Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun Calculatrice

✖La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.ⓘ Résistance de sortie [R_out]			+10% -10%
✖La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.ⓘ Transconductance [g_m]			+10% -10%
✖Un signal d'entrée en mode commun est un type de signal électrique qui apparaît de manière égale sur les deux bornes d'entrée d'un amplificateur différentiel.ⓘ Signal d'entrée en mode commun [V_cin]			+10% -10%

✖La tension de drain Q2 est la tension prise à la borne de drain sur un transistor Q2 dans le circuit différentiel.ⓘ Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun [v_o2]

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Formule

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Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun

Formule

`"v"_{"o2"} = -("R"_{"out"}/((1/"g"_{"m"})+2*"R"_{"out"}))*"V"_{"cin"}`

Exemple

`"-34.65V"=-("4.5kΩ"/((1/"0.5mS")+2*"4.5kΩ"))*"84.7V"`

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Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie/((1/Transconductance)+2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun
v_o2 = -(R_out/((1/g_m)+2*R_out))*V_cin
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Tension de vidange Q2 - (Mesuré en Volt) - La tension de drain Q2 est la tension prise à la borne de drain sur un transistor Q2 dans le circuit différentiel.
Résistance de sortie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
Signal d'entrée en mode commun - (Mesuré en Volt) - Un signal d'entrée en mode commun est un type de signal électrique qui apparaît de manière égale sur les deux bornes d'entrée d'un amplificateur différentiel.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Résistance de sortie: 4.5 Kilohm --> 4500 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Transconductance: 0.5 millisiemens --> 0.0005 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Signal d'entrée en mode commun: 84.7 Volt --> 84.7 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

v_o2 = -(R_out/((1/g_m)+2*R_out))*V_cin --> -(4500/((1/0.0005)+2*4500))*84.7

Évaluer ... ...

v_o2 = -34.65

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

-34.65 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

-34.65 Volt <-- Tension de vidange Q2

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< 20 Tension Calculatrices

Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Tension de sortie de porte commune

Aller Tension de sortie = -(Transconductance*Tension critique)*((Résistance à la charge*Résistance de porte)/(Résistance de porte+Résistance à la charge))

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun

Aller Tension de vidange Q1 = -Résistance de sortie*(Transconductance*Signal d'entrée en mode commun)/(1+(2*Transconductance*Résistance de sortie))

Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle

Aller Tension grille-source = Tension de seuil+sqrt((2*Courant de polarisation CC)/(Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect))

Tension d'entrée source

Aller Tension d'entrée source = Tension d'entrée*(Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance de source équivalente))

Tension porte-source d'entrée

Aller Tension critique = (Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance de source équivalente))*Tension d'entrée

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun

Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie/((1/Transconductance)+2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée

Aller Tension grille-source = Courant d'entrée/(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET

Aller Courant d'entrée = Tension grille-source*(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Tension de surmultiplication lorsque MOSFET agit comme amplificateur avec résistance de charge

Aller Transconductance = Courant total/(Signal d'entrée en mode commun-(2*Courant total*Résistance de sortie))

Signal de tension incrémental de l'amplificateur différentiel

Aller Signal d'entrée en mode commun = (Courant total/Transconductance)+(2*Courant total*Résistance de sortie)

Tension au drain Q2 dans MOSFET

Aller Tension de sortie = -(Résistance de charge totale du MOSFET/(2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension au drain Q1 du MOSFET

Aller Tension de sortie = -(Résistance de charge totale du MOSFET/(2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension de saturation du MOSFET

Aller Tension de saturation du drain et de la source = Tension grille-source-Tension de seuil

Tension de surmultiplication

Aller Tension de surmultiplication = (2*Courant de vidange)/Transconductance

Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge

Aller Tension grille-source = Tension de seuil+1.4*Tension efficace

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

Aller Tension de vidange Q1 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET

Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de seuil lorsque MOSFET agit comme amplificateur

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Tension de seuil du MOSFET

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun Formule

Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie/((1/Transconductance)+2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun
v_o2 = -(R_out/((1/g_m)+2*R_out))*V_cin

Que fait le rejet de mode commun?

Le rejet de mode commun est la capacité de l'amplificateur différentiel (qui se trouve entre l'oscilloscope et les sondes en tant que préampli de conditionnement de signal) à éliminer la tension de mode commun de la sortie. Mais à mesure que les fréquences des signaux augmentent, le CMRR se détériore.

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