पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट कैलकुलेटर

✖पीएमओएस (पीटीएम) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में इस्तेमाल किया जाने वाला पैरामीटर है।ⓘ पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर [k'_p]			+10% -10%
✖पहलू अनुपात को ट्रांजिस्टर के चैनल की चौड़ाई और उसकी लंबाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। यह स्रोत के बीच की दूरी से गेट की चौड़ाई का अनुपात हैⓘ आस्पेक्ट अनुपात [WL]			+10% -10%
✖क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है।ⓘ गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज [V_GS]			+10% -10%
✖थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।ⓘ सीमा वोल्टेज [V_T]			+10% -10%
✖क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के संचालन में नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज एक प्रमुख पैरामीटर है और इसे अक्सर "ड्रेन-सोर्स वोल्टेज" या VDS के रूप में जाना जाता है।ⓘ नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज [V_DS]			+10% -10%
✖प्रारंभिक वोल्टेज पूरी तरह से प्रक्रिया-प्रौद्योगिकी पर निर्भर है, वोल्ट प्रति माइक्रोन के आयामों के साथ।ⓘ प्रारंभिक वोल्टेज [V_a]			+10% -10%

✖ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है।ⓘ पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट [I_d]

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सूत्र

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पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट

सूत्र

`"I"_{"d"} = 1/2*"k'"_{"p"}*"WL"*("V"_{"GS"}-"modulus"("V"_{"T"}))^2*(1+"V"_{"DS"}/"modulus"("V"_{"a"}))`

उदाहरण

`"30.83355mA"=1/2*"2.1mS"*"6"*("2.86V"-"modulus"("0.7V"))^2*(1+"2.45V"/"modulus"("50V"))`

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पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

नाली वर्तमान = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2*(1+नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज/modulus(प्रारंभिक वोल्टेज))
I_d = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2*(1+V_DS/modulus(V_a))
यह सूत्र 1 कार्यों, 7 वेरिएबल का उपयोग करता है

उपयोग किए गए कार्य

modulus - किसी संख्या का मापांक तब शेषफल होता है जब उस संख्या को किसी अन्य संख्या से विभाजित किया जाता है।, modulus

चर

नाली वर्तमान - (में मापा गया एम्पेयर) - ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है।
पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर - (में मापा गया सीमेंस) - पीएमओएस (पीटीएम) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में इस्तेमाल किया जाने वाला पैरामीटर है।
आस्पेक्ट अनुपात - पहलू अनुपात को ट्रांजिस्टर के चैनल की चौड़ाई और उसकी लंबाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। यह स्रोत के बीच की दूरी से गेट की चौड़ाई का अनुपात है
गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है।
सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।
नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के संचालन में नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज एक प्रमुख पैरामीटर है और इसे अक्सर "ड्रेन-सोर्स वोल्टेज" या VDS के रूप में जाना जाता है।
प्रारंभिक वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - प्रारंभिक वोल्टेज पूरी तरह से प्रक्रिया-प्रौद्योगिकी पर निर्भर है, वोल्ट प्रति माइक्रोन के आयामों के साथ।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर: 2.1 मिलिसिएमेंस --> 0.0021 सीमेंस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
आस्पेक्ट अनुपात: 6 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज: 2.86 वोल्ट --> 2.86 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सीमा वोल्टेज: 0.7 वोल्ट --> 0.7 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज: 2.45 वोल्ट --> 2.45 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
प्रारंभिक वोल्टेज: 50 वोल्ट --> 50 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

I_d = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2*(1+V_DS/modulus(V_a)) --> 1/2*0.0021*6*(2.86-modulus(0.7))^2*(1+2.45/modulus(50))

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

I_d = 0.03083355072

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.03083355072 एम्पेयर -->30.83355072 मिलीएम्पियर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

30.83355072 ≈ 30.83355 मिलीएम्पियर <-- नाली वर्तमान

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 15 पी-चैनल वृद्धि कैलक्युलेटर्स

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट

जाओ नाली वर्तमान = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2*(1+नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज/modulus(प्रारंभिक वोल्टेज))

पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट

जाओ नाली वर्तमान = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*((गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज-1/2*(नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)^2)

पीएमओएस में शारीरिक प्रभाव

जाओ दहलीज वोल्टेज में परिवर्तन = सीमा वोल्टेज+निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर*(sqrt(2*भौतिक पैरामीटर+शरीर और स्रोत के बीच वोल्टेज)-sqrt(2*भौतिक पैरामीटर))

दिए गए पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट वीएसडी

जाओ नाली वर्तमान = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(modulus(प्रभावी वोल्टेज)-1/2*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज

PMOS ट्रांजिस्टर के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करंट

जाओ संतृप्ति नाली वर्तमान = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2

पीएमओएस में बैकगेट इफेक्ट पैरामीटर

जाओ बैकगेट प्रभाव पैरामीटर = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*दाता एकाग्रता)/ऑक्साइड क्षमता

वर्तमान को स्रोत से नाली की ओर प्रवाहित करें

जाओ नाली वर्तमान = (जंक्शन की चौड़ाई*उलटा परत प्रभार*चैनल में छिद्रों की गतिशीलता*चैनल में विद्युत क्षेत्र का क्षैतिज घटक)

पीएमओएस में पिंच-ऑफ कंडीशन पर इनवर्जन लेयर चार्ज

जाओ उलटा परत प्रभार = -ऑक्साइड क्षमता*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-सीमा वोल्टेज-नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)

दिए गए पीएमओएस ट्रांजिस्टर के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करेंट

जाओ संतृप्ति नाली वर्तमान = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(प्रभावी वोल्टेज)^2

पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज

जाओ उलटा परत प्रभार = -ऑक्साइड क्षमता*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज

जाओ प्रभावी वोल्टेज = गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज)

पीएमओएस के उलटा चैनल में वर्तमान

जाओ नाली वर्तमान = (जंक्शन की चौड़ाई*उलटा परत प्रभार*उलटा बहाव वेग)

पीएमओएस का प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर

जाओ पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर = चैनल में छिद्रों की गतिशीलता*ऑक्साइड क्षमता

पीएमओएस दी गई गतिशीलता के इनवर्जन चैनल में करंट

जाओ उलटा बहाव वेग = चैनल में छिद्रों की गतिशीलता*चैनल में विद्युत क्षेत्र का क्षैतिज घटक

पीएनपी ट्रांजिस्टर का पारगमन समय

जाओ पारगमन समय = आधार चौड़ाई^2/(2*पीएनपी के लिए प्रसार स्थिरांक)

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट सूत्र

MOSFET में ड्रेन करंट क्या है?

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज के नीचे स्थित नाले को सबथ्रेशोल्ड करंट के रूप में परिभाषित किया गया है और वीजीएस के साथ तेजी से बदलता है। लॉग (Ids) बनाम वीजीएस विशेषता के ढलान के पारस्परिक को सबथ्रेशोल्ड ढलान, एस के रूप में परिभाषित किया गया है, और तर्क अनुप्रयोगों में MOSFETs के लिए सबसे महत्वपूर्ण प्रदर्शन मेट्रिक्स में से एक है।

पीएमओएस में किस तरह से प्रवाह होता है?

एक NMOS इलेक्ट्रॉनों में प्रभारी वाहक हैं। तो इलेक्ट्रॉनों स्रोत से नाली तक यात्रा करते हैं (जिसका अर्थ है कि प्रवाह नाली> स्रोत से जाता है।) एक पीएमओएस छेद में चार्ज किया जाता है। इसलिए छेद स्रोत से नाली तक यात्रा करते हैं।

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट की गणना कैसे करें?

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_p), पीएमओएस (पीटीएम) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में इस्तेमाल किया जाने वाला पैरामीटर है। के रूप में, आस्पेक्ट अनुपात (WL), पहलू अनुपात को ट्रांजिस्टर के चैनल की चौड़ाई और उसकी लंबाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। यह स्रोत के बीच की दूरी से गेट की चौड़ाई का अनुपात है के रूप में, गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_GS), क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है। के रूप में, सीमा वोल्टेज (V_T), थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के रूप में, नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_DS), क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के संचालन में नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज एक प्रमुख पैरामीटर है और इसे अक्सर "ड्रेन-सोर्स वोल्टेज" या VDS के रूप में जाना जाता है। के रूप में & प्रारंभिक वोल्टेज (V_a), प्रारंभिक वोल्टेज पूरी तरह से प्रक्रिया-प्रौद्योगिकी पर निर्भर है, वोल्ट प्रति माइक्रोन के आयामों के साथ। के रूप में डालें। कृपया पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट गणना

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट कैलकुलेटर, नाली वर्तमान की गणना करने के लिए Drain Current = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2*(1+नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज/modulus(प्रारंभिक वोल्टेज)) का उपयोग करता है। पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट I_d को पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट, ड्रेन करंट पहले लागू ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज के साथ रैखिक रूप से बढ़ता है, लेकिन फिर अधिकतम मूल्य तक पहुंच जाता है। गेट के ड्रेन एंड पर स्थित एक घटती परत अतिरिक्त ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज को समायोजित करती है। इस व्यवहार को ड्रेन करंट के रूप में जाना जाता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 30833.55 = 1/2*0.0021*6*(2.86-modulus(0.7))^2*(1+2.45/modulus(50)). आप और अधिक पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट क्या है?

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट, ड्रेन करंट पहले लागू ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज के साथ रैखिक रूप से बढ़ता है, लेकिन फिर अधिकतम मूल्य तक पहुंच जाता है। गेट के ड्रेन एंड पर स्थित एक घटती परत अतिरिक्त ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज को समायोजित करती है। इस व्यवहार को ड्रेन करंट के रूप में जाना जाता है। है और इसे I_d = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2*(1+V_DS/modulus(V_a)) या Drain Current = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2*(1+नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज/modulus(प्रारंभिक वोल्टेज)) के रूप में दर्शाया जाता है।

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट की गणना कैसे करें?

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट को पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट, ड्रेन करंट पहले लागू ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज के साथ रैखिक रूप से बढ़ता है, लेकिन फिर अधिकतम मूल्य तक पहुंच जाता है। गेट के ड्रेन एंड पर स्थित एक घटती परत अतिरिक्त ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज को समायोजित करती है। इस व्यवहार को ड्रेन करंट के रूप में जाना जाता है। Drain Current = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2*(1+नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज/modulus(प्रारंभिक वोल्टेज)) I_d = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2*(1+V_DS/modulus(V_a)) के रूप में परिभाषित किया गया है। पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट की गणना करने के लिए, आपको पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_p), आस्पेक्ट अनुपात (WL), गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_GS), सीमा वोल्टेज (V_T), नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_DS) & प्रारंभिक वोल्टेज (V_a) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको पीएमओएस (पीटीएम) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में इस्तेमाल किया जाने वाला पैरामीटर है।, पहलू अनुपात को ट्रांजिस्टर के चैनल की चौड़ाई और उसकी लंबाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। यह स्रोत के बीच की दूरी से गेट की चौड़ाई का अनुपात है, क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है।, थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।, क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के संचालन में नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज एक प्रमुख पैरामीटर है और इसे अक्सर "ड्रेन-सोर्स वोल्टेज" या VDS के रूप में जाना जाता है। & प्रारंभिक वोल्टेज पूरी तरह से प्रक्रिया-प्रौद्योगिकी पर निर्भर है, वोल्ट प्रति माइक्रोन के आयामों के साथ। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

नाली वर्तमान की गणना करने के कितने तरीके हैं?

नाली वर्तमान पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_p), आस्पेक्ट अनुपात (WL), गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_GS), सीमा वोल्टेज (V_T), नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_DS) & प्रारंभिक वोल्टेज (V_a) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 4 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

नाली वर्तमान = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*((गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज-1/2*(नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)^2)
नाली वर्तमान = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(modulus(प्रभावी वोल्टेज)-1/2*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज
नाली वर्तमान = (जंक्शन की चौड़ाई*उलटा परत प्रभार*उलटा बहाव वेग)
नाली वर्तमान = (जंक्शन की चौड़ाई*उलटा परत प्रभार*चैनल में छिद्रों की गतिशीलता*चैनल में विद्युत क्षेत्र का क्षैतिज घटक)

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