कैलक्यूलेटर ए टू ज़ेड

लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक कैलकुलेटर

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✖इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ जो औसत दूरी का प्रतिनिधित्व करता है, एक इलेक्ट्रॉन ठोस अवस्था डिवाइस के भीतर अशुद्धियों, हार, या अन्य बाधाओं के साथ बिखरने के बिना यात्रा कर सकता है।ⓘ इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ [λ]
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✖प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (पीटीएम) एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में इस्तेमाल किया जाने वाला पैरामीटर है।ⓘ प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर [k'n]
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✖ड्रेन करंट वह करंट है जो फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) के ड्रेन और स्रोत टर्मिनलों के बीच प्रवाहित होता है, जो एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में उपयोग किया जाता है।ⓘ जल निकासी धारा [id]
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✖प्रवर्धन कारक एक विद्युत सिग्नल की शक्ति में वृद्धि का माप है क्योंकि यह एक उपकरण से गुजरता है। इसे आउटपुट आयाम या इनपुट आयाम की शक्ति के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक [Af]
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लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश
प्रयुक्त सूत्र
प्रवर्धन कारक = 1/इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*sqrt((2*प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर)/जल निकासी धारा)
Af = 1/λ*sqrt((2*k'n)/id)
यह सूत्र 1 कार्यों, 4 वेरिएबल का उपयोग करता है
उपयोग किए गए कार्य
sqrt - वर्गमूल फ़ंक्शन एक ऐसा फ़ंक्शन है जो एक गैर-ऋणात्मक संख्या को इनपुट के रूप में लेता है और दी गई इनपुट संख्या का वर्गमूल लौटाता है।, sqrt(Number)
चर
प्रवर्धन कारक - प्रवर्धन कारक एक विद्युत सिग्नल की शक्ति में वृद्धि का माप है क्योंकि यह एक उपकरण से गुजरता है। इसे आउटपुट आयाम या इनपुट आयाम की शक्ति के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।
इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ - इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ जो औसत दूरी का प्रतिनिधित्व करता है, एक इलेक्ट्रॉन ठोस अवस्था डिवाइस के भीतर अशुद्धियों, हार, या अन्य बाधाओं के साथ बिखरने के बिना यात्रा कर सकता है।
प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर - (में मापा गया एम्पीयर प्रति वर्ग वोल्ट) - प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (पीटीएम) एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में इस्तेमाल किया जाने वाला पैरामीटर है।
जल निकासी धारा - (में मापा गया एम्पेयर) - ड्रेन करंट वह करंट है जो फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) के ड्रेन और स्रोत टर्मिनलों के बीच प्रवाहित होता है, जो एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में उपयोग किया जाता है।
चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें
इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ: 2.78 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर: 2.1 एम्पीयर प्रति वर्ग वोल्ट --> 2.1 एम्पीयर प्रति वर्ग वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
जल निकासी धारा: 0.08 मिलीएम्पियर --> 8E-05 एम्पेयर (रूपांतरण की जाँच करें ​यहाँ)
चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें
फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना
Af = 1/λ*sqrt((2*k'n)/id) --> 1/2.78*sqrt((2*2.1)/8E-05)
मूल्यांकन हो रहा है ... ...
Af = 82.4204261682705
चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें
82.4204261682705 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
आख़री जवाब
82.4204261682705 ≈ 82.42043 <-- प्रवर्धन कारक
(गणना 00.020 सेकंड में पूरी हुई)
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क्रेडिट

Creator Image
के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया LinkedIn Logo
बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी
पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!
Verifier Image
के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़ LinkedIn Logo
विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

लघु संकेत विश्लेषण कैलक्युलेटर्स

छोटे सिग्नल पी-चैनल का आउटपुट वोल्टेज
​ LaTeX ​ जाओ आउटपुट वोल्टेज = transconductance*गेट वोल्टेज का स्रोत*((आउटपुट प्रतिरोध*नाली प्रतिरोध)/(नाली प्रतिरोध+आउटपुट प्रतिरोध))
नाली प्रतिरोध के संबंध में लघु-सिग्नल वोल्टेज लाभ
​ LaTeX ​ जाओ वोल्टेज बढ़ना = (transconductance*((आउटपुट प्रतिरोध*नाली प्रतिरोध)/(आउटपुट प्रतिरोध+नाली प्रतिरोध)))
ट्रांसकंडक्टेंस छोटे सिग्नल पैरामीटर दिए गए
​ LaTeX ​ जाओ transconductance = 2*ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर*(गेट टू सोर्स वोल्टेज का डीसी घटक-कुल वोल्टेज)
छोटा सिग्नल आउटपुट वोल्टेज
​ LaTeX ​ जाओ आउटपुट वोल्टेज = transconductance*गेट वोल्टेज का स्रोत*भार प्रतिरोध

लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक सूत्र

​LaTeX ​जाओ
प्रवर्धन कारक = 1/इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*sqrt((2*प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर)/जल निकासी धारा)
Af = 1/λ*sqrt((2*k'n)/id)

MOSFET में ट्रांसकनेक्टैक्शन का उपयोग क्या है?

ट्रांसकनेक्टैशन एक द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर या क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (एफईटी) के प्रदर्शन की अभिव्यक्ति है। सामान्य तौर पर, एक उपकरण के लिए ट्रांसकांसेनेंस का आंकड़ा जितना बड़ा होता है, उतना ही अधिक लाभ (प्रवर्धन) यह वितरित करने में सक्षम होता है, जब अन्य सभी कारक स्थिर होते हैं।

लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक की गणना कैसे करें?

लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ (λ), इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ जो औसत दूरी का प्रतिनिधित्व करता है, एक इलेक्ट्रॉन ठोस अवस्था डिवाइस के भीतर अशुद्धियों, हार, या अन्य बाधाओं के साथ बिखरने के बिना यात्रा कर सकता है। के रूप में, प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'n), प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (पीटीएम) एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में इस्तेमाल किया जाने वाला पैरामीटर है। के रूप में & जल निकासी धारा (id), ड्रेन करंट वह करंट है जो फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) के ड्रेन और स्रोत टर्मिनलों के बीच प्रवाहित होता है, जो एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में उपयोग किया जाता है। के रूप में डालें। कृपया लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक गणना

लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक कैलकुलेटर, प्रवर्धन कारक की गणना करने के लिए Amplification Factor = 1/इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*sqrt((2*प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर)/जल निकासी धारा) का उपयोग करता है। लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक Af को छोटे सिग्नल एमओएसएफईटी मॉडल के लिए एम्पलीफिकेशन फैक्टर वह सीमा है जिस तक एक एनालॉग एम्पलीफायर सिग्नल की ताकत को बढ़ाता है। यह किसी भी लीनियर डिवाइस में आउटपुट पावर और इनपुट पावर का अनुपात है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 82.42043 = 1/2.78*sqrt((2*2.1)/8E-05). आप और अधिक लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक क्या है?
लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक छोटे सिग्नल एमओएसएफईटी मॉडल के लिए एम्पलीफिकेशन फैक्टर वह सीमा है जिस तक एक एनालॉग एम्पलीफायर सिग्नल की ताकत को बढ़ाता है। यह किसी भी लीनियर डिवाइस में आउटपुट पावर और इनपुट पावर का अनुपात है। है और इसे Af = 1/λ*sqrt((2*k'n)/id) या Amplification Factor = 1/इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*sqrt((2*प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर)/जल निकासी धारा) के रूप में दर्शाया जाता है।
लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक की गणना कैसे करें?
लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक को छोटे सिग्नल एमओएसएफईटी मॉडल के लिए एम्पलीफिकेशन फैक्टर वह सीमा है जिस तक एक एनालॉग एम्पलीफायर सिग्नल की ताकत को बढ़ाता है। यह किसी भी लीनियर डिवाइस में आउटपुट पावर और इनपुट पावर का अनुपात है। Amplification Factor = 1/इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*sqrt((2*प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर)/जल निकासी धारा) Af = 1/λ*sqrt((2*k'n)/id) के रूप में परिभाषित किया गया है। लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक की गणना करने के लिए, आपको इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ (λ), प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'n) & जल निकासी धारा (id) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ जो औसत दूरी का प्रतिनिधित्व करता है, एक इलेक्ट्रॉन ठोस अवस्था डिवाइस के भीतर अशुद्धियों, हार, या अन्य बाधाओं के साथ बिखरने के बिना यात्रा कर सकता है।, प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (पीटीएम) एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में इस्तेमाल किया जाने वाला पैरामीटर है। & ड्रेन करंट वह करंट है जो फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) के ड्रेन और स्रोत टर्मिनलों के बीच प्रवाहित होता है, जो एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में उपयोग किया जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।
प्रवर्धन कारक की गणना करने के कितने तरीके हैं?
प्रवर्धन कारक इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ (λ), प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'n) & जल निकासी धारा (id) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -
  • प्रवर्धन कारक = transconductance*आउटपुट प्रतिरोध
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