Tensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive Calculadora

✖A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.ⓘ Tensão de limiar [V_th]			+10% -10%
✖A tensão efetiva em um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é a tensão que determina o comportamento do dispositivo. Também é conhecida como tensão porta-fonte.ⓘ Tensão Efetiva [V_eff]			+10% -10%

✖A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.ⓘ Tensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive [V_gs]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Tensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive

Fórmula

`"V"_{"gs"} = "V"_{"th"}+1.4*"V"_{"eff"}`

Exemplo

`"4.68V"="2.3V"+1.4*"1.7V"`

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download MOSFET Fórmula PDF PDF Image

Tensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão Gate-Fonte = Tensão de limiar+1.4*Tensão Efetiva
V_gs = V_th+1.4*V_eff
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Tensão Gate-Fonte - (Medido em Volt) - A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
Tensão Efetiva - (Medido em Volt) - A tensão efetiva em um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é a tensão que determina o comportamento do dispositivo. Também é conhecida como tensão porta-fonte.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão de limiar: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão Efetiva: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_gs = V_th+1.4*V_eff --> 2.3+1.4*1.7

Avaliando ... ...

V_gs = 4.68

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

4.68 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

4.68 Volt <-- Tensão Gate-Fonte

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » MOSFET » Eletrônica Analógica » Tensão » Tensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive

Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

< 20 Tensão Calculadoras

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source

Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Tensão de saída da porta comum

Vai Voltagem de saída = -(Transcondutância*Tensão Crítica)*((Resistência de carga*Resistência do portão)/(Resistência do portão+Resistência de carga))

Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET dado sinal de modo comum

Vai Tensão de dreno Q1 = -Resistência de saída*(Transcondutância*Sinal de entrada de modo comum)/(1+(2*Transcondutância*Resistência de saída))

Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial

Vai Tensão Gate-Fonte = Tensão de limiar+sqrt((2*Corrente de polarização DC)/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela))

Tensão de entrada da fonte

Vai Tensão de entrada da fonte = Tensão de entrada*(Resistência do amplificador de entrada/(Resistência do amplificador de entrada+Resistência de Fonte Equivalente))

Tensão de entrada porta-fonte

Vai Tensão Crítica = (Resistência do amplificador de entrada/(Resistência do amplificador de entrada+Resistência de Fonte Equivalente))*Tensão de entrada

Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET dado sinal de modo comum

Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída/((1/Transcondutância)+2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum

Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada

Vai Tensão Gate-Fonte = Corrente de entrada/(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET

Vai Corrente de entrada = Tensão Gate-Fonte*(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Tensão de overdrive quando o MOSFET atua como amplificador com resistência de carga

Vai Transcondutância = Corrente Total/(Sinal de entrada de modo comum-(2*Corrente Total*Resistência de saída))

Sinal de Tensão Incremental do Amplificador Diferencial

Vai Sinal de entrada de modo comum = (Corrente Total/Transcondutância)+(2*Corrente Total*Resistência de saída)

Tensão no dreno Q1 do MOSFET

Vai Voltagem de saída = -(Resistência de Carga Total do MOSFET/(2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum

Tensão no Dreno Q2 no MOSFET

Vai Voltagem de saída = -(Resistência de Carga Total do MOSFET/(2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum

Tensão de saturação do MOSFET

Vai Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar

Tensão Overdrive

Vai Tensão de ultrapassagem = (2*Corrente de drenagem)/Transcondutância

Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET

Vai Tensão de dreno Q1 = -(Resistência de saída*Corrente Total)

Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET

Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída*Corrente Total)

Tensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive

Vai Tensão Gate-Fonte = Tensão de limiar+1.4*Tensão Efetiva

Tensão limite quando o MOSFET atua como amplificador

Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva

Tensão limite do MOSFET

Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva

Tensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive Fórmula

Tensão Gate-Fonte = Tensão de limiar+1.4*Tensão Efetiva
V_gs = V_th+1.4*V_eff

O que é tensão de entrada diferencial?

A tensão de entrada diferencial é a tensão máxima que pode ser fornecida aos pinos de entrada (entrada não inversora) e -Input (entrada inversa) sem causar danos ou degradar as características do IC.

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!