'emettitore/(Guadagno di corrente dell'emettitore comune+1)
Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente del collettore
​ Partire Corrente di base = Corrente del collettore/Guadagno di corrente dell'emettitore comune
Corrente di base 1 di BJT
​ Partire Corrente di base = Corrente del collettore/Guadagno di corrente dell'emettitore comune
Corrente di base del transistor PNP utilizzando il guadagno di corrente di base comune
​ Partire Corrente di base = (1-Guadagno di corrente a base comune)*Corrente dell'emettitore
Corrente di base totale
​ Partire Corrente di base = Corrente di base 1+Corrente di base 2

Guadagno di corrente di cortocircuito di BJT Formula

Guadagno di corrente di cortocircuito = (Guadagno di corrente a emettitore comune a bassa frequenza)/(1+Variabile di frequenza complessa*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)*Resistenza di ingresso)
Hfe = (β0)/(1+s*(Ceb+Ccb)*Rin)

Come funziona un BJT?

Un BJT è un tipo di transistor che utilizza sia elettroni che lacune come portatori di carica. Un segnale di piccola ampiezza se applicato alla base è disponibile in forma amplificata al collettore del transistore. Questa è l'amplificazione fornita dal BJT.

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