एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश
प्रयुक्त सूत्र
मेमोरी सेल का क्षेत्रफल = (एक बिट मेमोरी सेल का क्षेत्रफल*निरपेक्ष आवृत्ति)/सारणी दक्षता
A = (Abit*fabs)/E
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है
चर
मेमोरी सेल का क्षेत्रफल - (में मापा गया वर्ग मीटर) - मेमोरी सेल के क्षेत्र को मेमोरी के एन संख्या बिट्स द्वारा व्याप्त कुल क्षेत्र के रूप में परिभाषित किया गया है।
एक बिट मेमोरी सेल का क्षेत्रफल - (में मापा गया वर्ग मीटर) - एक बिट मेमोरी सेल के क्षेत्र को मेमोरी सेल के रूप में परिभाषित किया गया है, जो एक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट है जो एक बिट बाइनरी जानकारी संग्रहीत करता है। इसे तर्क 1 को संग्रहीत करने के लिए सेट किया जाना चाहिए और तर्क 0 को संग्रहीत करने के लिए रीसेट किया जाना चाहिए।
निरपेक्ष आवृत्ति - (में मापा गया हेटर्स) - निरपेक्ष आवृत्ति किसी डेटासेट में किसी विशेष डेटा बिंदु की घटनाओं की संख्या है। यह वास्तविक गिनती या मिलान का प्रतिनिधित्व करता है कि डेटा में कोई विशिष्ट मान कितनी बार दिखाई देता है।
सारणी दक्षता - एरे दक्षता को एसीपीबी द्वारा विभाजित बिटसेल आकार के रूप में परिभाषित किया गया है। इस मीट्रिक को सामान्य बनाने के लिए, प्रौद्योगिकी नोड से स्वतंत्र।
चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें
एक बिट मेमोरी सेल का क्षेत्रफल: 47.72 वर्ग मिलीमीटर --> 4.772E-05 वर्ग मीटर (रूपांतरण की जाँच करें ​यहाँ)
निरपेक्ष आवृत्ति: 10 हेटर्स --> 10 हेटर्स कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सारणी दक्षता: 0.88 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें
फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना
A = (Abit*fabs)/E --> (4.772E-05*10)/0.88
मूल्यांकन हो रहा है ... ...
A = 0.000542272727272727
चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें
0.000542272727272727 वर्ग मीटर -->542.272727272727 वर्ग मिलीमीटर (रूपांतरण की जाँच करें ​यहाँ)
आख़री जवाब
542.272727272727 542.2727 वर्ग मिलीमीटर <-- मेमोरी सेल का क्षेत्रफल
(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

क्रेडिट

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के द्वारा बनाई गई शोभित डिमरी
बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ प्रौद्योगिकी संस्थान (BTKIT), द्वाराहाट
शोभित डिमरी ने इस कैलकुलेटर और 900+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!
Verifier Image
के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़
विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

19 ऐरे डेटापथ सबसिस्टम कैलक्युलेटर्स

मल्टीप्लेक्सर देरी
​ जाओ मल्टीप्लेक्सर विलंब = (कैरी-स्किप योजक विलंब-(प्रचार देरी+(2*(एन-इनपुट और गेट-1)*और-या गेट विलंब)-एक्सओआर विलंब))/(के-इनपुट और गेट-1)
कैरी-स्किप अडर डेलय
​ जाओ कैरी-स्किप योजक विलंब = प्रचार देरी+2*(एन-इनपुट और गेट-1)*और-या गेट विलंब+(के-इनपुट और गेट-1)*मल्टीप्लेक्सर विलंब+एक्सओआर विलंब
कैरी-लुकर योजक विलंब
​ जाओ कैरी-लुकर योजक विलंब = प्रचार देरी+समूह प्रसार विलंब+((एन-इनपुट और गेट-1)+(के-इनपुट और गेट-1))*और-या गेट विलंब+एक्सओआर विलंब
कैरी-इन्क्रीमेंटर अडर डेलए
​ जाओ कैरी-इंक्रीमेंटर योजक विलंब = प्रचार देरी+समूह प्रसार विलंब+(के-इनपुट और गेट-1)*और-या गेट विलंब+एक्सओआर विलंब
गेट्स में गंभीर विलंब
​ जाओ गेट्स में गंभीर विलंब = प्रचार देरी+(एन-इनपुट और गेट+(के-इनपुट और गेट-2))*और-या गेट विलंब+मल्टीप्लेक्सर विलंब
समूह प्रसार विलंब
​ जाओ प्रचार देरी = वृक्ष योजक विलंब-(log2(निरपेक्ष आवृत्ति)*और-या गेट विलंब+एक्सओआर विलंब)
वृक्ष योजक विलंब
​ जाओ वृक्ष योजक विलंब = प्रचार देरी+log2(निरपेक्ष आवृत्ति)*और-या गेट विलंब+एक्सओआर विलंब
सेल कैपेसिटेंस
​ जाओ सेल कैपेसिटेंस = (बिट कैपेसिटेंस*2*बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग)/(सकारात्मक वोल्टेज-(बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग*2))
बिट कैपेसिटेंस
​ जाओ बिट कैपेसिटेंस = ((सकारात्मक वोल्टेज*सेल कैपेसिटेंस)/(2*बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग))-सेल कैपेसिटेंस
बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग
​ जाओ बिटलाइन पर वोल्टेज स्विंग = (सकारात्मक वोल्टेज/2)*सेल कैपेसिटेंस/(सेल कैपेसिटेंस+बिट कैपेसिटेंस)
ग्राउंड कैपेसिटेंस
​ जाओ ग्राउंड कैपेसिटेंस = ((आक्रामक वोल्टेज*आसन्न धारिता)/पीड़ित वोल्टेज)-आसन्न धारिता
'XOR' विलंब
​ जाओ एक्सओआर विलंब = तरंग समय-(प्रचार देरी+(क्रिटिकल पाथ पर गेट्स-1)*और-या गेट विलंब)
कैरी-रिपल एडर क्रिटिकल पाथ डिले
​ जाओ तरंग समय = प्रचार देरी+(क्रिटिकल पाथ पर गेट्स-1)*और-या गेट विलंब+एक्सओआर विलंब
एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र
​ जाओ मेमोरी सेल का क्षेत्रफल = (एक बिट मेमोरी सेल का क्षेत्रफल*निरपेक्ष आवृत्ति)/सारणी दक्षता
मेमोरी सेल का क्षेत्र
​ जाओ एक बिट मेमोरी सेल का क्षेत्रफल = (सारणी दक्षता*मेमोरी सेल का क्षेत्रफल)/निरपेक्ष आवृत्ति
सरणी दक्षता
​ जाओ सारणी दक्षता = (एक बिट मेमोरी सेल का क्षेत्रफल*निरपेक्ष आवृत्ति)/मेमोरी सेल का क्षेत्रफल
एन-बिट कैरी-स्किप एडर
​ जाओ एन-बिट कैरी स्किप एडर = एन-इनपुट और गेट*के-इनपुट और गेट
के-इनपुट 'और' गेट
​ जाओ के-इनपुट और गेट = एन-बिट कैरी स्किप एडर/एन-इनपुट और गेट
एन-इनपुट 'और' गेट
​ जाओ एन-इनपुट और गेट = एन-बिट कैरी स्किप एडर/के-इनपुट और गेट

एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र सूत्र

मेमोरी सेल का क्षेत्रफल = (एक बिट मेमोरी सेल का क्षेत्रफल*निरपेक्ष आवृत्ति)/सारणी दक्षता
A = (Abit*fabs)/E

एसडीआरएएम में रास और कैस का क्या महत्व है?

एसडीआरएएम अपना पता कमांड दो एड्रेस शब्दों में प्राप्त करता है। यह इनपुट पिन को बचाने के लिए एक मल्टीप्लेक्स योजना का उपयोग करता है। पहला पता शब्द डीआरएएम चिप में पंक्ति पता स्ट्रोब (आरएएस) के साथ लगाया गया है। आरएएस कमांड को रोकना दूसरे एड्रेस शब्द को लैच करने के लिए कॉलम एड्रेस स्ट्रोब (सीएएस) है। आरएएस और कैस स्टोर्ब्स के बाद, संग्रहीत डेटा है। पढ़ने के लिए मान्य है।

एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र की गणना कैसे करें?

एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया एक बिट मेमोरी सेल का क्षेत्रफल (Abit), एक बिट मेमोरी सेल के क्षेत्र को मेमोरी सेल के रूप में परिभाषित किया गया है, जो एक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट है जो एक बिट बाइनरी जानकारी संग्रहीत करता है। इसे तर्क 1 को संग्रहीत करने के लिए सेट किया जाना चाहिए और तर्क 0 को संग्रहीत करने के लिए रीसेट किया जाना चाहिए। के रूप में, निरपेक्ष आवृत्ति (fabs), निरपेक्ष आवृत्ति किसी डेटासेट में किसी विशेष डेटा बिंदु की घटनाओं की संख्या है। यह वास्तविक गिनती या मिलान का प्रतिनिधित्व करता है कि डेटा में कोई विशिष्ट मान कितनी बार दिखाई देता है। के रूप में & सारणी दक्षता (E), एरे दक्षता को एसीपीबी द्वारा विभाजित बिटसेल आकार के रूप में परिभाषित किया गया है। इस मीट्रिक को सामान्य बनाने के लिए, प्रौद्योगिकी नोड से स्वतंत्र। के रूप में डालें। कृपया एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र गणना

एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र कैलकुलेटर, मेमोरी सेल का क्षेत्रफल की गणना करने के लिए Area of Memory Cell = (एक बिट मेमोरी सेल का क्षेत्रफल*निरपेक्ष आवृत्ति)/सारणी दक्षता का उपयोग करता है। एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र A को एन बिट्स फॉर्मूला युक्त मेमोरी का क्षेत्र एन बिट्स मेमोरी द्वारा कब्जा कर लिया गया कुल क्षेत्रफल के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 5.4E+14 = (4.772E-11*10)/0.88. आप और अधिक एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र क्या है?
एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र एन बिट्स फॉर्मूला युक्त मेमोरी का क्षेत्र एन बिट्स मेमोरी द्वारा कब्जा कर लिया गया कुल क्षेत्रफल के रूप में परिभाषित किया गया है। है और इसे A = (Abit*fabs)/E या Area of Memory Cell = (एक बिट मेमोरी सेल का क्षेत्रफल*निरपेक्ष आवृत्ति)/सारणी दक्षता के रूप में दर्शाया जाता है।
एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र की गणना कैसे करें?
एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र को एन बिट्स फॉर्मूला युक्त मेमोरी का क्षेत्र एन बिट्स मेमोरी द्वारा कब्जा कर लिया गया कुल क्षेत्रफल के रूप में परिभाषित किया गया है। Area of Memory Cell = (एक बिट मेमोरी सेल का क्षेत्रफल*निरपेक्ष आवृत्ति)/सारणी दक्षता A = (Abit*fabs)/E के रूप में परिभाषित किया गया है। एन बिट्स युक्त मेमोरी का क्षेत्र की गणना करने के लिए, आपको एक बिट मेमोरी सेल का क्षेत्रफल (Abit), निरपेक्ष आवृत्ति (fabs) & सारणी दक्षता (E) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको एक बिट मेमोरी सेल के क्षेत्र को मेमोरी सेल के रूप में परिभाषित किया गया है, जो एक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट है जो एक बिट बाइनरी जानकारी संग्रहीत करता है। इसे तर्क 1 को संग्रहीत करने के लिए सेट किया जाना चाहिए और तर्क 0 को संग्रहीत करने के लिए रीसेट किया जाना चाहिए।, निरपेक्ष आवृत्ति किसी डेटासेट में किसी विशेष डेटा बिंदु की घटनाओं की संख्या है। यह वास्तविक गिनती या मिलान का प्रतिनिधित्व करता है कि डेटा में कोई विशिष्ट मान कितनी बार दिखाई देता है। & एरे दक्षता को एसीपीबी द्वारा विभाजित बिटसेल आकार के रूप में परिभाषित किया गया है। इस मीट्रिक को सामान्य बनाने के लिए, प्रौद्योगिकी नोड से स्वतंत्र। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।
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