Tension porte-source instantanée totale Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Tension porte à source = Petit Signal+Tension aux bornes de l'oxyde
Vgs = Vss+Vox
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Tension porte à source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source du transistor est la tension qui tombe aux bornes de la borne grille-source du transistor.
Petit Signal - (Mesuré en Volt) - Un petit signal est un signal alternatif (plus techniquement, un signal ayant une valeur moyenne nulle) superposé à un signal de polarisation (ou superposé à un signal continu continu).
Tension aux bornes de l'oxyde - (Mesuré en Volt) - La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Petit Signal: 3.2 Volt --> 3.2 Volt Aucune conversion requise
Tension aux bornes de l'oxyde: 1.5 Volt --> 1.5 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Vgs = Vss+Vox --> 3.2+1.5
Évaluer ... ...
Vgs = 4.7
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
4.7 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
4.7 Volt <-- Tension porte à source
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Prahalad Singh
Collège d'ingénierie et centre de recherche de Jaipur (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh a validé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

12 Tension Calculatrices

Tension d'entrée finie de BJT à une fréquence de gain unitaire donnée Variable de fréquence complexe
​ Aller Tension d'entrée = Courant de base/((1/Résistance d'entrée)+Variable de fréquence complexe*(Capacité de jonction collecteur-base+Capacité de jonction base-émetteur))
Tension aux bornes du collecteur-émetteur de l'amplificateur BJT
​ Aller Tension collecteur-émetteur = Tension d'alimentation-Résistance de charge*Courant de saturation*e^(Tension base-émetteur/Tension de seuil)
Tension d'entrée finie de BJT à la fréquence de gain unitaire
​ Aller Tension d'entrée = Courant de base*(1/Résistance d'entrée+1/Capacité de jonction collecteur-base+1/Capacité émetteur-base)
Composant unique de la tension de drain compte tenu de la transconductance
​ Aller Tension de drain instantanée totale = -Transconductance*Tension d'entrée*Résistance de charge
Tension de sortie de l'amplificateur BJT
​ Aller Tension de sortie = Tension d'alimentation-Courant de vidange*Résistance de charge
Tension de sortie donnée Transconductance
​ Aller Tension de sortie = -(Transconductance*Résistance de charge*Tension d'entrée)
Tension entre la porte et la source
​ Aller Tension porte à source = Tension d'entrée/(1+Transconductance*Résistance)
Tension d'entrée de petit signal donnée Transconductance
​ Aller Petit Signal = Tension d'entrée*(1/(1+Transconductance*Résistance))
Composante unique de la tension de drain
​ Aller Tension de drain instantanée totale = (-Modification du courant de drain*Résistance de charge)
Tension du collecteur à l'émetteur à saturation
​ Aller Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur
Tension porte-source instantanée totale
​ Aller Tension porte à source = Petit Signal+Tension aux bornes de l'oxyde
Tension d'alimentation à la dissipation de puissance maximale
​ Aller Tension d'alimentation = (pi*Pouvoir)/2

Tension porte-source instantanée totale Formule

Tension porte à source = Petit Signal+Tension aux bornes de l'oxyde
Vgs = Vss+Vox

Qu'est-ce que MOSFET et son application?

Il est utilisé pour commuter ou amplifier des signaux. La capacité de changer la conductivité avec la quantité de tension appliquée peut être utilisée pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Les MOSFET sont maintenant encore plus courants que les BJT (transistors à jonction bipolaire) dans les circuits numériques et analogiques.

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