Calculatrice A à Z
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Appareils à micro-ondes
Dispositifs à semi-conducteurs micro-ondes
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Klystron
Cavité de klystron
Facteur Q
Hélice Tube
Oscillateur magnétron
Tube de faisceau
✖
La densité de dopage fait référence à la concentration d'atomes dopants dans un matériau semi-conducteur. Les dopants sont des atomes d’impuretés intentionnellement introduits dans le semi-conducteur.
ⓘ
Densité du dopage [N
d
]
1 par centimètre cube
1 par mètre cube
par litre
par millilitre
+10%
-10%
✖
La barrière potentielle Schottky agit comme une barrière pour les électrons et la hauteur de la barrière dépend de la différence de travail de travail entre les deux matériaux.
ⓘ
Barrière potentielle Schottky [V
i
]
Abvolt
Attovolt
centivolt
Décivolt
Dékavolt
EMU Du potentiel électrique
ESU du potentiel électrique
Femtovolt
gigavolt
Hectovolt
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Pétavolt
Picovolt
Tension de Planck
Statvolt
Téravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La tension de grille est la tension développée à la jonction grille-source d'un transistor JFET.
ⓘ
Tension de porte [V
g
]
Abvolt
Attovolt
centivolt
Décivolt
Dékavolt
EMU Du potentiel électrique
ESU du potentiel électrique
Femtovolt
gigavolt
Hectovolt
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Pétavolt
Picovolt
Tension de Planck
Statvolt
Téravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La largeur de la région d'appauvrissement est une région d'un dispositif semi-conducteur où il n'y a pas de porteurs de charge gratuits.
ⓘ
Largeur de la zone d'appauvrissement [x
depl
]
Aln
Angstrom
Arpent
Unité astronomique
Attomètre
UA de longueur
Barleycorn
Million d'années lumineuses
Bohr Rayon
Câble (international)
Câble (UK)
Câble (US)
Calibre
Centimètre
Chaîne
Cubit (grec)
Coudée (longue)
Cubit (UK)
Décamètre
Décimètre
Distance de la Terre à la Lune
Distance de la Terre au Soleil
Rayon équatorial de la Terre
Rayon polaire terrestre
Electron Radius (Classique)
Aune
Examinateur
Brasse
Brasse
femtomètre
Fermi
Doigt (tissu)
Fingerbreadth
Pied
pied (Enquête US)
Furlong
Gigamètre
Main
Handbreadth
Hectomètre
Pouce
Ken
Kilomètre
Kiloparsec
Kiloyard
Ligue
Ligue (Statut)
Année-lumière
Lien
Mégamètre
Mégaparsec
Mètre
Micropouce
Micromètre
Micron
mille
Mile
Mille (Romain)
Mile (enquête américaine)
Millimètre
Million d'années lumineuses
Clou (tissu)
Nanomètre
Ligue Nautique (int)
Ligue Nautique Royaume-Uni
Mile Nautique (International)
Nautical Mile (Royaume-Uni)
Parsec
Perche
Petameter
cicéro
Picomètre
Planck Longueur
Indiquer
Pôle
Trimestre
Roseau
Roseau (Long)
Barre
Roman Actus
Corde
Archin russe
Span (Tissu)
Rayon du soleil
Téramètre
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Tâche Vara
Cour
Yoctomètre
Yottamètre
Zeptomètre
Zettamètre
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Largeur de la zone d'appauvrissement
Formule
`"x"_{"depl"} = sqrt((("[Permitivity-silicon]"*2)/("[Charge-e]"*"N"_{"d"}))*("V"_{"i"}-"V"_{"g"}))`
Exemple
`"0.000159m"=sqrt((("[Permitivity-silicon]"*2)/("[Charge-e]"*"9e22/cm³"))*("15.9V"-"0.25V"))`
Calculatrice
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Télécharger Tubes et circuits micro-ondes Formule PDF
Largeur de la zone d'appauvrissement Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Largeur de la région d'épuisement
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
Densité du dopage
))*(
Barrière potentielle Schottky
-
Tension de porte
))
x
depl
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
N
d
))*(
V
i
-
V
g
))
Cette formule utilise
2
Constantes
,
1
Les fonctions
,
4
Variables
Constantes utilisées
[Permitivity-silicon]
- Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Charge-e]
- Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
Fonctions utilisées
sqrt
- Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
Variables utilisées
Largeur de la région d'épuisement
-
(Mesuré en Mètre)
- La largeur de la région d'appauvrissement est une région d'un dispositif semi-conducteur où il n'y a pas de porteurs de charge gratuits.
Densité du dopage
-
(Mesuré en 1 par mètre cube)
- La densité de dopage fait référence à la concentration d'atomes dopants dans un matériau semi-conducteur. Les dopants sont des atomes d’impuretés intentionnellement introduits dans le semi-conducteur.
Barrière potentielle Schottky
-
(Mesuré en Volt)
- La barrière potentielle Schottky agit comme une barrière pour les électrons et la hauteur de la barrière dépend de la différence de travail de travail entre les deux matériaux.
Tension de porte
-
(Mesuré en Volt)
- La tension de grille est la tension développée à la jonction grille-source d'un transistor JFET.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Densité du dopage:
9E+22 1 par centimètre cube --> 9E+28 1 par mètre cube
(Vérifiez la conversion
ici
)
Barrière potentielle Schottky:
15.9 Volt --> 15.9 Volt Aucune conversion requise
Tension de porte:
0.25 Volt --> 0.25 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
x
depl
= sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N
d
))*(V
i
-V
g
)) -->
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*9E+28))*(15.9-0.25))
Évaluer ... ...
x
depl
= 0.000159363423174517
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.000159363423174517 Mètre --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.000159363423174517
≈
0.000159 Mètre
<--
Largeur de la région d'épuisement
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
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Largeur de la zone d'appauvrissement
Crédits
Créé par
Sonu Kumar Keshri
Institut national de technologie, Patna
(NITP)
,
Patna
Sonu Kumar Keshri a créé cette calculatrice et 5 autres calculatrices!
Vérifié par
Parminder Singh
Université de Chandigarh
(UC)
,
Pendjab
Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!
<
13 Klystron Calculatrices
Largeur de la zone d'appauvrissement
Aller
Largeur de la région d'épuisement
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
Densité du dopage
))*(
Barrière potentielle Schottky
-
Tension de porte
))
Conductance mutuelle de l'amplificateur Klystron
Aller
Conductance mutuelle de l'amplificateur Klystron
= (2*
Courant de regroupement de cathodes
*
Coefficient de couplage de poutre
*
Fonction de Bessel du premier ordre
)/
Amplitude du signal d'entrée
Efficacité Klystron
Aller
Efficacité Klystron
= (
Coefficient complexe de poutre
*
Fonction de Bessel du premier ordre
)*(
Tension d'écartement du receveur
/
Tension du groupe de cathodes
)
Paramètre de groupement de Klystron
Aller
Paramètre de regroupement
= (
Coefficient de couplage de poutre
*
Amplitude du signal d'entrée
*
Variation angulaire
)/(2*
Tension du groupe de cathodes
)
Conductance de chargement du faisceau
Aller
Conductance de charge du faisceau
=
Conductance de la cavité
-(
Conductance chargée
+
Conductance de perte de cuivre
)
Cuivre Perte de Cavité
Aller
Conductance de perte de cuivre
=
Conductance de la cavité
-(
Conductance de charge du faisceau
+
Conductance chargée
)
Conductance de la cavité
Aller
Conductance de la cavité
=
Conductance chargée
+
Conductance de perte de cuivre
+
Conductance de charge du faisceau
Tension d'anode
Aller
Tension anodique
=
Puissance générée dans le circuit anodique
/(
Courant anodique
*
Efficacité électronique
)
Fréquence de résonance de la cavité
Aller
Fréquence de résonance
=
Facteur Q du résonateur à cavité
*(
Fréquence 2
-
Fréquence 1
)
Puissance d'entrée du Reflex Klystron
Aller
Puissance d'entrée Reflex Klystron
=
Tension du klystron réflexe
*
Courant de faisceau réflexe Klystron
Temps de transit CC
Aller
Temps transitoire CC
=
Longueur de la porte
/
Vitesse de dérive de saturation
Perte de puissance dans le circuit d'anode
Aller
Perte de pouvoir
=
Alimentation CC
*(1-
Efficacité électronique
)
Alimentation CC
Aller
Alimentation CC
=
Perte de pouvoir
/(1-
Efficacité électronique
)
Largeur de la zone d'appauvrissement Formule
Largeur de la région d'épuisement
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
Densité du dopage
))*(
Barrière potentielle Schottky
-
Tension de porte
))
x
depl
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
N
d
))*(
V
i
-
V
g
))
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