Composante unique de la tension de drain Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Tension de drain instantanée totale = (-Modification du courant de drain*Résistance de charge)
VDS = (-ΔID*RL)
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Tension de drain instantanée totale - (Mesuré en Volt) - La tension de drain instantanée totale est la tension qui tombe aux bornes de la borne grille-source du transistor.
Modification du courant de drain - (Mesuré en Ampère) - Le changement de courant de drain indique le changement de capacité de conduction de courant de la puce de silicium ; il peut être utilisé comme guide lors de la comparaison de différents appareils.
Résistance de charge - (Mesuré en Ohm) - La résistance de charge est la résistance ou l'impédance externe qui est connectée à la sortie d'un circuit ou d'un appareil, et elle est utilisée pour extraire l'alimentation ou le signal du circuit.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Modification du courant de drain: 4.75 Milliampère --> 0.00475 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
Résistance de charge: 4 Kilohm --> 4000 Ohm (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
VDS = (-ΔID*RL) --> (-0.00475*4000)
Évaluer ... ...
VDS = -19
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
-19 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
-19 Volt <-- Tension de drain instantanée totale
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Prahalad Singh
Collège d'ingénierie et centre de recherche de Jaipur (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh a validé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

12 Tension Calculatrices

Tension d'entrée finie de BJT à une fréquence de gain unitaire donnée Variable de fréquence complexe
​ Aller Tension d'entrée = Courant de base/((1/Résistance d'entrée)+Variable de fréquence complexe*(Capacité de jonction collecteur-base+Capacité de jonction base-émetteur))
Tension aux bornes du collecteur-émetteur de l'amplificateur BJT
​ Aller Tension collecteur-émetteur = Tension d'alimentation-Résistance de charge*Courant de saturation*e^(Tension base-émetteur/Tension de seuil)
Tension d'entrée finie de BJT à la fréquence de gain unitaire
​ Aller Tension d'entrée = Courant de base*(1/Résistance d'entrée+1/Capacité de jonction collecteur-base+1/Capacité émetteur-base)
Composant unique de la tension de drain compte tenu de la transconductance
​ Aller Tension de drain instantanée totale = -Transconductance*Tension d'entrée*Résistance de charge
Tension de sortie de l'amplificateur BJT
​ Aller Tension de sortie = Tension d'alimentation-Courant de vidange*Résistance de charge
Tension de sortie donnée Transconductance
​ Aller Tension de sortie = -(Transconductance*Résistance de charge*Tension d'entrée)
Tension entre la porte et la source
​ Aller Tension porte à source = Tension d'entrée/(1+Transconductance*Résistance)
Tension d'entrée de petit signal donnée Transconductance
​ Aller Petit Signal = Tension d'entrée*(1/(1+Transconductance*Résistance))
Composante unique de la tension de drain
​ Aller Tension de drain instantanée totale = (-Modification du courant de drain*Résistance de charge)
Tension du collecteur à l'émetteur à saturation
​ Aller Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur
Tension porte-source instantanée totale
​ Aller Tension porte à source = Petit Signal+Tension aux bornes de l'oxyde
Tension d'alimentation à la dissipation de puissance maximale
​ Aller Tension d'alimentation = (pi*Pouvoir)/2

Composante unique de la tension de drain Formule

Tension de drain instantanée totale = (-Modification du courant de drain*Résistance de charge)
VDS = (-ΔID*RL)

Qu'est-ce que la source de drain?

Le drain-source est la source par laquelle les porteurs entrent dans le canal. Classiquement, le courant entrant dans le canal en S est désigné par I

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