Transconduttanza MOSFET dato il parametro di transconduttanza calcolatrice

✖Il parametro di transconduttanza è un parametro cruciale nei dispositivi e nei circuiti elettronici, che aiuta a descrivere e quantificare la relazione ingresso-uscita tra tensione e corrente.ⓘ Parametro di transconduttanza [k_n]			+10% -10%
✖La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.ⓘ Tensione gate-source [V_gs]			+10% -10%
✖La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.ⓘ Soglia di voltaggio [V_th]			+10% -10%

✖La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.ⓘ Transconduttanza MOSFET dato il parametro di transconduttanza [g_m]

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Formula

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Transconduttanza MOSFET dato il parametro di transconduttanza

Formula

`"g"_{"m"} = "k"_{"n"}*("V"_{"gs"}-"V"_{"th"})`

Esempio

`"3360mS"="10.5A/V²"*("4V"-"3.68V")`

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Transconduttanza MOSFET dato il parametro di transconduttanza Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)
g_m = k_n*(V_gs-V_th)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.
Parametro di transconduttanza - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il parametro di transconduttanza è un parametro cruciale nei dispositivi e nei circuiti elettronici, che aiuta a descrivere e quantificare la relazione ingresso-uscita tra tensione e corrente.
Tensione gate-source - (Misurato in Volt) - La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro di transconduttanza: 10.5 Ampere per Volt Quadrato --> 10.5 Ampere per Volt Quadrato Nessuna conversione richiesta
Tensione gate-source: 4 Volt --> 4 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 3.68 Volt --> 3.68 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

g_m = k_n*(V_gs-V_th) --> 10.5*(4-3.68)

Valutare ... ...

g_m = 3.36

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

3.36 Siemens -->3360 Millisiemens (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

3360 Millisiemens <-- Transconduttanza

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

< 16 Transconduttanza Calcolatrici

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo

Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza/(Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio))

Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Transconduttanza data corrente di drenaggio

Partire Transconduttanza = sqrt(2*Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Assorbimento di corrente)

Transconduttanza di processo data la transconduttanza e la corrente di drain

Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Assorbimento di corrente)

Drain Current data la transconduttanza e la transconduttanza del processo

Partire Assorbimento di corrente = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Parametro di transconduttanza di processo)

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza/(Proporzioni*Tensione di overdrive)

Transconduttanza utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Tensione di overdrive

Transconduttanza MOSFET dato il parametro di transconduttanza

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Effetto del corpo sulla transconduttanza

Partire Transconduttanza corporea = Modifica della soglia alla tensione di base*Transconduttanza

Parametro di transconduttanza MOSFET che utilizza la transconduttanza di processo

Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni

Transconduttanza del backgate

Partire Transconduttanza del backgate = Transconduttanza*Efficienza della tensione

MOSFET Transconduttanza

Partire Transconduttanza = Modifica della corrente di scarico/Tensione gate-source

Transconduttanza MOSFET data la tensione di overdrive

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*Tensione di overdrive

Parametro di transconduttanza di processo del MOSFET

Partire Parametro di transconduttanza = Transconduttanza/Tensione di overdrive

Assorbimento di corrente tramite transconduttanza

Partire Assorbimento di corrente = (Tensione di overdrive)*Transconduttanza/2

Transconduttanza nei MOSFET

Partire Transconduttanza = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive

Transconduttanza MOSFET dato il parametro di transconduttanza Formula

Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)
g_m = k_n*(V_gs-V_th)

Qual è l'uso della transconduttanza nei MOSFET?

La transconduttanza è un'espressione delle prestazioni di un transistor bipolare o transistor ad effetto di campo (FET). In generale, maggiore è il valore di transconduttanza per un dispositivo, maggiore è il guadagno (amplificazione) che è in grado di fornire, quando tutti gli altri fattori sono mantenuti costanti.

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