ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन कैलकुलेटर

✖थ्रेशोल्ड वोल्टेज के नीचे ड्रेन करंट को सबथ्रेशोल्ड करंट के रूप में परिभाषित किया गया है और यह गेट से स्रोत वोल्टेज के साथ तेजी से बदलता रहता है।ⓘ जल निकासी धारा [i_d]			+10% -10%
✖ऑक्साइड में वोल्टेज ऑक्साइड-अर्धचालक इंटरफ़ेस पर चार्ज के कारण होता है और तीसरा शब्द ऑक्साइड में चार्ज घनत्व के कारण होता है।ⓘ ऑक्साइड में वोल्टेज [V_ox]			+10% -10%
✖ट्रांजिस्टर का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज स्रोत वोल्टेज का न्यूनतम गेट है जो स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच एक संचालन पथ बनाने के लिए आवश्यक है।ⓘ सीमा वोल्टेज [V_t]			+10% -10%

✖एमओएसएफईटी प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस ड्रेन करंट में परिवर्तन को निरंतर ड्रेन/सोर्स वोल्टेज के साथ गेट/सोर्स वोल्टेज में छोटे परिवर्तन से विभाजित किया जाता है।ⓘ ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन [g_mp]

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सूत्र

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ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन

सूत्र

`"g"_{"mp"} = (2*"i"_{"d"})/("V"_{"ox"}-"V"_{"t"})`

उदाहरण

`"19.71831mS"=(2*"17.5mA")/("3.775V"-"2V")`

कैलकुलेटर

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ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस = (2*जल निकासी धारा)/(ऑक्साइड में वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस - (में मापा गया सीमेंस) - एमओएसएफईटी प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस ड्रेन करंट में परिवर्तन को निरंतर ड्रेन/सोर्स वोल्टेज के साथ गेट/सोर्स वोल्टेज में छोटे परिवर्तन से विभाजित किया जाता है।
जल निकासी धारा - (में मापा गया एम्पेयर) - थ्रेशोल्ड वोल्टेज के नीचे ड्रेन करंट को सबथ्रेशोल्ड करंट के रूप में परिभाषित किया गया है और यह गेट से स्रोत वोल्टेज के साथ तेजी से बदलता रहता है।
ऑक्साइड में वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - ऑक्साइड में वोल्टेज ऑक्साइड-अर्धचालक इंटरफ़ेस पर चार्ज के कारण होता है और तीसरा शब्द ऑक्साइड में चार्ज घनत्व के कारण होता है।
सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - ट्रांजिस्टर का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज स्रोत वोल्टेज का न्यूनतम गेट है जो स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच एक संचालन पथ बनाने के लिए आवश्यक है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

जल निकासी धारा: 17.5 मिलीएम्पियर --> 0.0175 एम्पेयर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
ऑक्साइड में वोल्टेज: 3.775 वोल्ट --> 3.775 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सीमा वोल्टेज: 2 वोल्ट --> 2 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t) --> (2*0.0175)/(3.775-2)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

g_mp = 0.0197183098591549

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.0197183098591549 सीमेंस -->19.7183098591549 मिलिसिएमेंस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

19.7183098591549 ≈ 19.71831 मिलिसिएमेंस <-- MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित प्रहलाद सिंह

जयपुर इंजीनियरिंग कॉलेज एंड रिसर्च सेंटर (जेईसीआरसी), जयपुर

प्रहलाद सिंह ने इस कैलकुलेटर और 10+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 18 ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर विशेषताएँ कैलक्युलेटर्स

ट्रांजिस्टर में प्रेरित चैनल के माध्यम से बहने वाली धारा को ऑक्साइड वोल्टेज दिया जाता है

जाओ आउटपुट करेंट = (इलेक्ट्रॉन की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(ऑक्साइड में वोल्टेज-सीमा वोल्टेज))*नाली और स्रोत के बीच संतृप्ति वोल्टेज

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस का समग्र प्रभावी वोल्टेज

जाओ प्रभावी वोल्टेज = sqrt(2*संतृप्ति नाली धारा/(प्रक्रिया ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)))

संतृप्ति पर MOSFET के वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल

जाओ संतृप्ति नाली धारा = 1/2*प्रक्रिया ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(प्रभावी वोल्टेज)^2

एमओएस ट्रांजिस्टर का ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर

जाओ ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर = जल निकासी धारा/((ऑक्साइड में वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज)

ड्रेन और स्रोत के बीच वोल्टेज का उपयोग करते हुए तात्कालिक ड्रेन करंट

जाओ जल निकासी धारा = ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर*(ऑक्साइड में वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज

इनपुट वोल्टेज दिया गया सिग्नल वोल्टेज

जाओ मौलिक घटक वोल्टेज = (परिमित इनपुट प्रतिरोध/(परिमित इनपुट प्रतिरोध+सिग्नल प्रतिरोध))*छोटा सिग्नल वोल्टेज

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन

जाओ MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस = (2*जल निकासी धारा)/(ऑक्साइड में वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

ट्रांजिस्टर का ड्रेन करंट

जाओ जल निकासी धारा = (मौलिक घटक वोल्टेज+कुल तात्कालिक नाली वोल्टेज)/नाली प्रतिरोध

ट्रांजिस्टर में इनपुट वोल्टेज

जाओ मौलिक घटक वोल्टेज = नाली प्रतिरोध*जल निकासी धारा-कुल तात्कालिक नाली वोल्टेज

कुल तात्कालिक नाली वोल्टेज

जाओ कुल तात्कालिक नाली वोल्टेज = मौलिक घटक वोल्टेज-नाली प्रतिरोध*जल निकासी धारा

कॉमन गेट सर्किट का आउटपुट रेजिस्टेंस दिया गया टेस्ट-वोल्टेज

जाओ परिमित आउटपुट प्रतिरोध = परीक्षण वोल्टेज/वर्तमान का परीक्षण करें

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर के कलेक्टर करंट का उपयोग करके ट्रांसकंडक्टेंस

जाओ MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस = कलेक्टर वर्तमान/सीमा वोल्टेज

एमिटर में सिग्नल करंट दिया गया इनपुट सिग्नल

जाओ एमिटर में सिग्नल करंट = मौलिक घटक वोल्टेज/उत्सर्जक प्रतिरोध

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर का परीक्षण करेंट

जाओ वर्तमान का परीक्षण करें = परीक्षण वोल्टेज/इनपुट प्रतिरोध

कॉमन-गेट सर्किट का इनपुट प्रतिरोध

जाओ इनपुट प्रतिरोध = परीक्षण वोल्टेज/वर्तमान का परीक्षण करें

आम-कलेक्टर एम्पलीफायर का इनपुट प्रतिरोध

जाओ इनपुट प्रतिरोध = मौलिक घटक वोल्टेज/आधार धारा

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर का एम्पलीफायर इनपुट

जाओ एम्पलीफायर इनपुट = इनपुट प्रतिरोध*आगत बहाव

एम्पलीफायर का डीसी करंट गेन

जाओ डीसी करंट गेन = कलेक्टर वर्तमान/आधार धारा

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन सूत्र

MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस = (2*जल निकासी धारा)/(ऑक्साइड में वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)

MOSFET में ट्रांसकनेक्टिविटी का उपयोग क्या है?

ट्रांसकनेक्टैशन एक द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर या क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (एफईटी) के प्रदर्शन की अभिव्यक्ति है। सामान्य तौर पर, एक उपकरण के लिए ट्रांसकांसेनेंस का आंकड़ा जितना बड़ा होता है, उतना ही अधिक लाभ (प्रवर्धन) वह प्रदान करने में सक्षम होता है, जब अन्य सभी कारक स्थिर होते हैं।

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन की गणना कैसे करें?

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया जल निकासी धारा (i_d), थ्रेशोल्ड वोल्टेज के नीचे ड्रेन करंट को सबथ्रेशोल्ड करंट के रूप में परिभाषित किया गया है और यह गेट से स्रोत वोल्टेज के साथ तेजी से बदलता रहता है। के रूप में, ऑक्साइड में वोल्टेज (V_ox), ऑक्साइड में वोल्टेज ऑक्साइड-अर्धचालक इंटरफ़ेस पर चार्ज के कारण होता है और तीसरा शब्द ऑक्साइड में चार्ज घनत्व के कारण होता है। के रूप में & सीमा वोल्टेज (V_t), ट्रांजिस्टर का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज स्रोत वोल्टेज का न्यूनतम गेट है जो स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच एक संचालन पथ बनाने के लिए आवश्यक है। के रूप में डालें। कृपया ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन गणना

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन कैलकुलेटर, MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस की गणना करने के लिए MOSFET Primary Transconductance = (2*जल निकासी धारा)/(ऑक्साइड में वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) का उपयोग करता है। ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन g_mp को ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्टेंस फॉर्मूला आउटपुट करंट में परिवर्तन और इनपुट वोल्टेज में परिवर्तन के बीच संबंध को परिभाषित करता है। यह मात्रा निर्धारित करता है कि ट्रांजिस्टर आउटपुट करंट में संबंधित परिवर्तन उत्पन्न करके इनपुट वोल्टेज में भिन्नता को कितने प्रभावी ढंग से बढ़ा सकता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 19718.31 = (2*0.0175)/(3.775-2). आप और अधिक ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन क्या है?

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्टेंस फॉर्मूला आउटपुट करंट में परिवर्तन और इनपुट वोल्टेज में परिवर्तन के बीच संबंध को परिभाषित करता है। यह मात्रा निर्धारित करता है कि ट्रांजिस्टर आउटपुट करंट में संबंधित परिवर्तन उत्पन्न करके इनपुट वोल्टेज में भिन्नता को कितने प्रभावी ढंग से बढ़ा सकता है। है और इसे g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t) या MOSFET Primary Transconductance = (2*जल निकासी धारा)/(ऑक्साइड में वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) के रूप में दर्शाया जाता है।

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन की गणना कैसे करें?

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन को ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्टेंस फॉर्मूला आउटपुट करंट में परिवर्तन और इनपुट वोल्टेज में परिवर्तन के बीच संबंध को परिभाषित करता है। यह मात्रा निर्धारित करता है कि ट्रांजिस्टर आउटपुट करंट में संबंधित परिवर्तन उत्पन्न करके इनपुट वोल्टेज में भिन्नता को कितने प्रभावी ढंग से बढ़ा सकता है। MOSFET Primary Transconductance = (2*जल निकासी धारा)/(ऑक्साइड में वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t) के रूप में परिभाषित किया गया है। ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन की गणना करने के लिए, आपको जल निकासी धारा (i_d), ऑक्साइड में वोल्टेज (V_ox) & सीमा वोल्टेज (V_t) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको थ्रेशोल्ड वोल्टेज के नीचे ड्रेन करंट को सबथ्रेशोल्ड करंट के रूप में परिभाषित किया गया है और यह गेट से स्रोत वोल्टेज के साथ तेजी से बदलता रहता है।, ऑक्साइड में वोल्टेज ऑक्साइड-अर्धचालक इंटरफ़ेस पर चार्ज के कारण होता है और तीसरा शब्द ऑक्साइड में चार्ज घनत्व के कारण होता है। & ट्रांजिस्टर का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज स्रोत वोल्टेज का न्यूनतम गेट है जो स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच एक संचालन पथ बनाने के लिए आवश्यक है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस की गणना करने के कितने तरीके हैं?

MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस जल निकासी धारा (i_d), ऑक्साइड में वोल्टेज (V_ox) & सीमा वोल्टेज (V_t) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस = कलेक्टर वर्तमान/सीमा वोल्टेज

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