Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle Calculatrice

✖La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.ⓘ Tension de seuil [V_th]			+10% -10%
✖Le courant de polarisation CC est le courant constant qui circule dans un circuit ou un appareil pour établir un certain point de fonctionnement ou point de polarisation.ⓘ Courant de polarisation CC [I_b]			+10% -10%
✖Le paramètre de transconductance de processus (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.ⓘ Paramètre de transconductance de processus [k'_n]			+10% -10%
✖Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la sourceⓘ Ratio d'aspect [WL]			+10% -10%

✖La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.ⓘ Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle [V_gs]

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Formule

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Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle

Formule

`"V"_{"gs"} = "V"_{"th"}+sqrt((2*"I"_{"b"})/("k'"_{"n"}*"WL"))`

Exemple

`"5.362834V"="2.3V"+sqrt((2*"985mA")/("2.1A/V²"*"0.1"))`

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Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension grille-source = Tension de seuil+sqrt((2*Courant de polarisation CC)/(Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect))
V_gs = V_th+sqrt((2*I_b)/(k'_n*WL))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 5 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Tension grille-source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.
Courant de polarisation CC - (Mesuré en Ampère) - Le courant de polarisation CC est le courant constant qui circule dans un circuit ou un appareil pour établir un certain point de fonctionnement ou point de polarisation.
Paramètre de transconductance de processus - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance de processus (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.
Ratio d'aspect - Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la source

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de seuil: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Aucune conversion requise
Courant de polarisation CC: 985 Milliampère --> 0.985 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Paramètre de transconductance de processus: 2.1 Ampère par volt carré --> 2.1 Ampère par volt carré Aucune conversion requise
Ratio d'aspect: 0.1 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_gs = V_th+sqrt((2*I_b)/(k'_n*WL)) --> 2.3+sqrt((2*0.985)/(2.1*0.1))

Évaluer ... ...

V_gs = 5.36283404397829

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

5.36283404397829 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

5.36283404397829 ≈ 5.362834 Volt <-- Tension grille-source

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 20 Tension Calculatrices

Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Tension de sortie de porte commune

Aller Tension de sortie = -(Transconductance*Tension critique)*((Résistance à la charge*Résistance de porte)/(Résistance de porte+Résistance à la charge))

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun

Aller Tension de vidange Q1 = -Résistance de sortie*(Transconductance*Signal d'entrée en mode commun)/(1+(2*Transconductance*Résistance de sortie))

Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle

Aller Tension grille-source = Tension de seuil+sqrt((2*Courant de polarisation CC)/(Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect))

Tension d'entrée source

Aller Tension d'entrée source = Tension d'entrée*(Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance de source équivalente))

Tension porte-source d'entrée

Aller Tension critique = (Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance de source équivalente))*Tension d'entrée

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun

Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie/((1/Transconductance)+2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée

Aller Tension grille-source = Courant d'entrée/(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET

Aller Courant d'entrée = Tension grille-source*(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Tension de surmultiplication lorsque MOSFET agit comme amplificateur avec résistance de charge

Aller Transconductance = Courant total/(Signal d'entrée en mode commun-(2*Courant total*Résistance de sortie))

Signal de tension incrémental de l'amplificateur différentiel

Aller Signal d'entrée en mode commun = (Courant total/Transconductance)+(2*Courant total*Résistance de sortie)

Tension au drain Q2 dans MOSFET

Aller Tension de sortie = -(Résistance de charge totale du MOSFET/(2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension au drain Q1 du MOSFET

Aller Tension de sortie = -(Résistance de charge totale du MOSFET/(2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension de saturation du MOSFET

Aller Tension de saturation du drain et de la source = Tension grille-source-Tension de seuil

Tension de surmultiplication

Aller Tension de surmultiplication = (2*Courant de vidange)/Transconductance

Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge

Aller Tension grille-source = Tension de seuil+1.4*Tension efficace

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

Aller Tension de vidange Q1 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET

Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de seuil lorsque MOSFET agit comme amplificateur

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Tension de seuil du MOSFET

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle Formule

Tension grille-source = Tension de seuil+sqrt((2*Courant de polarisation CC)/(Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect))
V_gs = V_th+sqrt((2*I_b)/(k'_n*WL))

Qu'est-ce que la tension d'entrée différentielle?

La tension d'entrée différentielle est la tension maximale qui peut être fournie aux broches d'entrée (entrée non inverseuse) et d'entrée (entrée inversée) sans endommager ni dégrader les caractéristiques du circuit intégré.

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