Verstärkungsfaktor für das Kleinsignal-MOSFET-Modell Taschenrechner

✖Der mittlere freie Elektronenweg gibt die durchschnittliche Entfernung an, die ein Elektron zurücklegen kann, ohne an Verunreinigungen, Beschädigungen oder anderen Hindernissen innerhalb des Festkörpergeräts zu streuen.ⓘ Mittlerer freier Elektronenweg [λ]			+10% -10%
✖Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.ⓘ Transkonduktanzparameter verarbeiten [k'_n]			+10% -10%
✖Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.ⓘ Stromverbrauch [i_d]			+10% -10%

✖Der Verstärkungsfaktor ist ein Maß für die Leistungssteigerung eines elektrischen Signals beim Durchgang durch ein Gerät. Er ist definiert als das Verhältnis der Ausgangsamplitude oder -leistung zur Eingangsamplitude.ⓘ Verstärkungsfaktor für das Kleinsignal-MOSFET-Modell [A_f]

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Formel

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Verstärkungsfaktor für das Kleinsignal-MOSFET-Modell

Formel

`"A"_{"f"} = 1/"λ"*sqrt((2*"k'"_{"n"})/"i"_{"d"})`

Beispiel

`"82.42043"=1/"2.78"*sqrt((2*"2.1A/V²")/"0.08mA")`

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Verstärkungsfaktor für das Kleinsignal-MOSFET-Modell Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Verstärkungsfaktor = 1/Mittlerer freier Elektronenweg*sqrt((2*Transkonduktanzparameter verarbeiten)/Stromverbrauch)
A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 4 Variablen

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Verstärkungsfaktor - Der Verstärkungsfaktor ist ein Maß für die Leistungssteigerung eines elektrischen Signals beim Durchgang durch ein Gerät. Er ist definiert als das Verhältnis der Ausgangsamplitude oder -leistung zur Eingangsamplitude.
Mittlerer freier Elektronenweg - Der mittlere freie Elektronenweg gibt die durchschnittliche Entfernung an, die ein Elektron zurücklegen kann, ohne an Verunreinigungen, Beschädigungen oder anderen Hindernissen innerhalb des Festkörpergeräts zu streuen.
Transkonduktanzparameter verarbeiten - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Mittlerer freier Elektronenweg: 2.78 --> Keine Konvertierung erforderlich
Transkonduktanzparameter verarbeiten: 2.1 Ampere pro Quadratvolt --> 2.1 Ampere pro Quadratvolt Keine Konvertierung erforderlich
Stromverbrauch: 0.08 Milliampere --> 8E-05 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d) --> 1/2.78*sqrt((2*2.1)/8E-05)

Auswerten ... ...

A_f = 82.4204261682705

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

82.4204261682705 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

82.4204261682705 ≈ 82.42043 <-- Verstärkungsfaktor

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 Kleinsignalanalyse Taschenrechner

Kleine Signalspannungsverstärkung in Bezug auf den Eingangswiderstand

Gehen Spannungsverstärkung = (Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Selbstinduzierter Widerstand))*((Quellenwiderstand*Ausgangswiderstand)/(Quellenwiderstand+Ausgangswiderstand))/(1/Steilheit+((Quellenwiderstand*Ausgangswiderstand)/(Quellenwiderstand+Ausgangswiderstand)))

Gate-Source-Spannung im Verhältnis zum Kleinsignalwiderstand

Gehen Kritische Spannung = Eingangsspannung*((1/Steilheit)/((1/Steilheit)*((Quellenwiderstand*Kleinsignalwiderstand)/(Quellenwiderstand+Kleinsignalwiderstand))))

Gemeinsame Drain-Ausgangsspannung im Kleinsignal

Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Kritische Spannung*((Quellenwiderstand*Kleinsignalwiderstand)/(Quellenwiderstand+Kleinsignalwiderstand))

Ausgangsspannung des Kleinsignal-P-Kanals

Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Source-Gate-Spannung*((Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand)/(Abflusswiderstand+Ausgangswiderstand))

Spannungsverstärkung für Kleinsignale

Gehen Spannungsverstärkung = (Steilheit*(1/((1/Lastwiderstand)+(1/Abflusswiderstand))))/(1+(Steilheit*Selbstinduzierter Widerstand))

Kleinsignal-Spannungsverstärkung in Bezug auf den Drain-Widerstand

Gehen Spannungsverstärkung = (Steilheit*((Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand)/(Ausgangswiderstand+Abflusswiderstand)))

Ausgangsstrom des Kleinsignals

Gehen Ausgangsstrom = (Steilheit*Kritische Spannung)*(Abflusswiderstand/(Lastwiderstand+Abflusswiderstand))

Eingangsstrom des Kleinsignals

Gehen Eingangsstrom des Kleinsignals = (Kritische Spannung*((1+Steilheit*Selbstinduzierter Widerstand)/Selbstinduzierter Widerstand))

Verstärkungsfaktor für das Kleinsignal-MOSFET-Modell

Gehen Verstärkungsfaktor = 1/Mittlerer freier Elektronenweg*sqrt((2*Transkonduktanzparameter verarbeiten)/Stromverbrauch)

Transkonduktanz bei gegebenen Kleinsignalparametern

Gehen Steilheit = 2*Transkonduktanzparameter*(Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung-Gesamtspannung)

Gate-Source-Spannung im Kleinsignal

Gehen Kritische Spannung = Eingangsspannung/(1+Selbstinduzierter Widerstand*Steilheit)

Spannungsverstärkung mit Kleinsignal

Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*1/(1/Lastwiderstand+1/Endlicher Widerstand)

Kleinsignal-Ausgangsspannung

Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Source-Gate-Spannung*Lastwiderstand

Drainstrom des MOSFET-Kleinsignals

Gehen Stromverbrauch = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Ausgangswiderstand)

Verstärkungsfaktor im Kleinsignal-MOSFET-Modell

Gehen Verstärkungsfaktor = Steilheit*Ausgangswiderstand

Verstärkungsfaktor für das Kleinsignal-MOSFET-Modell Formel

Verstärkungsfaktor = 1/Mittlerer freier Elektronenweg*sqrt((2*Transkonduktanzparameter verarbeiten)/Stromverbrauch)
A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d)

Was ist die Verwendung der Transkonduktanz in MOSFET?

Die Transkonduktanz ist ein Ausdruck der Leistung eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors (FET). Im Allgemeinen ist die Verstärkung (Verstärkung), die es liefern kann, umso größer, je größer die Transkonduktanzzahl für ein Gerät ist, wenn alle anderen Faktoren konstant gehalten werden.

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