Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors Taschenrechner

✖Die Frühspannung hängt vollständig von der Prozesstechnologie ab und hat die Größe Volt pro Mikrometer. Typischerweise beträgt V; liegt im Bereich von 5 V/μm bis 50 V/μm.ⓘ Frühe Spannung [V_a']			+10% -10%
✖Der endliche Ausgangswiderstand ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.ⓘ Endlicher Ausgangswiderstand [R_out]			+10% -10%

✖Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors [i_c]

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Formel

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Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors

Formel

`"i"_{"c"} = ("V"_{"a"}"'")/"R"_{"out"}`

Beispiel

`"39.57143mA"="13.85V/m"/"0.35kΩ"`

Taschenrechner

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Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand
i_c = V_a'/R_out
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Frühe Spannung - (Gemessen in Volt pro Meter) - Die Frühspannung hängt vollständig von der Prozesstechnologie ab und hat die Größe Volt pro Mikrometer. Typischerweise beträgt V; liegt im Bereich von 5 V/μm bis 50 V/μm.
Endlicher Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der endliche Ausgangswiderstand ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Frühe Spannung: 13.85 Volt pro Meter --> 13.85 Volt pro Meter Keine Konvertierung erforderlich
Endlicher Ausgangswiderstand: 0.35 Kiloohm --> 350 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_c = V_a'/R_out --> 13.85/350

Auswerten ... ...

i_c = 0.0395714285714286

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0395714285714286 Ampere -->39.5714285714286 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

39.5714285714286 ≈ 39.57143 Milliampere <-- Kollektorstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Ausgangswiderstand des Emitterfolgers

Gehen Endlicher Widerstand = (1/Lastwiderstand+1/Kleine Signalspannung+1/Emitterwiderstand)+(1/Basisimpedanz+1/Signalwiderstand)/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)

Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert

Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

Sättigungsstrom des Emitterfolgers

Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

Eingangswiderstand des Emitterfolgers

Gehen Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)

Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom

Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors

Gehen Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand

Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang

Gehen Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand

Gesamter Emitterwiderstand des Emitterfolgers

Gehen Emitterwiderstand = Basiswiderstand/Hochfrequenzkonstante

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Gehen Eingangswiderstand = Verstärkereingang/Eingangsstrom

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Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf

Gehen Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(MOSFET-Sekundärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1

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Gehen Abflusswiderstand = (Ausgangsspannungsverstärkung/(MOSFET-Primärtranskonduktanz^2*Endlicher Ausgangswiderstand))

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Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert

Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

Sättigungsstrom des Emitterfolgers

Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

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Eingangswiderstand des Emitterfolgers

Gehen Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)

Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom

Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors

Gehen Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand

Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang

Gehen Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand

Gesamter Emitterwiderstand des Emitterfolgers

Gehen Emitterwiderstand = Basiswiderstand/Hochfrequenzkonstante

Eingangswiderstand des Transistorverstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Verstärkereingang/Eingangsstrom

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Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors Formel

Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand
i_c = V_a'/R_out

Warum wird ein gemeinsamer Kollektorverstärker als Puffer bezeichnet?

Ein gemeinsamer Kollektorverstärker, bekannt als Emitterfolger, wird aufgrund seiner Fähigkeit, Eingang und Ausgang zu isolieren und gleichzeitig die Spannungskontinuität aufrechtzuerhalten, als Puffer bezeichnet. Er bietet eine hohe Eingangsimpedanz und eine niedrige Ausgangsimpedanz, ideal für die Impedanzanpassung und Signalerhaltung in elektronischen Schaltkreisen.

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