चैनल चार्ज कैलकुलेटर

✖गेट कैपेसिटेंस एक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर के गेट टर्मिनल की कैपेसिटेंस है।ⓘ गेट कैपेसिटेंस [C_g]			+10% -10%
✖गेट टू चैनल वोल्टेज को इस प्रकार परिभाषित किया जाता है कि जब गेट वोल्टेज थ्रेशोल्ड वोल्टेज के आसपास होता है तो ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध रेटेड मूल्य से बड़ा होता है।ⓘ गेट टू चैनल वोल्टेज [V_gc]			+10% -10%
✖ट्रांजिस्टर का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच संचालन पथ बनाने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट टू सोर्स वोल्टेज है।ⓘ सीमा वोल्टेज [V_t]			+10% -10%

✖चैनल चार्ज को विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र में रखे जाने पर किसी पदार्थ पर लगने वाले बल के रूप में परिभाषित किया जाता है।ⓘ चैनल चार्ज [Q_ch]

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सूत्र

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चैनल चार्ज

सूत्र

`"Q"_{"ch"} = "C"_{"g"}*("V"_{"gc"}-"V"_{"t"})`

उदाहरण

`"0.400043mC"="59.61μF"*("7.011V"-"0.3V")`

कैलकुलेटर

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रीसेट

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चैनल चार्ज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

चैनल चार्ज = गेट कैपेसिटेंस*(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)
Q_ch = C_g*(V_gc-V_t)
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

चैनल चार्ज - (में मापा गया कूलम्ब) - चैनल चार्ज को विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र में रखे जाने पर किसी पदार्थ पर लगने वाले बल के रूप में परिभाषित किया जाता है।
गेट कैपेसिटेंस - (में मापा गया फैरड) - गेट कैपेसिटेंस एक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर के गेट टर्मिनल की कैपेसिटेंस है।
गेट टू चैनल वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - गेट टू चैनल वोल्टेज को इस प्रकार परिभाषित किया जाता है कि जब गेट वोल्टेज थ्रेशोल्ड वोल्टेज के आसपास होता है तो ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध रेटेड मूल्य से बड़ा होता है।
सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - ट्रांजिस्टर का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच संचालन पथ बनाने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट टू सोर्स वोल्टेज है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

गेट कैपेसिटेंस: 59.61 माइक्रोफ़ारड --> 5.961E-05 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
गेट टू चैनल वोल्टेज: 7.011 वोल्ट --> 7.011 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सीमा वोल्टेज: 0.3 वोल्ट --> 0.3 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

Q_ch = C_g*(V_gc-V_t) --> 5.961E-05*(7.011-0.3)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

Q_ch = 0.00040004271

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.00040004271 कूलम्ब -->0.40004271 मिलिकौलॉम्ब (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

0.40004271 ≈ 0.400043 मिलिकौलॉम्ब <-- चैनल चार्ज

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » वीएलएसआई निर्माण » वीएलएसआई सामग्री अनुकूलन » चैनल चार्ज

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई शोभित डिमरी

बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ प्रौद्योगिकी संस्थान (BTKIT), द्वाराहाट

शोभित डिमरी ने इस कैलकुलेटर और 900+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 25 वीएलएसआई सामग्री अनुकूलन कैलक्युलेटर्स

थोक ह्रास क्षेत्र चार्ज घनत्व वीएलएसआई

जाओ थोक ह्रास क्षेत्र चार्ज घनत्व = -(1-((स्रोत सहित ह्रास क्षेत्र का पार्श्विक विस्तार+अपवाह के साथ क्षय क्षेत्र का पार्श्विक विस्तार)/(2*चैनल की लंबाई)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*स्वीकर्ता एकाग्रता*abs(2*सतही क्षमता))

शारीरिक प्रभाव गुणांक

जाओ शारीरिक प्रभाव गुणांक = modulus((सीमा वोल्टेज-दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल)/(sqrt(सतही क्षमता+(स्रोत शारीरिक संभावित अंतर))-sqrt(सतही क्षमता)))

स्रोत वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन कमी गहराई

जाओ स्रोत के साथ पीएन जंक्शन कमी गहराई = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज)/([Charge-e]*स्वीकर्ता एकाग्रता))

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई

जाओ जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2)

कुल स्रोत परजीवी समाई

जाओ स्रोत परजीवी समाई = (शरीर और स्रोत के जंक्शन के बीच समाई*स्रोत प्रसार का क्षेत्र)+(बॉडी के जंक्शन और साइड की दीवार के बीच की क्षमता*स्रोत प्रसार की साइडवॉल परिधि)

लघु चैनल संतृप्ति धारा वीएलएसआई

जाओ लघु चैनल संतृप्ति धारा = चैनल की चौड़ाई*संतृप्ति इलेक्ट्रॉन बहाव वेग*प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता*संतृप्ति नाली स्रोत वोल्टेज

जंक्शन करंट

जाओ जंक्शन करंट = (स्थैतिक शक्ति/बेस कलेक्टर वोल्टेज)-(उप दहलीज धारा+विवाद वर्तमान+गेट करंट)

भूतल क्षमता

जाओ सतही क्षमता = 2*स्रोत शारीरिक संभावित अंतर*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता/आंतरिक एकाग्रता)

डीआईबीएल गुणांक

जाओ डीआईबीएल गुणांक = (दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल-सीमा वोल्टेज)/स्रोत क्षमता के लिए नाली

थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो

जाओ दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल = डीआईबीएल गुणांक*स्रोत क्षमता के लिए नाली+सीमा वोल्टेज

गेट ऑक्साइड कैपेसिटेंस का उपयोग करके गेट की लंबाई

जाओ गेट की लंबाई = गेट कैपेसिटेंस/(गेट ऑक्साइड परत की धारिता*गेट की चौड़ाई)

गेट ऑक्साइड कैपेसिटेंस

जाओ गेट ऑक्साइड परत की धारिता = गेट कैपेसिटेंस/(गेट की चौड़ाई*गेट की लंबाई)

सबथ्रेशोल्ड ढलान

जाओ उप दहलीज ढलान = स्रोत शारीरिक संभावित अंतर*डीआईबीएल गुणांक*ln(10)

गेट कैपेसिटेंस

जाओ गेट कैपेसिटेंस = चैनल चार्ज/(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

सीमा वोल्टेज

जाओ सीमा वोल्टेज = गेट टू चैनल वोल्टेज-(चैनल चार्ज/गेट कैपेसिटेंस)

चैनल चार्ज

जाओ चैनल चार्ज = गेट कैपेसिटेंस*(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस = प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता*मापन कारक

गंभीर वोल्टेज

जाओ गंभीर वोल्टेज = क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्ड*चैनल की लंबाई के पार विद्युत क्षेत्र

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद गेट ऑक्साइड की मोटाई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद गेट ऑक्साइड की मोटाई = गेट ऑक्साइड की मोटाई/मापन कारक

आंतरिक गेट क्षमता

जाओ एमओएस गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस = एमओएस गेट कैपेसिटेंस*संक्रमण चौड़ाई

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद चैनल की चौड़ाई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद चैनल की चौड़ाई = चैनल की चौड़ाई/मापन कारक

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद जंक्शन गहराई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद जंक्शन की गहराई = जंक्शन गहराई/मापन कारक

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद चैनल की लंबाई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद चैनल की लंबाई = चैनल की लंबाई/मापन कारक

मॉसफेट में गतिशीलता

जाओ MOSFET में गतिशीलता = के प्राइम/गेट ऑक्साइड परत की धारिता

के-प्राइम

जाओ के प्राइम = MOSFET में गतिशीलता*गेट ऑक्साइड परत की धारिता

चैनल चार्ज सूत्र

चैनल चार्ज = गेट कैपेसिटेंस*(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)
Q_ch = C_g*(V_gc-V_t)

लॉन्ग चैनल मॉडल कैसे व्युत्पन्न होता है?

लॉन्ग चैनल मॉडल प्रत्येक कटऑफ या सबथ्रेशोल्ड, रैखिक और संतृप्ति क्षेत्र में एक nMOS ट्रांजिस्टर के लिए करंट और वोल्टेज (IV) से संबंधित है। मॉडल मानता है कि चैनल की लंबाई इतनी लंबी है कि पार्श्व विद्युत क्षेत्र (स्रोत और नाली के बीच का क्षेत्र) अपेक्षाकृत कम है, जो अब नैनोमीटर उपकरणों में नहीं है। इस मॉडल को विभिन्न प्रकार के लॉन्ग-चैनल, आदर्श, प्रथम-क्रम या शॉक्ले मॉडल के रूप में जाना जाता है।

चैनल चार्ज की गणना कैसे करें?

चैनल चार्ज के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया गेट कैपेसिटेंस (C_g), गेट कैपेसिटेंस एक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर के गेट टर्मिनल की कैपेसिटेंस है। के रूप में, गेट टू चैनल वोल्टेज (V_gc), गेट टू चैनल वोल्टेज को इस प्रकार परिभाषित किया जाता है कि जब गेट वोल्टेज थ्रेशोल्ड वोल्टेज के आसपास होता है तो ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध रेटेड मूल्य से बड़ा होता है। के रूप में & सीमा वोल्टेज (V_t), ट्रांजिस्टर का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच संचालन पथ बनाने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट टू सोर्स वोल्टेज है। के रूप में डालें। कृपया चैनल चार्ज गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

चैनल चार्ज गणना

चैनल चार्ज कैलकुलेटर, चैनल चार्ज की गणना करने के लिए Channel Charge = गेट कैपेसिटेंस*(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) का उपयोग करता है। चैनल चार्ज Q_ch को चैनल चार्ज फॉर्मूला को इस बात के रूप में परिभाषित किया गया है कि यह विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र में रखे जाने पर बल का अनुभव करने का कारण बनता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ चैनल चार्ज गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 399.9831 = 5.961E-05*(7.011-0.3). आप और अधिक चैनल चार्ज उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

चैनल चार्ज क्या है?

चैनल चार्ज चैनल चार्ज फॉर्मूला को इस बात के रूप में परिभाषित किया गया है कि यह विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र में रखे जाने पर बल का अनुभव करने का कारण बनता है। है और इसे Q_ch = C_g*(V_gc-V_t) या Channel Charge = गेट कैपेसिटेंस*(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) के रूप में दर्शाया जाता है।

चैनल चार्ज की गणना कैसे करें?

चैनल चार्ज को चैनल चार्ज फॉर्मूला को इस बात के रूप में परिभाषित किया गया है कि यह विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र में रखे जाने पर बल का अनुभव करने का कारण बनता है। Channel Charge = गेट कैपेसिटेंस*(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) Q_ch = C_g*(V_gc-V_t) के रूप में परिभाषित किया गया है। चैनल चार्ज की गणना करने के लिए, आपको गेट कैपेसिटेंस (C_g), गेट टू चैनल वोल्टेज (V_gc) & सीमा वोल्टेज (V_t) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको गेट कैपेसिटेंस एक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर के गेट टर्मिनल की कैपेसिटेंस है।, गेट टू चैनल वोल्टेज को इस प्रकार परिभाषित किया जाता है कि जब गेट वोल्टेज थ्रेशोल्ड वोल्टेज के आसपास होता है तो ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध रेटेड मूल्य से बड़ा होता है। & ट्रांजिस्टर का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच संचालन पथ बनाने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट टू सोर्स वोल्टेज है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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