Verlustleistung im MOSFET Taschenrechner

✖Der Drain-Strom ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung von MOSFET und IGBT fließt.ⓘ Stromverbrauch [I_d]			+10% -10%
✖Der Drain-Source-Widerstand in MOSFETs ist definiert als der Widerstand, dem der Strom gegenübersteht, der durch die Drain-Source-Anschlüsse fließt.ⓘ Drain-Source-Widerstand [R_ds]			+10% -10%

✖Der durchschnittliche Leistungsverlust ist der Leistungsverlust, wenn sich das Transistorgerät im Arbeitszustand befindet.ⓘ Verlustleistung im MOSFET [P_loss]

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Formel

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Verlustleistung im MOSFET

Formel

`"P"_{"loss"} = "I"_{"d"}^2*"R"_{"ds"}`

Beispiel

`"187.425W"=("105mA")^2*"17kΩ"`

Taschenrechner

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Verlustleistung im MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Durchschnittlicher Leistungsverlust = Stromverbrauch^2*Drain-Source-Widerstand
P_loss = I_d^2*R_ds
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Durchschnittlicher Leistungsverlust - (Gemessen in Watt) - Der durchschnittliche Leistungsverlust ist der Leistungsverlust, wenn sich das Transistorgerät im Arbeitszustand befindet.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung von MOSFET und IGBT fließt.
Drain-Source-Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Source-Widerstand in MOSFETs ist definiert als der Widerstand, dem der Strom gegenübersteht, der durch die Drain-Source-Anschlüsse fließt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Stromverbrauch: 105 Milliampere --> 0.105 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Drain-Source-Widerstand: 17 Kiloohm --> 17000 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

P_loss = I_d^2*R_ds --> 0.105^2*17000

Auswerten ... ...

P_loss = 187.425

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

187.425 Watt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

187.425 Watt <-- Durchschnittlicher Leistungsverlust

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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