MOSFET . में बिजली की हानि कैलकुलेटर

✖ड्रेन करंट वह करंट है जो MOSFET और IGBT के ड्रेन जंक्शन से प्रवाहित होता है।ⓘ जल निकासी धारा [I_d]			+10% -10%
✖MOSFET में नाली स्रोत प्रतिरोध को नाली स्रोत टर्मिनलों के माध्यम से प्रवाहित होने वाले विरोध के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ नाली स्रोत प्रतिरोध [R_ds]			+10% -10%

✖जब ट्रांजिस्टर डिवाइस कार्यशील अवस्था में होता है तो औसत बिजली हानि बिजली की हानि होती है।ⓘ MOSFET . में बिजली की हानि [P_loss]

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सूत्र

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MOSFET . में बिजली की हानि

सूत्र

`"P"_{"loss"} = "I"_{"d"}^2*"R"_{"ds"}`

उदाहरण

`"187.425W"=("105mA")^2*"17kΩ"`

कैलकुलेटर

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MOSFET . में बिजली की हानि उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

औसत बिजली हानि = जल निकासी धारा^2*नाली स्रोत प्रतिरोध
P_loss = I_d^2*R_ds
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

औसत बिजली हानि - (में मापा गया वाट) - जब ट्रांजिस्टर डिवाइस कार्यशील अवस्था में होता है तो औसत बिजली हानि बिजली की हानि होती है।
जल निकासी धारा - (में मापा गया एम्पेयर) - ड्रेन करंट वह करंट है जो MOSFET और IGBT के ड्रेन जंक्शन से प्रवाहित होता है।
नाली स्रोत प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - MOSFET में नाली स्रोत प्रतिरोध को नाली स्रोत टर्मिनलों के माध्यम से प्रवाहित होने वाले विरोध के रूप में परिभाषित किया गया है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

जल निकासी धारा: 105 मिलीएम्पियर --> 0.105 एम्पेयर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
नाली स्रोत प्रतिरोध: 17 किलोहम --> 17000 ओम (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

P_loss = I_d^2*R_ds --> 0.105^2*17000

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

P_loss = 187.425

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

187.425 वाट --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

187.425 वाट <-- औसत बिजली हानि

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई परमिंदर सिंह

चंडीगढ़ विश्वविद्यालय (घन), पंजाब

परमिंदर सिंह ने इस कैलकुलेटर और 100+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित रचिता कु

बीएमएस कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (बीएमएससीई), बंगलोर

रचिता कु ने इस कैलकुलेटर और 50+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 9 MOSFET कैलक्युलेटर्स

इनपुट वर्तमान विरूपण कारक

जाओ इनपुट वर्तमान विरूपण कारक = आरएमएस आपूर्ति वर्तमान मौलिक घटक/आरएमएस आपूर्ति वर्तमान

इनपुट करंट हार्मोनिक फैक्टर

जाओ इनपुट करंट हार्मोनिक फैक्टर = sqrt((1/इनपुट वर्तमान विरूपण कारक^2)-1)

करंट रिपल फैक्टर

जाओ करंट रिपल फैक्टर = ((आरएमएस करंट/आरएमएस वर्तमान डीसी घटक)-1)^0.5

वोल्टेज रिपल फैक्टर

जाओ वोल्टेज रिपल फैक्टर = तरंग वोल्टेज/डीसी आउटपुट वोल्टेज

MOSFET . में बिजली की हानि

जाओ औसत बिजली हानि = जल निकासी धारा^2*नाली स्रोत प्रतिरोध

MOSFET समय बंद करें

जाओ समय बंद करें = MOSFET बंद विलंब समय+पतझड़ का समय

ट्रांजिस्टर पहलू अनुपात

जाओ आस्पेक्ट अनुपात = चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई

MOSFET समय चालू करें

जाओ समय चालू करें = विलंब समय पर MOSFET+वृद्धि समय

सुधार अनुपात

जाओ सुधार अनुपात = डीसी पावर आउटपुट/एसी इनपुट पावर

MOSFET . में बिजली की हानि सूत्र

औसत बिजली हानि = जल निकासी धारा^2*नाली स्रोत प्रतिरोध
P_loss = I_d^2*R_ds

MOSFET . में बिजली की हानि की गणना कैसे करें?

MOSFET . में बिजली की हानि के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया जल निकासी धारा (I_d), ड्रेन करंट वह करंट है जो MOSFET और IGBT के ड्रेन जंक्शन से प्रवाहित होता है। के रूप में & नाली स्रोत प्रतिरोध (R_ds), MOSFET में नाली स्रोत प्रतिरोध को नाली स्रोत टर्मिनलों के माध्यम से प्रवाहित होने वाले विरोध के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में डालें। कृपया MOSFET . में बिजली की हानि गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

MOSFET . में बिजली की हानि गणना

MOSFET . में बिजली की हानि कैलकुलेटर, औसत बिजली हानि की गणना करने के लिए Average Power Loss = जल निकासी धारा^2*नाली स्रोत प्रतिरोध का उपयोग करता है। MOSFET . में बिजली की हानि P_loss को MOSFET फॉर्मूला में पावर लॉस को तब परिभाषित किया जाता है जब MOSFET का संचालन शुरू होता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ MOSFET . में बिजली की हानि गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 187.425 = 0.105^2*17000. आप और अधिक MOSFET . में बिजली की हानि उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

MOSFET . में बिजली की हानि क्या है?

MOSFET . में बिजली की हानि MOSFET फॉर्मूला में पावर लॉस को तब परिभाषित किया जाता है जब MOSFET का संचालन शुरू होता है। है और इसे P_loss = I_d^2*R_ds या Average Power Loss = जल निकासी धारा^2*नाली स्रोत प्रतिरोध के रूप में दर्शाया जाता है।

MOSFET . में बिजली की हानि की गणना कैसे करें?

MOSFET . में बिजली की हानि को MOSFET फॉर्मूला में पावर लॉस को तब परिभाषित किया जाता है जब MOSFET का संचालन शुरू होता है। Average Power Loss = जल निकासी धारा^2*नाली स्रोत प्रतिरोध P_loss = I_d^2*R_ds के रूप में परिभाषित किया गया है। MOSFET . में बिजली की हानि की गणना करने के लिए, आपको जल निकासी धारा (I_d) & नाली स्रोत प्रतिरोध (R_ds) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको ड्रेन करंट वह करंट है जो MOSFET और IGBT के ड्रेन जंक्शन से प्रवाहित होता है। & MOSFET में नाली स्रोत प्रतिरोध को नाली स्रोत टर्मिनलों के माध्यम से प्रवाहित होने वाले विरोध के रूप में परिभाषित किया गया है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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