Wzmocnienie napięcia dla małych sygnałów Kalkulator

✖Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.ⓘ Transkonduktancja [g_m]			+10% -10%
✖Rezystancja obciążenia to rezystancja zewnętrzna połączona pomiędzy zaciskiem drenu MOSFET a napięciem zasilania.ⓘ Odporność na obciążenie [R_L]			+10% -10%
✖Rezystancja drenu jest definiowana jako rezystancja przeciwstawiająca się przepływowi prądu przez dren tranzystora.ⓘ Odporność na drenaż [R_d]			+10% -10%
✖Opór samoindukowany to opór wewnętrzny powstający w wyniku obecności własnych nośników ładunku FET (elektronów lub dziur).ⓘ Samoindukowany opór [R_si]			+10% -10%

✖Wzmocnienie napięcia jest miarą wzmocnienia sygnału elektrycznego przez wzmacniacz. Jest to stosunek napięcia wyjściowego do napięcia wejściowego obwodu, wyrażony w decybelach (dB).ⓘ Wzmocnienie napięcia dla małych sygnałów [A_v]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Wzmocnienie napięcia dla małych sygnałów

Formuła

`"A"_{"v"} = ("g"_{"m"}*(1/((1/"R"_{"L"})+(1/"R"_{"d"}))))/(1+("g"_{"m"}*"R"_{"si"}))`

Przykład

`"0.000649"=("0.5mS"*(1/((1/"0.28kΩ")+(1/"11Ω"))))/(1+("0.5mS"*"14.3kΩ"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Wzmocnienie napięcia dla małych sygnałów Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Wzmocnienie napięcia = (Transkonduktancja*(1/((1/Odporność na obciążenie)+(1/Odporność na drenaż))))/(1+(Transkonduktancja*Samoindukowany opór))
A_v = (g_m*(1/((1/R_L)+(1/R_d))))/(1+(g_m*R_si))
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Wzmocnienie napięcia - Wzmocnienie napięcia jest miarą wzmocnienia sygnału elektrycznego przez wzmacniacz. Jest to stosunek napięcia wyjściowego do napięcia wejściowego obwodu, wyrażony w decybelach (dB).
Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
Odporność na obciążenie - (Mierzone w Om) - Rezystancja obciążenia to rezystancja zewnętrzna połączona pomiędzy zaciskiem drenu MOSFET a napięciem zasilania.
Odporność na drenaż - (Mierzone w Om) - Rezystancja drenu jest definiowana jako rezystancja przeciwstawiająca się przepływowi prądu przez dren tranzystora.
Samoindukowany opór - (Mierzone w Om) - Opór samoindukowany to opór wewnętrzny powstający w wyniku obecności własnych nośników ładunku FET (elektronów lub dziur).

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Transkonduktancja: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Odporność na obciążenie: 0.28 Kilohm --> 280 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Odporność na drenaż: 11 Om --> 11 Om Nie jest wymagana konwersja
Samoindukowany opór: 14.3 Kilohm --> 14300 Om (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

A_v = (g_m*(1/((1/R_L)+(1/R_d))))/(1+(g_m*R_si)) --> (0.0005*(1/((1/280)+(1/11))))/(1+(0.0005*14300))

Ocenianie ... ...

A_v = 0.000649336959500769

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.000649336959500769 --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.000649336959500769 ≈ 0.000649 <-- Wzmocnienie napięcia

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Analiza małych sygnałów » Wzmocnienie napięcia dla małych sygnałów

Kredyty

Stworzone przez Ritwik Tripathi

Vellore Instytut Technologiczny (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< 15 Analiza małych sygnałów Kalkulatory

Wzmocnienie napięcia małego sygnału w odniesieniu do rezystancji wejściowej

Iść Wzmocnienie napięcia = (Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Samoindukowany opór))*((Opór źródła*Rezystancja wyjściowa)/(Opór źródła+Rezystancja wyjściowa))/(1/Transkonduktancja+((Opór źródła*Rezystancja wyjściowa)/(Opór źródła+Rezystancja wyjściowa)))

Napięcie od bramki do źródła w odniesieniu do rezystancji małego sygnału

Iść Napięcie krytyczne = Napięcie wejściowe*((1/Transkonduktancja)/((1/Transkonduktancja)*((Opór źródła*Mały opór sygnału)/(Opór źródła+Mały opór sygnału))))

Napięcie wyjściowe kanału P małego sygnału

Iść Napięcie wyjściowe = Transkonduktancja*Źródło-napięcie bramki*((Rezystancja wyjściowa*Odporność na drenaż)/(Odporność na drenaż+Rezystancja wyjściowa))

Napięcie wyjściowe wspólnego drenu w małym sygnale

Iść Napięcie wyjściowe = Transkonduktancja*Napięcie krytyczne*((Opór źródła*Mały opór sygnału)/(Opór źródła+Mały opór sygnału))

Wzmocnienie napięcia dla małych sygnałów

Iść Wzmocnienie napięcia = (Transkonduktancja*(1/((1/Odporność na obciążenie)+(1/Odporność na drenaż))))/(1+(Transkonduktancja*Samoindukowany opór))

Wzmocnienie napięcia małosygnałowego w odniesieniu do rezystancji drenu

Iść Wzmocnienie napięcia = (Transkonduktancja*((Rezystancja wyjściowa*Odporność na drenaż)/(Rezystancja wyjściowa+Odporność na drenaż)))

Prąd wyjściowy małego sygnału

Iść Prąd wyjściowy = (Transkonduktancja*Napięcie krytyczne)*(Odporność na drenaż/(Odporność na obciążenie+Odporność na drenaż))

Współczynnik wzmocnienia dla modelu MOSFET małego sygnału

Iść Współczynnik wzmocnienia = 1/Średnia droga swobodna elektronu*sqrt((2*Parametr transkonduktancji procesu)/Prąd spustowy)

Prąd wejściowy małego sygnału

Iść Prąd wejściowy małego sygnału = (Napięcie krytyczne*((1+Transkonduktancja*Samoindukowany opór)/Samoindukowany opór))

Transkonduktancja przy danych parametrach małego sygnału

Iść Transkonduktancja = 2*Parametr transkonduktancji*(Składowa DC napięcia bramki-źródła-Całkowite napięcie)

Wzmocnienie napięcia za pomocą małego sygnału

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*1/(1/Odporność na obciążenie+1/Skończony opór)

Napięcie wyjściowe małego sygnału

Iść Napięcie wyjściowe = Transkonduktancja*Źródło-napięcie bramki*Odporność na obciążenie

Napięcie od bramki do źródła w małym sygnale

Iść Napięcie krytyczne = Napięcie wejściowe/(1+Samoindukowany opór*Transkonduktancja)

Prąd spustowy małego sygnału MOSFET

Iść Prąd spustowy = 1/(Średnia droga swobodna elektronu*Rezystancja wyjściowa)

Współczynnik wzmocnienia w modelu małego sygnału MOSFET

Iść Współczynnik wzmocnienia = Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa

Wzmocnienie napięcia dla małych sygnałów Formułę

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!