Largeur de la zone d'appauvrissement Calculatrice

✖La densité de dopage fait référence à la concentration d'atomes dopants dans un matériau semi-conducteur. Les dopants sont des atomes d’impuretés intentionnellement introduits dans le semi-conducteur.ⓘ Densité du dopage [N_d]			+10% -10%
✖La barrière potentielle Schottky agit comme une barrière pour les électrons et la hauteur de la barrière dépend de la différence de travail de travail entre les deux matériaux.ⓘ Barrière potentielle Schottky [V_i]			+10% -10%
✖La tension de grille est la tension développée à la jonction grille-source d'un transistor JFET.ⓘ Tension de porte [V_g]			+10% -10%

✖La largeur de la région d'appauvrissement est une région d'un dispositif semi-conducteur où il n'y a pas de porteurs de charge gratuits.ⓘ Largeur de la zone d'appauvrissement [x_depl]

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Largeur de la zone d'appauvrissement

Formule

`"x"_{"depl"} = sqrt((("[Permitivity-silicon]"*2)/("[Charge-e]"*"N"_{"d"}))*("V"_{"i"}-"V"_{"g"}))`

Exemple

`"0.000159m"=sqrt((("[Permitivity-silicon]"*2)/("[Charge-e]"*"9e22/cm³"))*("15.9V"-"0.25V"))`

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Largeur de la zone d'appauvrissement Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Largeur de la région d'épuisement = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densité du dopage))*(Barrière potentielle Schottky-Tension de porte))
x_depl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N_d))*(V_i-V_g))
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 4 Variables

Constantes utilisées

[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Largeur de la région d'épuisement - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la région d'appauvrissement est une région d'un dispositif semi-conducteur où il n'y a pas de porteurs de charge gratuits.
Densité du dopage - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La densité de dopage fait référence à la concentration d'atomes dopants dans un matériau semi-conducteur. Les dopants sont des atomes d’impuretés intentionnellement introduits dans le semi-conducteur.
Barrière potentielle Schottky - (Mesuré en Volt) - La barrière potentielle Schottky agit comme une barrière pour les électrons et la hauteur de la barrière dépend de la différence de travail de travail entre les deux matériaux.
Tension de porte - (Mesuré en Volt) - La tension de grille est la tension développée à la jonction grille-source d'un transistor JFET.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Densité du dopage: 9E+22 1 par centimètre cube --> 9E+28 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Barrière potentielle Schottky: 15.9 Volt --> 15.9 Volt Aucune conversion requise
Tension de porte: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

x_depl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N_d))*(V_i-V_g)) --> sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*9E+28))*(15.9-0.25))

Évaluer ... ...

x_depl = 0.000159363423174517

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.000159363423174517 Mètre --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.000159363423174517 ≈ 0.000159 Mètre <-- Largeur de la région d'épuisement

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Sonu Kumar Keshri

Institut national de technologie, Patna (NITP), Patna

Sonu Kumar Keshri a créé cette calculatrice et 5 autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 13 Klystron Calculatrices

Largeur de la zone d'appauvrissement

Aller Largeur de la région d'épuisement = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densité du dopage))*(Barrière potentielle Schottky-Tension de porte))

Conductance mutuelle de l'amplificateur Klystron

Aller Conductance mutuelle de l'amplificateur Klystron = (2*Courant de regroupement de cathodes*Coefficient de couplage de poutre*Fonction de Bessel du premier ordre)/Amplitude du signal d'entrée

Efficacité Klystron

Aller Efficacité Klystron = (Coefficient complexe de poutre*Fonction de Bessel du premier ordre)*(Tension d'écartement du receveur/Tension du groupe de cathodes)

Paramètre de groupement de Klystron

Aller Paramètre de regroupement = (Coefficient de couplage de poutre*Amplitude du signal d'entrée*Variation angulaire)/(2*Tension du groupe de cathodes)

Conductance de chargement du faisceau

Aller Conductance de charge du faisceau = Conductance de la cavité-(Conductance chargée+Conductance de perte de cuivre)

Cuivre Perte de Cavité

Aller Conductance de perte de cuivre = Conductance de la cavité-(Conductance de charge du faisceau+Conductance chargée)

Conductance de la cavité

Aller Conductance de la cavité = Conductance chargée+Conductance de perte de cuivre+Conductance de charge du faisceau

Tension d'anode

Aller Tension anodique = Puissance générée dans le circuit anodique/(Courant anodique*Efficacité électronique)

Fréquence de résonance de la cavité

Aller Fréquence de résonance = Facteur Q du résonateur à cavité*(Fréquence 2-Fréquence 1)

Puissance d'entrée du Reflex Klystron

Aller Puissance d'entrée Reflex Klystron = Tension du klystron réflexe*Courant de faisceau réflexe Klystron

Temps de transit CC

Aller Temps transitoire CC = Longueur de la porte/Vitesse de dérive de saturation

Perte de puissance dans le circuit d'anode

Aller Perte de pouvoir = Alimentation CC*(1-Efficacité électronique)

Alimentation CC

Aller Alimentation CC = Perte de pouvoir/(1-Efficacité électronique)

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