Courant collecteur du transistor émetteur-suiveur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Courant du collecteur = Tension précoce/Résistance de sortie finie
ic = Va'/Rout
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Courant du collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant du collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.
Tension précoce - (Mesuré en Volt par mètre) - La tension initiale dépend entièrement de la technologie du processus, avec les dimensions de volts par micron. Généralement, V ; se situe dans la plage de 5 V/μm à 50 V/μm.
Résistance de sortie finie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Tension précoce: 13.85 Volt par mètre --> 13.85 Volt par mètre Aucune conversion requise
Résistance de sortie finie: 0.35 Kilohm --> 350 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
ic = Va'/Rout --> 13.85/350
Évaluer ... ...
ic = 0.0395714285714286
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.0395714285714286 Ampère -->39.5714285714286 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)
RÉPONSE FINALE
39.5714285714286 39.57143 Milliampère <-- Courant du collecteur
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

10+ Émetteur suiveur Calculatrices

Résistance de sortie de l'émetteur suiveur
Aller Résistance finie = (1/Résistance à la charge+1/Tension du petit signal+1/Résistance de l'émetteur)+(1/Impédance de base+1/Résistance du signal)/(Gain de courant de base du collecteur+1)
Courant de collecteur dans la région active lorsque le transistor agit comme amplificateur
Aller Courant du collecteur = Courant de saturation*e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)
Courant de saturation de l'émetteur suiveur
Aller Courant de saturation = Courant du collecteur/e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)
Résistance d'entrée de l'émetteur suiveur
Aller Résistance d'entrée = 1/(1/Résistance du signal dans la base+1/Résistance de base)
Résistance de base à la jonction de l'émetteur suiveur
Aller Résistance de base = Constante haute fréquence*Résistance de l'émetteur
Résistance totale de l'émetteur de l'émetteur suiveur
Aller Résistance de l'émetteur = Résistance de base/Constante haute fréquence
Résistance de sortie du transistor au gain intrinsèque
Aller Résistance de sortie finie = Tension précoce/Courant du collecteur
Courant collecteur du transistor émetteur-suiveur
Aller Courant du collecteur = Tension précoce/Résistance de sortie finie
Résistance d'entrée de l'amplificateur à transistor
Aller Résistance d'entrée = Entrée amplificateur/Courant d'entrée
Tension d'entrée de l'émetteur suiveur
Aller Tension de l'émetteur = Tension de base-0.7

15 Amplificateurs à transistors à plusieurs étages Calculatrices

Gain de tension cascode bipolaire en circuit ouvert
Aller Gain de tension cascode bipolaire = -Transconductance primaire MOSFET*(Transconductance secondaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1
Résistance de sortie de l'émetteur suiveur
Aller Résistance finie = (1/Résistance à la charge+1/Tension du petit signal+1/Résistance de l'émetteur)+(1/Impédance de base+1/Résistance du signal)/(Gain de courant de base du collecteur+1)
Résistance de drainage de l'amplificateur Cascode
Aller Résistance aux fuites = (Gain de tension de sortie/(Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie))
Courant de collecteur dans la région active lorsque le transistor agit comme amplificateur
Aller Courant du collecteur = Courant de saturation*e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)
Courant de saturation de l'émetteur suiveur
Aller Courant de saturation = Courant du collecteur/e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)
Gain de tension de sortie de l'amplificateur MOS Cascode
Aller Gain de tension de sortie = -Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie*Résistance aux fuites
Résistance équivalente de l'amplificateur Cascode
Aller Résistance entre le drain et la terre = (1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée)^-1
Gain de tension négatif de l'amplificateur Cascode
Aller Gain de tension négatif = -(Transconductance primaire MOSFET*Résistance entre le drain et la terre)
Résistance d'entrée de l'émetteur suiveur
Aller Résistance d'entrée = 1/(1/Résistance du signal dans la base+1/Résistance de base)
Résistance de base à la jonction de l'émetteur suiveur
Aller Résistance de base = Constante haute fréquence*Résistance de l'émetteur
Résistance totale de l'émetteur de l'émetteur suiveur
Aller Résistance de l'émetteur = Résistance de base/Constante haute fréquence
Résistance de sortie du transistor au gain intrinsèque
Aller Résistance de sortie finie = Tension précoce/Courant du collecteur
Courant collecteur du transistor émetteur-suiveur
Aller Courant du collecteur = Tension précoce/Résistance de sortie finie
Résistance d'entrée de l'amplificateur à transistor
Aller Résistance d'entrée = Entrée amplificateur/Courant d'entrée
Tension d'entrée de l'émetteur suiveur
Aller Tension de l'émetteur = Tension de base-0.7

Courant collecteur du transistor émetteur-suiveur Formule

Courant du collecteur = Tension précoce/Résistance de sortie finie
ic = Va'/Rout

Pourquoi un amplificateur de collecteur commun est appelé tampon?

Un amplificateur à collecteur commun, appelé émetteur-suiveur, est appelé tampon en raison de sa capacité à isoler l'entrée et la sortie tout en maintenant la continuité de tension, offrant une impédance d'entrée élevée et une faible impédance de sortie, idéale pour l'adaptation d'impédance et la préservation du signal dans les circuits électroniques.

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