MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर कैलकुलेटर

✖ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और सर्किट में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो वोल्टेज और करंट के बीच इनपुट-आउटपुट संबंध का वर्णन और मात्रा निर्धारित करने में मदद करता है।ⓘ ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर [k_n]			+10% -10%
✖गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।ⓘ गेट-स्रोत वोल्टेज [V_gs]			+10% -10%
✖थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।ⓘ सीमा वोल्टेज [V_th]			+10% -10%

✖ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर [g_m]

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MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर

सूत्र

`"g"_{"m"} = "k"_{"n"}*("V"_{"gs"}-"V"_{"th"})`

उदाहरण

`"3360mS"="10.5A/V²"*("4V"-"3.68V")`

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MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

transconductance = ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)
g_m = k_n*(V_gs-V_th)
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

transconductance - (में मापा गया सीमेंस) - ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।
ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर - (में मापा गया एम्पीयर प्रति वर्ग वोल्ट) - ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और सर्किट में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो वोल्टेज और करंट के बीच इनपुट-आउटपुट संबंध का वर्णन और मात्रा निर्धारित करने में मदद करता है।
गेट-स्रोत वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।
सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर: 10.5 एम्पीयर प्रति वर्ग वोल्ट --> 10.5 एम्पीयर प्रति वर्ग वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
गेट-स्रोत वोल्टेज: 4 वोल्ट --> 4 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सीमा वोल्टेज: 3.68 वोल्ट --> 3.68 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

g_m = k_n*(V_gs-V_th) --> 10.5*(4-3.68)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

g_m = 3.36

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

3.36 सीमेंस -->3360 मिलिसिएमेंस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

3360 मिलिसिएमेंस <-- transconductance

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » MOSFET » एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » transconductance » MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित प्रहलाद सिंह

जयपुर इंजीनियरिंग कॉलेज एंड रिसर्च सेंटर (जेईसीआरसी), जयपुर

प्रहलाद सिंह ने इस कैलकुलेटर और 10+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 16 transconductance कैलक्युलेटर्स

प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन

जाओ प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर = transconductance/(आस्पेक्ट अनुपात*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज))

ट्रांसकंडक्शन दिया गया प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर

जाओ transconductance = प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

ट्रांसकंडक्टेंस ने ड्रेन करंट दिया

जाओ transconductance = sqrt(2*प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*जल निकासी धारा)

ट्रांसकंडक्शन और ड्रेन करंट को देखते हुए प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन

जाओ प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर = transconductance^2/(2*आस्पेक्ट अनुपात*जल निकासी धारा)

नाली वर्तमान दी गई प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन और ट्रांसकंडक्शन

जाओ जल निकासी धारा = transconductance^2/(2*आस्पेक्ट अनुपात*प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर)

प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन

जाओ प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर = transconductance/(आस्पेक्ट अनुपात*ओवरड्राइव वोल्टेज)

प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके ट्रांसकंडक्शन

जाओ transconductance = प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*ओवरड्राइव वोल्टेज

MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर

जाओ transconductance = ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

ट्रांसकंडक्शन पर शारीरिक प्रभाव

जाओ शरीर का ट्रांसकंडक्शन = थ्रेशोल्ड को बेस वोल्टेज में बदलें*transconductance

प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन का उपयोग करते हुए MOSFET ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर

जाओ ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर = प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस ने ओवरड्राइव वोल्टेज दिया

जाओ transconductance = ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*ओवरड्राइव वोल्टेज

एमओएसएफईटी की प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर

जाओ ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर = transconductance/ओवरड्राइव वोल्टेज

बैक गेट ट्रांसकंडक्टेंस

जाओ बैक गेट ट्रांसकंडक्टेंस = transconductance*वोल्टेज दक्षता

MOSFET ट्रांसकंडक्शन

जाओ transconductance = ड्रेन करंट में बदलाव/गेट-स्रोत वोल्टेज

ट्रांसकंडक्शन का उपयोग करके करंट को ड्रेन करें

जाओ जल निकासी धारा = (ओवरड्राइव वोल्टेज)*transconductance/2

MOSFET में ट्रांसकंडक्टेंस

जाओ transconductance = (2*जल निकासी धारा)/ओवरड्राइव वोल्टेज

MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर सूत्र

transconductance = ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)
g_m = k_n*(V_gs-V_th)

MOSFET में ट्रांसकनेक्टिविटी का उपयोग क्या है?

ट्रांसकनेक्टैशन एक द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर या क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (एफईटी) के प्रदर्शन की अभिव्यक्ति है। सामान्य तौर पर, एक उपकरण के लिए ट्रांसकांसेनेंस का आंकड़ा जितना बड़ा होता है, उतना ही अधिक लाभ (प्रवर्धन) वह प्रदान करने में सक्षम होता है, जब अन्य सभी कारक स्थिर होते हैं।

MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर की गणना कैसे करें?

MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k_n), ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और सर्किट में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो वोल्टेज और करंट के बीच इनपुट-आउटपुट संबंध का वर्णन और मात्रा निर्धारित करने में मदद करता है। के रूप में, गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs), गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है। के रूप में & सीमा वोल्टेज (V_th), थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के रूप में डालें। कृपया MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर गणना

MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर कैलकुलेटर, transconductance की गणना करने के लिए Transconductance = ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) का उपयोग करता है। MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर g_m को ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर दिया गया MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस एक निरंतर नाली / स्रोत वोल्टेज के साथ गेट / स्रोत वोल्टेज में छोटे परिवर्तन से विभाजित ड्रेन करंट में परिवर्तन है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 3.4E+6 = 10.5*(4-3.68). आप और अधिक MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर क्या है?

MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर दिया गया MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस एक निरंतर नाली / स्रोत वोल्टेज के साथ गेट / स्रोत वोल्टेज में छोटे परिवर्तन से विभाजित ड्रेन करंट में परिवर्तन है। है और इसे g_m = k_n*(V_gs-V_th) या Transconductance = ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) के रूप में दर्शाया जाता है।

MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर की गणना कैसे करें?

MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर को ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर दिया गया MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस एक निरंतर नाली / स्रोत वोल्टेज के साथ गेट / स्रोत वोल्टेज में छोटे परिवर्तन से विभाजित ड्रेन करंट में परिवर्तन है। Transconductance = ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) g_m = k_n*(V_gs-V_th) के रूप में परिभाषित किया गया है। MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर की गणना करने के लिए, आपको ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k_n), गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs) & सीमा वोल्टेज (V_th) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और सर्किट में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो वोल्टेज और करंट के बीच इनपुट-आउटपुट संबंध का वर्णन और मात्रा निर्धारित करने में मदद करता है।, गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है। & थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

transconductance की गणना करने के कितने तरीके हैं?

transconductance ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k_n), गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs) & सीमा वोल्टेज (V_th) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 6 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

transconductance = sqrt(2*प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*जल निकासी धारा)
transconductance = प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)
transconductance = प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*ओवरड्राइव वोल्टेज
transconductance = ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*ओवरड्राइव वोल्टेज
transconductance = (2*जल निकासी धारा)/ओवरड्राइव वोल्टेज
transconductance = ड्रेन करंट में बदलाव/गेट-स्रोत वोल्टेज

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