ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज कैलकुलेटर

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज को ओवरड्राइव वोल्टेज फॉर्मूला दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर गेट से एमओएसएफईटी के स्रोत के वोल्टेज को वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जो ट्रांजिस्टर के गेट-सोर्स टर्मिनल पर पड़ता है, इसका मतलब है कि अपने टर्मिनलों को एक सर्किट से जोड़कर, वे आम तौर पर करंट का संचालन करेंगे। आधार को प्रदान किए गए किसी भी वोल्टेज के बिना स्रोत से नाली। Gate-Source Voltage = सीमा वोल्टेज+1.4*प्रभावी वोल्टेज V_gs = V_th+1.4*V_eff के रूप में परिभाषित किया गया है। ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज की गणना करने के लिए, आपको सीमा वोल्टेज (V_th) & प्रभावी वोल्टेज (V_eff) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। & MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

गेट-स्रोत वोल्टेज सीमा वोल्टेज (V_th) & प्रभावी वोल्टेज (V_eff) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 2 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

• गेट-स्रोत वोल्टेज = सीमा वोल्टेज+sqrt((2*डीसी बायस करंट)/(प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात))
• गेट-स्रोत वोल्टेज = आगत बहाव/(कोणीय आवृत्ति*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस))