Transconductantie van transistorversterkers Rekenmachine

✖Afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met de poort-bronspanning.ⓘ Afvoerstroom [i_d]			+10% -10%
✖De spanning over het oxide is te wijten aan de lading op het oxide-halfgeleidergrensvlak en de derde term is te wijten aan de ladingsdichtheid in het oxide.ⓘ Spanning over oxide [V_ox]			+10% -10%
✖De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.ⓘ Drempelspanning [V_t]			+10% -10%

✖MOSFET Primaire Transconductantie is de verandering in de drainstroom gedeeld door de kleine verandering in de gate/source-spanning bij een constante drain/source-spanning.ⓘ Transconductantie van transistorversterkers [g_mp]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Transconductantie van transistorversterkers

Formule

`"g"_{"mp"} = (2*"i"_{"d"})/("V"_{"ox"}-"V"_{"t"})`

Voorbeeld

`"19.71831mS"=(2*"17.5mA")/("3.775V"-"2V")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Karakteristieken van de transistorversterker Formules Pdf PDF Image

Transconductantie van transistorversterkers Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

MOSFET primaire transconductantie = (2*Afvoerstroom)/(Spanning over oxide-Drempelspanning)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

MOSFET primaire transconductantie - (Gemeten in Siemens) - MOSFET Primaire Transconductantie is de verandering in de drainstroom gedeeld door de kleine verandering in de gate/source-spanning bij een constante drain/source-spanning.
Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met de poort-bronspanning.
Spanning over oxide - (Gemeten in Volt) - De spanning over het oxide is te wijten aan de lading op het oxide-halfgeleidergrensvlak en de derde term is te wijten aan de ladingsdichtheid in het oxide.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Afvoerstroom: 17.5 milliampère --> 0.0175 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Spanning over oxide: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 2 Volt --> 2 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t) --> (2*0.0175)/(3.775-2)

Evalueren ... ...

g_mp = 0.0197183098591549

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.0197183098591549 Siemens -->19.7183098591549 Millisiemens (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

19.7183098591549 ≈ 19.71831 Millisiemens <-- MOSFET primaire transconductantie

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Versterkers » Transistorversterkers » Karakteristieken van de transistorversterker » Transconductantie van transistorversterkers

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Prahalad Singh

Jaipur Engineering College en Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 10+ rekenmachines!

< 18 Karakteristieken van de transistorversterker Rekenmachines

Stroom die door geïnduceerd kanaal in transistor vloeit, gegeven oxidespanning

Gaan Uitgangsstroom = (Mobiliteit van elektronen*Oxide capaciteit*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Spanning over oxide-Drempelspanning))*Verzadigingsspanning tussen afvoer en bron

Totale effectieve spanning van MOSFET-transconductantie

Gaan Effectieve spanning = sqrt(2*Verzadigingsafvoerstroom/(Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)))

Huidige ingangsafvoeraansluiting van MOSFET bij verzadiging

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Effectieve spanning)^2

Ingangsspanning gegeven signaalspanning

Gaan Fundamentele componentspanning = (Eindige ingangsweerstand/(Eindige ingangsweerstand+Signaal weerstand))*Kleine signaalspanning

Transconductantieparameter van MOS-transistor

Gaan Transconductantieparameter = Afvoerstroom/((Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron)

Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter*(Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron

Afvoerstroom van transistor

Gaan Afvoerstroom = (Fundamentele componentspanning+Totale momentane afvoerspanning)/Afvoerweerstand

Totale momentane afvoerspanning

Gaan Totale momentane afvoerspanning = Fundamentele componentspanning-Afvoerweerstand*Afvoerstroom

Ingangsspanning in transistor

Gaan Fundamentele componentspanning = Afvoerweerstand*Afvoerstroom-Totale momentane afvoerspanning

Transconductantie van transistorversterkers

Gaan MOSFET primaire transconductantie = (2*Afvoerstroom)/(Spanning over oxide-Drempelspanning)

Signaalstroom in emitter gegeven ingangssignaal

Gaan Signaalstroom in zender = Fundamentele componentspanning/Zenderweerstand

Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker

Gaan MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning

Ingangsweerstand van Common-Collector-versterker

Gaan Ingangsweerstand = Fundamentele componentspanning/Basisstroom

Uitgangsweerstand van Common Gate Circuit gegeven testspanning

Gaan Eindige uitgangsweerstand = Testspanning/Teststroom

DC-stroomversterking van versterker

Gaan DC-stroomversterking = Collectorstroom/Basisstroom

Versterkeringang van transistorversterker

Gaan Versterker ingang = Ingangsweerstand*Invoerstroom

Ingangsweerstand van Common-Gate Circuit

Gaan Ingangsweerstand = Testspanning/Teststroom

Teststroom van transistorversterker

Gaan Teststroom = Testspanning/Ingangsweerstand

Transconductantie van transistorversterkers Formule

MOSFET primaire transconductantie = (2*Afvoerstroom)/(Spanning over oxide-Drempelspanning)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)

Wat is het gebruik van transconductantie in MOSFET?

Transconductantie is een uitdrukking van de prestaties van een bipolaire transistor of veldeffecttransistor (FET). In het algemeen geldt dat hoe groter het transconductantiecijfer voor een apparaat is, hoe groter de versterking (versterking) die het kan leveren, wanneer alle andere factoren constant worden gehouden.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!