मिलर समाई कैलकुलेटर

✖गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस को उस कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है जो MOSFET के जंक्शन के गेट और ड्रेन के बीच देखा जाता है।ⓘ गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस [C_gd]			+10% -10%
✖ट्रांसकंडक्टेंस एक सक्रिय डिवाइस के इनपुट टर्मिनल पर आउटपुट टर्मिनल पर करंट में परिवर्तन और वोल्टेज में परिवर्तन का अनुपात है।ⓘ transconductance [g_m]			+10% -10%
✖लोड प्रतिरोध को एम्पलीफायर आधारित सर्किट के लोड टर्मिनल के माध्यम से प्रवाहित होने वाले विरोध के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ भार प्रतिरोध [R_L]			+10% -10%

✖मिलर कैपेसिटेंस कैपेसिटेंस को संदर्भित करता है, इनपुट और लाभ प्रदर्शित करने वाले अन्य नोड के बीच जुड़ा कोई भी प्रतिबाधा इस प्रभाव के माध्यम से एम्पलीफायर इनपुट प्रतिबाधा को संशोधित कर सकता है।ⓘ मिलर समाई [C_m]

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सूत्र

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मिलर समाई

सूत्र

`"C"_{"m"} = "C"_{"gd"}*(1+1/("g"_{"m"}*"R"_{"L"}))`

उदाहरण

`"2.7024μF"="2.7μF"*(1+1/("0.25S"*"4.5kΩ"))`

कैलकुलेटर

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मिलर समाई उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

मिलर कैपेसिटेंस = गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस*(1+1/(transconductance*भार प्रतिरोध))
C_m = C_gd*(1+1/(g_m*R_L))
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

मिलर कैपेसिटेंस - (में मापा गया फैरड) - मिलर कैपेसिटेंस कैपेसिटेंस को संदर्भित करता है, इनपुट और लाभ प्रदर्शित करने वाले अन्य नोड के बीच जुड़ा कोई भी प्रतिबाधा इस प्रभाव के माध्यम से एम्पलीफायर इनपुट प्रतिबाधा को संशोधित कर सकता है।
गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस - (में मापा गया फैरड) - गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस को उस कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है जो MOSFET के जंक्शन के गेट और ड्रेन के बीच देखा जाता है।
transconductance - (में मापा गया सीमेंस) - ट्रांसकंडक्टेंस एक सक्रिय डिवाइस के इनपुट टर्मिनल पर आउटपुट टर्मिनल पर करंट में परिवर्तन और वोल्टेज में परिवर्तन का अनुपात है।
भार प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - लोड प्रतिरोध को एम्पलीफायर आधारित सर्किट के लोड टर्मिनल के माध्यम से प्रवाहित होने वाले विरोध के रूप में परिभाषित किया गया है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस: 2.7 माइक्रोफ़ारड --> 2.7E-06 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
transconductance: 0.25 सीमेंस --> 0.25 सीमेंस कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
भार प्रतिरोध: 4.5 किलोहम --> 4500 ओम (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

C_m = C_gd*(1+1/(g_m*R_L)) --> 2.7E-06*(1+1/(0.25*4500))

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

C_m = 2.7024E-06

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

2.7024E-06 फैरड -->2.7024 माइक्रोफ़ारड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

2.7024 माइक्रोफ़ारड <-- मिलर कैपेसिटेंस

(गणना 00.020 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » एम्पलीफायरों » एम्पलीफायर कार्य और नेटवर्क » मिलर की प्रमेय » मिलर समाई

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 6 मिलर की प्रमेय कैलक्युलेटर्स

मिलर समाई

जाओ मिलर कैपेसिटेंस = गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस*(1+1/(transconductance*भार प्रतिरोध))

मिलर कैपेसिटेंस में कुल करंट

जाओ कुल धारा = प्राथमिक वोल्टेज*(1-(वोल्टेज बढ़ना))/कुल प्रतिबाधा

एम्पलीफायर के प्राथमिक नोड पर करंट

जाओ प्राइमरी कंडक्टर में करंट = ए-चरण वोल्टेज/प्राथमिक वाइंडिंग का प्रतिबाधा

मिलर कैपेसिटेंस में माध्यमिक प्रतिबाधा

जाओ द्वितीयक वाइंडिंग का प्रतिबाधा = कुल प्रतिबाधा/(1-(1/वोल्टेज बढ़ना))

ड्रेन करंट में बदलाव

जाओ ड्रेन करंट में बदलाव = -ए-चरण वोल्टेज/द्वितीयक वाइंडिंग का प्रतिबाधा

मिलर कैपेसिटेंस में प्राथमिक प्रतिबाधा

जाओ प्राथमिक वाइंडिंग का प्रतिबाधा = कुल प्रतिबाधा/(1-(वोल्टेज बढ़ना))

मिलर समाई सूत्र

मिलर कैपेसिटेंस = गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस*(1+1/(transconductance*भार प्रतिरोध))
C_m = C_gd*(1+1/(g_m*R_L))

मिलर का प्रमेय क्या बताता है?

मिलर प्रमेय समतुल्य सर्किट बनाने की प्रक्रिया को संदर्भित करता है। यह दावा करता है कि श्रृंखला में जुड़े दो वोल्टेज स्रोतों द्वारा आपूर्ति की गई एक फ़्लोटिंग प्रतिबाधा तत्व, संबंधित बाधाओं के साथ दो आधारभूत तत्वों में विभाजित हो सकती है।

मिलर समाई की गणना कैसे करें?

मिलर समाई के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस (C_gd), गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस को उस कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है जो MOSFET के जंक्शन के गेट और ड्रेन के बीच देखा जाता है। के रूप में, transconductance (g_m), ट्रांसकंडक्टेंस एक सक्रिय डिवाइस के इनपुट टर्मिनल पर आउटपुट टर्मिनल पर करंट में परिवर्तन और वोल्टेज में परिवर्तन का अनुपात है। के रूप में & भार प्रतिरोध (R_L), लोड प्रतिरोध को एम्पलीफायर आधारित सर्किट के लोड टर्मिनल के माध्यम से प्रवाहित होने वाले विरोध के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में डालें। कृपया मिलर समाई गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

मिलर समाई गणना

मिलर समाई कैलकुलेटर, मिलर कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए Miller Capacitance = गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस*(1+1/(transconductance*भार प्रतिरोध)) का उपयोग करता है। मिलर समाई C_m को आउटपुट फॉर्मूला पर मिलर कैपेसिटेंस इनपुट और अन्य नोड के बीच जुड़े कैपेसिटेंस या प्रतिबाधा को संदर्भित करता है जो लाभ प्रदर्शित करता है। यह इस प्रभाव के माध्यम से एम्पलीफायर के इनपुट प्रतिबाधा को संशोधित कर सकता है। मिलर कैपेसिटेंस की पहचान 1920 में जॉन मिल्टन मिलर द्वारा ट्रायोड वैक्यूम ट्यूब में की गई थी। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ मिलर समाई गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 5.2E+6 = 2.7E-06*(1+1/(0.25*4500)). आप और अधिक मिलर समाई उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

मिलर समाई क्या है?

मिलर समाई आउटपुट फॉर्मूला पर मिलर कैपेसिटेंस इनपुट और अन्य नोड के बीच जुड़े कैपेसिटेंस या प्रतिबाधा को संदर्भित करता है जो लाभ प्रदर्शित करता है। यह इस प्रभाव के माध्यम से एम्पलीफायर के इनपुट प्रतिबाधा को संशोधित कर सकता है। मिलर कैपेसिटेंस की पहचान 1920 में जॉन मिल्टन मिलर द्वारा ट्रायोड वैक्यूम ट्यूब में की गई थी। है और इसे C_m = C_gd*(1+1/(g_m*R_L)) या Miller Capacitance = गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस*(1+1/(transconductance*भार प्रतिरोध)) के रूप में दर्शाया जाता है।

मिलर समाई की गणना कैसे करें?

मिलर समाई को आउटपुट फॉर्मूला पर मिलर कैपेसिटेंस इनपुट और अन्य नोड के बीच जुड़े कैपेसिटेंस या प्रतिबाधा को संदर्भित करता है जो लाभ प्रदर्शित करता है। यह इस प्रभाव के माध्यम से एम्पलीफायर के इनपुट प्रतिबाधा को संशोधित कर सकता है। मिलर कैपेसिटेंस की पहचान 1920 में जॉन मिल्टन मिलर द्वारा ट्रायोड वैक्यूम ट्यूब में की गई थी। Miller Capacitance = गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस*(1+1/(transconductance*भार प्रतिरोध)) C_m = C_gd*(1+1/(g_m*R_L)) के रूप में परिभाषित किया गया है। मिलर समाई की गणना करने के लिए, आपको गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस (C_gd), transconductance (g_m) & भार प्रतिरोध (R_L) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस को उस कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है जो MOSFET के जंक्शन के गेट और ड्रेन के बीच देखा जाता है।, ट्रांसकंडक्टेंस एक सक्रिय डिवाइस के इनपुट टर्मिनल पर आउटपुट टर्मिनल पर करंट में परिवर्तन और वोल्टेज में परिवर्तन का अनुपात है। & लोड प्रतिरोध को एम्पलीफायर आधारित सर्किट के लोड टर्मिनल के माध्यम से प्रवाहित होने वाले विरोध के रूप में परिभाषित किया गया है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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