Spannungsreflexionskoeffizient der Tunneldiode Taschenrechner

✖Die Impedanz-Tunneldiode ist eine komplexe Größe, die von den Betriebsbedingungen des Geräts abhängt.ⓘ Impedanz-Tunneldiode [Z_d]			+10% -10%
✖Die charakteristische Impedanz ist ein Maß für die Fähigkeit, elektrische Signale mit minimaler Verzerrung zu übertragen.ⓘ Charakteristische Impedanz [Z_o]			+10% -10%

✖Der Spannungsreflexionskoeffizient hängt von der Lastimpedanz und der Impedanz der Übertragungsleitung oder des Stromkreises ab, mit dem sie verbunden ist.ⓘ Spannungsreflexionskoeffizient der Tunneldiode [Γ]

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Formel

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Spannungsreflexionskoeffizient der Tunneldiode

Formel

`"Γ" = ("Z"_{"d"}-"Z"_{"o"})/("Z"_{"d"}+"Z"_{"o"})`

Beispiel

`"0.130435"=("65Ω"-"50Ω")/("65Ω"+"50Ω")`

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Spannungsreflexionskoeffizient der Tunneldiode Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Spannungsreflexionskoeffizient = (Impedanz-Tunneldiode-Charakteristische Impedanz)/(Impedanz-Tunneldiode+Charakteristische Impedanz)
Γ = (Z_d-Z_o)/(Z_d+Z_o)
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Spannungsreflexionskoeffizient - Der Spannungsreflexionskoeffizient hängt von der Lastimpedanz und der Impedanz der Übertragungsleitung oder des Stromkreises ab, mit dem sie verbunden ist.
Impedanz-Tunneldiode - (Gemessen in Ohm) - Die Impedanz-Tunneldiode ist eine komplexe Größe, die von den Betriebsbedingungen des Geräts abhängt.
Charakteristische Impedanz - (Gemessen in Ohm) - Die charakteristische Impedanz ist ein Maß für die Fähigkeit, elektrische Signale mit minimaler Verzerrung zu übertragen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Impedanz-Tunneldiode: 65 Ohm --> 65 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Charakteristische Impedanz: 50 Ohm --> 50 Ohm Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

Γ = (Z_d-Z_o)/(Z_d+Z_o) --> (65-50)/(65+50)

Auswerten ... ...

Γ = 0.130434782608696

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.130434782608696 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.130434782608696 ≈ 0.130435 <-- Spannungsreflexionskoeffizient

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Zimmertemperatur

Gehen Umgebungstemperatur = (2*Diodentemperatur*((1/(Kopplungskoeffizient*Q-Faktor))+(1/((Kopplungskoeffizient*Q-Faktor)^2))))/(Rauschzahl des Aufwärtswandlers-1)

Durchschnittliche Diodentemperatur unter Verwendung von Einseitenbandrauschen

Gehen Diodentemperatur = (Rauschzahl des Einseitenbands-2)*((Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur)/(2*Diodenwiderstand))

Rauschzahl des Doppelseitenbandes

Gehen Rauschzahl des Doppelseitenbandes = 1+((Diodentemperatur*Diodenwiderstand)/(Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur))

Rauschzahl des Einseitenbands

Gehen Rauschzahl des Einseitenbands = 2+((2*Diodentemperatur*Diodenwiderstand)/(Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur))

Spannungsreflexionskoeffizient der Tunneldiode

Gehen Spannungsreflexionskoeffizient = (Impedanz-Tunneldiode-Charakteristische Impedanz)/(Impedanz-Tunneldiode+Charakteristische Impedanz)

Verstärkerverstärkung der Tunneldiode

Gehen Verstärkerverstärkung der Tunneldiode = Negativer Widerstand in der Tunneldiode/(Negativer Widerstand in der Tunneldiode-Lastwiderstand)

Verhältnis negativer Widerstand zu Reihenwiderstand

Gehen Verhältnis des negativen Widerstands zum Serienwiderstand = Äquivalenter negativer Widerstand/Gesamtserienwiderstand bei Leerlauffrequenz

Tunneldioden-Ausgangsleistung

Gehen Ausgangsleistung der Tunneldiode = (Spannungstunneldiode*Aktuelle Tunneldiode)/(2*pi)

Bandbreite mit dynamischem Qualitätsfaktor

Gehen Bandbreite = Dynamischer Q-Faktor/(Winkelfrequenz*Reihenwiderstand der Diode)

Dynamischer Q-Faktor

Gehen Dynamischer Q-Faktor = Bandbreite/(Winkelfrequenz*Reihenwiderstand der Diode)

Maximal angelegte Spannung über Diode

Gehen Maximal angelegte Spannung = Maximales elektrisches Feld*Erschöpfungslänge

Maximal angelegter Strom über die Diode

Gehen Maximal angelegter Strom = Maximal angelegte Spannung/Reaktive Impedanz

Reaktive Impedanz

Gehen Reaktive Impedanz = Maximal angelegte Spannung/Maximal angelegter Strom

Negative Leitfähigkeit der Tunneldiode

Gehen Tunneldiode mit negativem Leitwert = 1/(Negativer Widerstand in der Tunneldiode)

Größe des negativen Widerstands

Gehen Negativer Widerstand in der Tunneldiode = 1/(Tunneldiode mit negativem Leitwert)

Leistungsgewinn der Tunneldiode

Gehen Leistungsgewinn der Tunneldiode = Spannungsreflexionskoeffizient^2

Spannungsreflexionskoeffizient der Tunneldiode Formel

Spannungsreflexionskoeffizient = (Impedanz-Tunneldiode-Charakteristische Impedanz)/(Impedanz-Tunneldiode+Charakteristische Impedanz)
Γ = (Z_d-Z_o)/(Z_d+Z_o)

Was ist eine Tunneldiode?

Eine Tunneldiode (auch als Esaki-Diode bekannt) ist eine Art Halbleiterdiode, die aufgrund des quantenmechanischen Effekts, der als Tunneling bezeichnet wird, effektiv einen „negativen Widerstand“ aufweist. Tunneldioden haben einen stark dotierten pn-Übergang, der etwa 10 nm breit ist.

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