Coefficient de réflexion de tension de la diode tunnel Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Coefficient de réflexion de tension = (Diode tunnel d'impédance-Impédance caractéristique)/(Diode tunnel d'impédance+Impédance caractéristique)
Γ = (Zd-Zo)/(Zd+Zo)
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Coefficient de réflexion de tension - Le coefficient de réflexion de tension dépend de l'impédance de charge et de l'impédance de la ligne de transmission ou du circuit auquel il est connecté.
Diode tunnel d'impédance - (Mesuré en Ohm) - La diode tunnel d'impédance est une quantité complexe qui dépend des conditions de fonctionnement de l'appareil.
Impédance caractéristique - (Mesuré en Ohm) - L'impédance caractéristique est une mesure de sa capacité à transporter des signaux électriques avec une distorsion minimale.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Diode tunnel d'impédance: 65 Ohm --> 65 Ohm Aucune conversion requise
Impédance caractéristique: 50 Ohm --> 50 Ohm Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Γ = (Zd-Zo)/(Zd+Zo) --> (65-50)/(65+50)
Évaluer ... ...
Γ = 0.130434782608696
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.130434782608696 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.130434782608696 0.130435 <-- Coefficient de réflexion de tension
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

16 Circuits non linéaires Calculatrices

Température ambiante
​ Aller Température ambiante = (2*Température des diodes*((1/(Coefficient de couplage*Facteur Q))+(1/((Coefficient de couplage*Facteur Q)^2))))/(Figure de bruit du convertisseur élévateur-1)
Température moyenne de la diode en utilisant le bruit à bande latérale unique
​ Aller Température des diodes = (Facteur de bruit d'une seule bande latérale-2)*((Résistance de sortie du générateur de signal*Température ambiante)/(2*Résistance des diodes))
Facteur de bruit d'une seule bande latérale
​ Aller Facteur de bruit d'une seule bande latérale = 2+((2*Température des diodes*Résistance des diodes)/(Résistance de sortie du générateur de signal*Température ambiante))
Figure de bruit de la bande latérale double
​ Aller Figure de bruit de la bande latérale double = 1+((Température des diodes*Résistance des diodes)/(Résistance de sortie du générateur de signal*Température ambiante))
Coefficient de réflexion de tension de la diode tunnel
​ Aller Coefficient de réflexion de tension = (Diode tunnel d'impédance-Impédance caractéristique)/(Diode tunnel d'impédance+Impédance caractéristique)
Gain d'amplificateur de la diode tunnel
​ Aller Gain d'amplificateur de la diode tunnel = Résistance négative dans la diode tunnel/(Résistance négative dans la diode tunnel-Résistance de charge)
Rapport résistance négative sur résistance série
​ Aller Rapport résistance négative sur résistance série = Résistance négative équivalente/Résistance série totale à la fréquence de ralenti
Puissance de sortie de la diode du tunnel
​ Aller Puissance de sortie de la diode tunnel = (Diode tunnel de tension*Diode tunnel de courant)/(2*pi)
Bande passante utilisant le facteur de qualité dynamique
​ Aller Bande passante = Facteur Q dynamique/(Fréquence angulaire*Résistance série de la diode)
Facteur Q dynamique
​ Aller Facteur Q dynamique = Bande passante/(Fréquence angulaire*Résistance série de la diode)
Tension maximale appliquée à travers la diode
​ Aller Tension appliquée maximale = Champ électrique maximal*Durée d'épuisement
Courant appliqué maximum à travers la diode
​ Aller Courant appliqué maximal = Tension appliquée maximale/Impédance réactive
Impédance réactive
​ Aller Impédance réactive = Tension appliquée maximale/Courant appliqué maximal
Conductance négative de la diode tunnel
​ Aller Diode tunnel à conductance négative = 1/(Résistance négative dans la diode tunnel)
Magnitude de la résistance négative
​ Aller Résistance négative dans la diode tunnel = 1/(Diode tunnel à conductance négative)
Gain de puissance de la diode tunnel
​ Aller Gain de puissance de la diode tunnel = Coefficient de réflexion de tension^2

Coefficient de réflexion de tension de la diode tunnel Formule

Coefficient de réflexion de tension = (Diode tunnel d'impédance-Impédance caractéristique)/(Diode tunnel d'impédance+Impédance caractéristique)
Γ = (Zd-Zo)/(Zd+Zo)

Qu'est-ce que la diode tunnel?

Une diode tunnel (également connue sous le nom de diode Esaki) est un type de diode semi-conductrice qui a effectivement une «résistance négative» en raison de l'effet mécanique quantique appelé tunnel. Les diodes tunnel ont une jonction pn fortement dopée d'une largeur d'environ 10 nm.

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