Miller-Kapazität Taschenrechner

✖Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.ⓘ Gate-to-Drain-Kapazität [C_gd]			+10% -10%
✖Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.ⓘ Transkonduktanz [g_m]			+10% -10%
✖Der Lastwiderstand ist definiert als der Widerstand, dem der Strom ausgesetzt ist, der durch den Lastanschluss einer verstärkerbasierten Schaltung fließt.ⓘ Lastwiderstand [R_L]			+10% -10%

✖Unter Miller-Kapazität versteht man die Kapazität. Jede zwischen dem Eingang und einem anderen Knoten mit Verstärkung angeschlossene Impedanz kann durch diesen Effekt die Eingangsimpedanz des Verstärkers verändern.ⓘ Miller-Kapazität [C_m]

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Formel

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Miller-Kapazität

Formel

`"C"_{"m"} = "C"_{"gd"}*(1+1/("g"_{"m"}*"R"_{"L"}))`

Beispiel

`"2.7024μF"="2.7μF"*(1+1/("0.25S"*"4.5kΩ"))`

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Miller-Kapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Miller-Kapazität = Gate-to-Drain-Kapazität*(1+1/(Transkonduktanz*Lastwiderstand))
C_m = C_gd*(1+1/(g_m*R_L))
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Miller-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Unter Miller-Kapazität versteht man die Kapazität. Jede zwischen dem Eingang und einem anderen Knoten mit Verstärkung angeschlossene Impedanz kann durch diesen Effekt die Eingangsimpedanz des Verstärkers verändern.
Gate-to-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.
Transkonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.
Lastwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Lastwiderstand ist definiert als der Widerstand, dem der Strom ausgesetzt ist, der durch den Lastanschluss einer verstärkerbasierten Schaltung fließt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gate-to-Drain-Kapazität: 2.7 Mikrofarad --> 2.7E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Transkonduktanz: 0.25 Siemens --> 0.25 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Lastwiderstand: 4.5 Kiloohm --> 4500 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_m = C_gd*(1+1/(g_m*R_L)) --> 2.7E-06*(1+1/(0.25*4500))

Auswerten ... ...

C_m = 2.7024E-06

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.7024E-06 Farad -->2.7024 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

2.7024 Mikrofarad <-- Miller-Kapazität

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 6 Satz von Miller Taschenrechner

Miller-Kapazität

Gehen Miller-Kapazität = Gate-to-Drain-Kapazität*(1+1/(Transkonduktanz*Lastwiderstand))

Gesamtstrom in Miller-Kapazität

Gehen Gesamtstrom = Primärspannung*(1-(Spannungsverstärkung))/Gesamtimpedanz

Sekundärimpedanz in der Miller-Kapazität

Gehen Impedanz der Sekundärwicklung = Gesamtimpedanz/(1-(1/Spannungsverstärkung))

Änderung des Drainstroms

Gehen Änderung des Drainstroms = -A-Phasenspannung/Impedanz der Sekundärwicklung

Primärimpedanz in der Miller-Kapazität

Gehen Impedanz der Primärwicklung = Gesamtimpedanz/(1-(Spannungsverstärkung))

Strom am Primärknoten des Verstärkers

Gehen Strom im Primärleiter = A-Phasenspannung/Impedanz der Primärwicklung

Miller-Kapazität Formel

Miller-Kapazität = Gate-to-Drain-Kapazität*(1+1/(Transkonduktanz*Lastwiderstand))
C_m = C_gd*(1+1/(g_m*R_L))

Was sagt Millers Theorem aus?

Der Miller-Satz bezieht sich auf den Prozess der Erzeugung von Ersatzschaltungen. Es wird behauptet, dass ein schwebendes Impedanzelement, das von zwei in Reihe geschalteten Spannungsquellen gespeist wird, in zwei geerdete Elemente mit entsprechenden Impedanzen aufgeteilt werden kann.

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