MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश
प्रयुक्त सूत्र
कुल तात्कालिक पूर्वाग्रह वोल्टेज = डीसी बायस वोल्टेज+दिष्ट विद्युत धारा का वोल्टेज
Vbe = Vbias+Vde
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है
चर
कुल तात्कालिक पूर्वाग्रह वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - कुल तात्कालिक पूर्वाग्रह वोल्टेज का उपयोग अक्सर ट्रांजिस्टर, एम्पलीफायर और डायोड जैसे सक्रिय घटकों के लिए एक स्थिर ऑपरेटिंग बिंदु स्थापित करने के लिए किया जाता है।
डीसी बायस वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - डीसी बायस वोल्टेज का उपयोग अक्सर ट्रांजिस्टर, एम्पलीफायर और डायोड जैसे सक्रिय घटकों के लिए एक स्थिर ऑपरेटिंग बिंदु स्थापित करने के लिए किया जाता है।
दिष्ट विद्युत धारा का वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - डीसी वोल्टेज, जिसे प्रत्यक्ष वर्तमान वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है, एक सर्किट में दो बिंदुओं के बीच विद्युत संभावित अंतर को संदर्भित करता है जो समय के साथ स्थिर रहता है।
चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें
डीसी बायस वोल्टेज: 5.3 वोल्ट --> 5.3 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
दिष्ट विद्युत धारा का वोल्टेज: 3 वोल्ट --> 3 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें
फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना
Vbe = Vbias+Vde --> 5.3+3
मूल्यांकन हो रहा है ... ...
Vbe = 8.3
चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें
8.3 वोल्ट --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
आख़री जवाब
8.3 वोल्ट <-- कुल तात्कालिक पूर्वाग्रह वोल्टेज
(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

क्रेडिट

Creator Image
के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया
बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी
पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!
Verifier Image
के द्वारा सत्यापित प्रहलाद सिंह
जयपुर इंजीनियरिंग कॉलेज एंड रिसर्च सेंटर (जेईसीआरसी), जयपुर
प्रहलाद सिंह ने इस कैलकुलेटर और 10+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

18 बयाझिंग कैलक्युलेटर्स

कलेक्टर करंट ने करंट गेन मॉसफेट दिया
​ जाओ कलेक्टर वर्तमान = (वर्तमान लाभ*(नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज-बेस एमिटर वोल्टेज))/(आधार प्रतिरोध+(वर्तमान लाभ+1)*उत्सर्जक प्रतिरोध)
मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट
​ जाओ इनपुट बायसिंग करंट = (नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज-बेस एमिटर वोल्टेज)/(आधार प्रतिरोध+(वर्तमान लाभ+1)*उत्सर्जक प्रतिरोध)
कलेक्टर एमिटर वोल्टेज को कलेक्टर प्रतिरोध दिया गया
​ जाओ कलेक्टर एमिटर वोल्टेज = कलेक्टर आपूर्ति वोल्टेज-(कलेक्टर वर्तमान+इनपुट बायसिंग करंट)*कलेक्टर लोड प्रतिरोधी
कलेक्टर करंट ने करंट गेन दिया
​ जाओ कलेक्टर वर्तमान = वर्तमान लाभ*(कलेक्टर आपूर्ति वोल्टेज-बेस एमिटर वोल्टेज)/आधार प्रतिरोध
कलेक्टर एमिटर वोल्टेज
​ जाओ कलेक्टर एमिटर वोल्टेज = कलेक्टर आपूर्ति वोल्टेज-कलेक्टर लोड प्रतिरोधी*कलेक्टर वर्तमान
ग्राउंड के संबंध में कलेक्टर वोल्टेज
​ जाओ कलेक्टर वोल्टेज = कलेक्टर आपूर्ति वोल्टेज-कलेक्टर वर्तमान*कलेक्टर लोड प्रतिरोधी
ग्राउंड के संबंध में एमिटर वोल्टेज
​ जाओ उत्सर्जक वोल्टेज = -नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज+(उत्सर्जक धारा*उत्सर्जक प्रतिरोध)
MOSFET का DC बायस करंट
​ जाओ डीसी बायस करंट = 1/2*ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2
MOSFET का बेस करंट
​ जाओ इनपुट बायसिंग करंट = (पूर्वाग्रह वोल्टेज-बेस एमिटर वोल्टेज)/आधार प्रतिरोध
ड्रेन पर डीसी बायस आउटपुट वोल्टेज
​ जाओ आउटपुट वोल्टेज = वोल्टेज आपूर्ति-भार प्रतिरोध*डीसी बायस करंट
MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज
​ जाओ कुल तात्कालिक पूर्वाग्रह वोल्टेज = डीसी बायस वोल्टेज+दिष्ट विद्युत धारा का वोल्टेज
संतृप्ति में कलेक्टर वर्तमान
​ जाओ कलेक्टर वर्तमान संतृप्ति = कलेक्टर आपूर्ति वोल्टेज/कलेक्टर लोड प्रतिरोधी
इनपुट बायस करंट
​ जाओ डीसी बायस करंट = (इनपुट पूर्वाग्रह वर्तमान 1+इनपुट बायस करंट 2)/2
ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट
​ जाओ डीसी बायस करंट = 1/2*ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*प्रभावी वोल्टेज^2
मॉसफेट की उत्सर्जक धारा
​ जाओ उत्सर्जक धारा = कलेक्टर वर्तमान+इनपुट बायसिंग करंट
ग्राउंड के संबंध में बेस वोल्टेज
​ जाओ बेस वोल्टेज = उत्सर्जक वोल्टेज+बेस एमिटर वोल्टेज
डिफरेंशियल पेयर में बायस करंट
​ जाओ डीसी बायस करंट = नाली वर्तमान 1+जल निकासी धारा 2
मॉसफेट के कलेक्टर वर्तमान
​ जाओ कलेक्टर वर्तमान = वर्तमान लाभ*इनपुट बायसिंग करंट

16 MOSFET विशेषताएँ कैलक्युलेटर्स

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन
​ जाओ चैनल का संचालन = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)
MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस को ऑक्साइड कैपेसिटेंस दिया गया
​ जाओ MOSFET में ट्रांसकंडक्टन्स = sqrt(2*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*(ट्रांजिस्टर की चौड़ाई/ट्रांजिस्टर की लंबाई)*नाली का करंट)
वोल्टेज लाभ MOSFET का भार प्रतिरोध दिया गया
​ जाओ वोल्टेज बढ़ना = transconductance*(1/(1/भार प्रतिरोध+1/आउटपुट प्रतिरोध))/(1+transconductance*स्रोत प्रतिरोध)
MOSFET की संक्रमण आवृत्ति
​ जाओ संक्रमण आवृत्ति = transconductance/(2*pi*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस))
बायस प्वाइंट पर अधिकतम वोल्टेज लाभ
​ जाओ अधिकतम वोल्टेज लाभ = 2*(वोल्टेज आपूर्ति-प्रभावी वोल्टेज)/(प्रभावी वोल्टेज)
छोटे सिग्नल का उपयोग करके वोल्टेज लाभ
​ जाओ वोल्टेज बढ़ना = transconductance*1/(1/भार प्रतिरोध+1/परिमित प्रतिरोध)
MOSFET के गेट टू सोर्स चैनल की चौड़ाई
​ जाओ चैनल की चौड़ाई = ओवरलैप कैपेसिटेंस/(ऑक्साइड धारिता*ओवरलैप लंबाई)
वोल्टेज गेन ने ड्रेन वोल्टेज दिया
​ जाओ वोल्टेज बढ़ना = (जल निकासी धारा*भार प्रतिरोध*2)/प्रभावी वोल्टेज
MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज
​ जाओ कुल तात्कालिक पूर्वाग्रह वोल्टेज = डीसी बायस वोल्टेज+दिष्ट विद्युत धारा का वोल्टेज
ट्रांसकंडक्शन पर शारीरिक प्रभाव
​ जाओ शरीर का ट्रांसकंडक्शन = थ्रेशोल्ड को बेस वोल्टेज में बदलें*transconductance
MOSFET का संतृप्ति वोल्टेज
​ जाओ नाली और स्रोत संतृप्ति वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज
सभी वोल्टेज को देखते हुए अधिकतम वोल्टेज लाभ
​ जाओ अधिकतम वोल्टेज लाभ = (वोल्टेज आपूर्ति-0.3)/थर्मल वोल्टेज
MOSFET में ट्रांसकंडक्टेंस
​ जाओ transconductance = (2*जल निकासी धारा)/ओवरड्राइव वोल्टेज
लघु सिग्नल MOSFET मॉडल में प्रवर्धन कारक
​ जाओ प्रवर्धन कारक = transconductance*आउटपुट प्रतिरोध
MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज
​ जाओ सीमा वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज
MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण
​ जाओ चैनल का संचालन = 1/रैखिक प्रतिरोध

MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज सूत्र

कुल तात्कालिक पूर्वाग्रह वोल्टेज = डीसी बायस वोल्टेज+दिष्ट विद्युत धारा का वोल्टेज
Vbe = Vbias+Vde

पूर्वाग्रह का मुख्य कार्य क्या है?

बायस प्रत्यक्ष धारा (डीसी) है जिसे जानबूझकर प्रवाहित किया जाता है, या डीसी वोल्टेज को जानबूझकर लगाया जाता है, जो किसी सर्किट को नियंत्रित करने के उद्देश्य से दो बिंदुओं के बीच होता है। एक द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर में, पूर्वाग्रह को आमतौर पर उस दिशा के रूप में निर्दिष्ट किया जाता है जिसमें डीसी बैटरी या बिजली की आपूर्ति से उत्सर्जक और आधार के बीच बहती है।

MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज की गणना कैसे करें?

MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया डीसी बायस वोल्टेज (Vbias), डीसी बायस वोल्टेज का उपयोग अक्सर ट्रांजिस्टर, एम्पलीफायर और डायोड जैसे सक्रिय घटकों के लिए एक स्थिर ऑपरेटिंग बिंदु स्थापित करने के लिए किया जाता है। के रूप में & दिष्ट विद्युत धारा का वोल्टेज (Vde), डीसी वोल्टेज, जिसे प्रत्यक्ष वर्तमान वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है, एक सर्किट में दो बिंदुओं के बीच विद्युत संभावित अंतर को संदर्भित करता है जो समय के साथ स्थिर रहता है। के रूप में डालें। कृपया MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज गणना

MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज कैलकुलेटर, कुल तात्कालिक पूर्वाग्रह वोल्टेज की गणना करने के लिए Total Instantaneous Bias Voltage = डीसी बायस वोल्टेज+दिष्ट विद्युत धारा का वोल्टेज का उपयोग करता है। MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज Vbe को MOSFET का बायस वोल्टेज वोल्टेज की वह मात्रा है जो एक इलेक्ट्रॉनिक उपकरण को डीसी बायसिंग स्थिति में चाहिए होती है, जहां एक अतिरिक्त भार जोड़ा जाता है और बायसिंग के प्रकार के अनुसार जंक्शनों पर वोल्टेज दिया जाता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 8.3 = 5.3+3. आप और अधिक MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज क्या है?
MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज MOSFET का बायस वोल्टेज वोल्टेज की वह मात्रा है जो एक इलेक्ट्रॉनिक उपकरण को डीसी बायसिंग स्थिति में चाहिए होती है, जहां एक अतिरिक्त भार जोड़ा जाता है और बायसिंग के प्रकार के अनुसार जंक्शनों पर वोल्टेज दिया जाता है। है और इसे Vbe = Vbias+Vde या Total Instantaneous Bias Voltage = डीसी बायस वोल्टेज+दिष्ट विद्युत धारा का वोल्टेज के रूप में दर्शाया जाता है।
MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज की गणना कैसे करें?
MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज को MOSFET का बायस वोल्टेज वोल्टेज की वह मात्रा है जो एक इलेक्ट्रॉनिक उपकरण को डीसी बायसिंग स्थिति में चाहिए होती है, जहां एक अतिरिक्त भार जोड़ा जाता है और बायसिंग के प्रकार के अनुसार जंक्शनों पर वोल्टेज दिया जाता है। Total Instantaneous Bias Voltage = डीसी बायस वोल्टेज+दिष्ट विद्युत धारा का वोल्टेज Vbe = Vbias+Vde के रूप में परिभाषित किया गया है। MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज की गणना करने के लिए, आपको डीसी बायस वोल्टेज (Vbias) & दिष्ट विद्युत धारा का वोल्टेज (Vde) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको डीसी बायस वोल्टेज का उपयोग अक्सर ट्रांजिस्टर, एम्पलीफायर और डायोड जैसे सक्रिय घटकों के लिए एक स्थिर ऑपरेटिंग बिंदु स्थापित करने के लिए किया जाता है। & डीसी वोल्टेज, जिसे प्रत्यक्ष वर्तमान वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है, एक सर्किट में दो बिंदुओं के बीच विद्युत संभावित अंतर को संदर्भित करता है जो समय के साथ स्थिर रहता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!