छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ कैलकुलेटर

✖ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ transconductance [g_m]			+10% -10%
✖लोड प्रतिरोध MOSFET के ड्रेन टर्मिनल और बिजली आपूर्ति वोल्टेज के बीच जुड़ा बाहरी प्रतिरोध है।ⓘ भार प्रतिरोध [R_L]			+10% -10%
✖ड्रेन प्रतिरोध को ट्रांजिस्टर के ड्रेन के माध्यम से धारा के प्रवाह का विरोध करने वाले प्रतिरोध के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ नाली प्रतिरोध [R_d]			+10% -10%
✖स्व-प्रेरित प्रतिरोध आंतरिक प्रतिरोध है जो FET के स्वयं के चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉन या छेद) की उपस्थिति के कारण होता है।ⓘ स्व-प्रेरित प्रतिरोध [R_si]			+10% -10%

✖वोल्टेज लाभ एक एम्पलीफायर द्वारा विद्युत संकेत के प्रवर्धन का एक उपाय है। यह डेसिबल (डीबी) में व्यक्त सर्किट के इनपुट वोल्टेज के लिए आउटपुट वोल्टेज का अनुपात है।ⓘ छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ [A_v]

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सूत्र

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छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ

सूत्र

`"A"_{"v"} = ("g"_{"m"}*(1/((1/"R"_{"L"})+(1/"R"_{"d"}))))/(1+("g"_{"m"}*"R"_{"si"}))`

उदाहरण

`"0.000649"=("0.5mS"*(1/((1/"0.28kΩ")+(1/"11Ω"))))/(1+("0.5mS"*"14.3kΩ"))`

कैलकुलेटर

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छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

वोल्टेज बढ़ना = (transconductance*(1/((1/भार प्रतिरोध)+(1/नाली प्रतिरोध))))/(1+(transconductance*स्व-प्रेरित प्रतिरोध))
A_v = (g_m*(1/((1/R_L)+(1/R_d))))/(1+(g_m*R_si))
यह सूत्र 5 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

वोल्टेज बढ़ना - वोल्टेज लाभ एक एम्पलीफायर द्वारा विद्युत संकेत के प्रवर्धन का एक उपाय है। यह डेसिबल (डीबी) में व्यक्त सर्किट के इनपुट वोल्टेज के लिए आउटपुट वोल्टेज का अनुपात है।
transconductance - (में मापा गया सीमेंस) - ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।
भार प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - लोड प्रतिरोध MOSFET के ड्रेन टर्मिनल और बिजली आपूर्ति वोल्टेज के बीच जुड़ा बाहरी प्रतिरोध है।
नाली प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - ड्रेन प्रतिरोध को ट्रांजिस्टर के ड्रेन के माध्यम से धारा के प्रवाह का विरोध करने वाले प्रतिरोध के रूप में परिभाषित किया गया है।
स्व-प्रेरित प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - स्व-प्रेरित प्रतिरोध आंतरिक प्रतिरोध है जो FET के स्वयं के चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉन या छेद) की उपस्थिति के कारण होता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

transconductance: 0.5 मिलिसिएमेंस --> 0.0005 सीमेंस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
भार प्रतिरोध: 0.28 किलोहम --> 280 ओम (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
नाली प्रतिरोध: 11 ओम --> 11 ओम कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
स्व-प्रेरित प्रतिरोध: 14.3 किलोहम --> 14300 ओम (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

A_v = (g_m*(1/((1/R_L)+(1/R_d))))/(1+(g_m*R_si)) --> (0.0005*(1/((1/280)+(1/11))))/(1+(0.0005*14300))

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

A_v = 0.000649336959500769

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.000649336959500769 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

0.000649336959500769 ≈ 0.000649 <-- वोल्टेज बढ़ना

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई ऋत्विक त्रिपाठी

वेल्लोर इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी (वीआईटी वेल्लोर), वेल्लोर

ऋत्विक त्रिपाठी ने इस कैलकुलेटर और 10+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित परमिंदर सिंह

चंडीगढ़ विश्वविद्यालय (घन), पंजाब

परमिंदर सिंह ने इस कैलकुलेटर और 500+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 15 लघु संकेत विश्लेषण कैलक्युलेटर्स

इनपुट प्रतिरोध के संबंध में छोटा सिग्नल वोल्टेज लाभ

जाओ वोल्टेज बढ़ना = (इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध/(इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध+स्व-प्रेरित प्रतिरोध))*((स्रोत प्रतिरोध*आउटपुट प्रतिरोध)/(स्रोत प्रतिरोध+आउटपुट प्रतिरोध))/(1/transconductance+((स्रोत प्रतिरोध*आउटपुट प्रतिरोध)/(स्रोत प्रतिरोध+आउटपुट प्रतिरोध)))

छोटे सिग्नल प्रतिरोध के संबंध में गेट टू सोर्स वोल्टेज

जाओ गंभीर वोल्टेज = इनपुट वोल्टेज*((1/transconductance)/((1/transconductance)*((स्रोत प्रतिरोध*छोटा सिग्नल प्रतिरोध)/(स्रोत प्रतिरोध+छोटा सिग्नल प्रतिरोध))))

छोटे सिग्नल में सामान्य ड्रेन आउटपुट वोल्टेज

जाओ आउटपुट वोल्टेज = transconductance*गंभीर वोल्टेज*((स्रोत प्रतिरोध*छोटा सिग्नल प्रतिरोध)/(स्रोत प्रतिरोध+छोटा सिग्नल प्रतिरोध))

छोटे सिग्नल पी-चैनल का आउटपुट वोल्टेज

जाओ आउटपुट वोल्टेज = transconductance*गेट वोल्टेज का स्रोत*((आउटपुट प्रतिरोध*नाली प्रतिरोध)/(नाली प्रतिरोध+आउटपुट प्रतिरोध))

छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ

जाओ वोल्टेज बढ़ना = (transconductance*(1/((1/भार प्रतिरोध)+(1/नाली प्रतिरोध))))/(1+(transconductance*स्व-प्रेरित प्रतिरोध))

नाली प्रतिरोध के संबंध में लघु-सिग्नल वोल्टेज लाभ

जाओ वोल्टेज बढ़ना = (transconductance*((आउटपुट प्रतिरोध*नाली प्रतिरोध)/(आउटपुट प्रतिरोध+नाली प्रतिरोध)))

छोटे सिग्नल का आउटपुट करंट

जाओ आउटपुट करेंट = (transconductance*गंभीर वोल्टेज)*(नाली प्रतिरोध/(भार प्रतिरोध+नाली प्रतिरोध))

छोटे सिग्नल का इनपुट करंट

जाओ छोटे सिग्नल का इनपुट करंट = (गंभीर वोल्टेज*((1+transconductance*स्व-प्रेरित प्रतिरोध)/स्व-प्रेरित प्रतिरोध))

लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक

जाओ प्रवर्धन कारक = 1/इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*sqrt((2*प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर)/जल निकासी धारा)

ट्रांसकंडक्टेंस छोटे सिग्नल पैरामीटर दिए गए

जाओ transconductance = 2*ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर*(गेट टू सोर्स वोल्टेज का डीसी घटक-कुल वोल्टेज)

छोटे सिग्नल में गेट टू सोर्स वोल्टेज

जाओ गंभीर वोल्टेज = इनपुट वोल्टेज/(1+स्व-प्रेरित प्रतिरोध*transconductance)

छोटे सिग्नल का उपयोग करके वोल्टेज लाभ

जाओ वोल्टेज बढ़ना = transconductance*1/(1/भार प्रतिरोध+1/परिमित प्रतिरोध)

छोटा सिग्नल आउटपुट वोल्टेज

जाओ आउटपुट वोल्टेज = transconductance*गेट वोल्टेज का स्रोत*भार प्रतिरोध

MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट

जाओ जल निकासी धारा = 1/(इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*आउटपुट प्रतिरोध)

लघु सिग्नल MOSFET मॉडल में प्रवर्धन कारक

जाओ प्रवर्धन कारक = transconductance*आउटपुट प्रतिरोध

छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ सूत्र

छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ की गणना कैसे करें?

छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया transconductance (g_m), ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में, भार प्रतिरोध (R_L), लोड प्रतिरोध MOSFET के ड्रेन टर्मिनल और बिजली आपूर्ति वोल्टेज के बीच जुड़ा बाहरी प्रतिरोध है। के रूप में, नाली प्रतिरोध (R_d), ड्रेन प्रतिरोध को ट्रांजिस्टर के ड्रेन के माध्यम से धारा के प्रवाह का विरोध करने वाले प्रतिरोध के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में & स्व-प्रेरित प्रतिरोध (R_si), स्व-प्रेरित प्रतिरोध आंतरिक प्रतिरोध है जो FET के स्वयं के चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉन या छेद) की उपस्थिति के कारण होता है। के रूप में डालें। कृपया छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ गणना

छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ कैलकुलेटर, वोल्टेज बढ़ना की गणना करने के लिए Voltage Gain = (transconductance*(1/((1/भार प्रतिरोध)+(1/नाली प्रतिरोध))))/(1+(transconductance*स्व-प्रेरित प्रतिरोध)) का उपयोग करता है। छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ A_v को छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ एक छोटे इनपुट सिग्नल लागू होने पर सर्किट में वोल्टेज के प्रवर्धन को संदर्भित करता है। इसका उपयोग आमतौर पर एम्पलीफायरों की संवेदनशीलता को मापने के लिए किया जाता है और इसे आमतौर पर अनुपात या डेसीबल में व्यक्त किया जाता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 0.005255 = (0.0005*(1/((1/280)+(1/11))))/(1+(0.0005*14.3)). आप और अधिक छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ क्या है?

छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ एक छोटे इनपुट सिग्नल लागू होने पर सर्किट में वोल्टेज के प्रवर्धन को संदर्भित करता है। इसका उपयोग आमतौर पर एम्पलीफायरों की संवेदनशीलता को मापने के लिए किया जाता है और इसे आमतौर पर अनुपात या डेसीबल में व्यक्त किया जाता है। है और इसे A_v = (g_m*(1/((1/R_L)+(1/R_d))))/(1+(g_m*R_si)) या Voltage Gain = (transconductance*(1/((1/भार प्रतिरोध)+(1/नाली प्रतिरोध))))/(1+(transconductance*स्व-प्रेरित प्रतिरोध)) के रूप में दर्शाया जाता है।

छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ की गणना कैसे करें?

छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ को छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ एक छोटे इनपुट सिग्नल लागू होने पर सर्किट में वोल्टेज के प्रवर्धन को संदर्भित करता है। इसका उपयोग आमतौर पर एम्पलीफायरों की संवेदनशीलता को मापने के लिए किया जाता है और इसे आमतौर पर अनुपात या डेसीबल में व्यक्त किया जाता है। Voltage Gain = (transconductance*(1/((1/भार प्रतिरोध)+(1/नाली प्रतिरोध))))/(1+(transconductance*स्व-प्रेरित प्रतिरोध)) A_v = (g_m*(1/((1/R_L)+(1/R_d))))/(1+(g_m*R_si)) के रूप में परिभाषित किया गया है। छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ की गणना करने के लिए, आपको transconductance (g_m), भार प्रतिरोध (R_L), नाली प्रतिरोध (R_d) & स्व-प्रेरित प्रतिरोध (R_si) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।, लोड प्रतिरोध MOSFET के ड्रेन टर्मिनल और बिजली आपूर्ति वोल्टेज के बीच जुड़ा बाहरी प्रतिरोध है।, ड्रेन प्रतिरोध को ट्रांजिस्टर के ड्रेन के माध्यम से धारा के प्रवाह का विरोध करने वाले प्रतिरोध के रूप में परिभाषित किया गया है। & स्व-प्रेरित प्रतिरोध आंतरिक प्रतिरोध है जो FET के स्वयं के चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉन या छेद) की उपस्थिति के कारण होता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

वोल्टेज बढ़ना की गणना करने के कितने तरीके हैं?

वोल्टेज बढ़ना transconductance (g_m), भार प्रतिरोध (R_L), नाली प्रतिरोध (R_d) & स्व-प्रेरित प्रतिरोध (R_si) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 3 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

वोल्टेज बढ़ना = (transconductance*((आउटपुट प्रतिरोध*नाली प्रतिरोध)/(आउटपुट प्रतिरोध+नाली प्रतिरोध)))
वोल्टेज बढ़ना = (इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध/(इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध+स्व-प्रेरित प्रतिरोध))*((स्रोत प्रतिरोध*आउटपुट प्रतिरोध)/(स्रोत प्रतिरोध+आउटपुट प्रतिरोध))/(1/transconductance+((स्रोत प्रतिरोध*आउटपुट प्रतिरोध)/(स्रोत प्रतिरोध+आउटपुट प्रतिरोध)))
वोल्टेज बढ़ना = transconductance*1/(1/भार प्रतिरोध+1/परिमित प्रतिरोध)

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