Fattore di moltiplicazione delle valanghe calcolatrice

✖La tensione applicata si riferisce alla tensione esterna applicata intenzionalmente a un circuito o a un dispositivo.ⓘ Tensione applicata [V_a]			+10% -10%
✖La tensione di rottura della valanga è la tensione specifica alla quale si verifica questo processo di valanga.ⓘ Tensione di rottura di valanga [V_b]			+10% -10%
✖Il fattore numerico di doping è un fenomeno in cui i portatori ad alta energia (elettroni o lacune) ottengono abbastanza energia dal campo elettrico applicato.ⓘ Fattore numerico del doping [n]			+10% -10%

✖Il fattore di moltiplicazione della valanga rappresenta il rapporto tra il numero totale di portatori di carica creati dalla ionizzazione per impatto e il numero originale di portatori di carica che hanno avviato il processo di valanga.ⓘ Fattore di moltiplicazione delle valanghe [M]

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Formula

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Fattore di moltiplicazione delle valanghe

Formula

`"M" = 1/(1-("V"_{"a"}/"V"_{"b"})^"n")`

Esempio

`"1.074452"=1/(1-("20.4V"/"22.8V")^"24")`

Calcolatrice

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Fattore di moltiplicazione delle valanghe Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Fattore di moltiplicazione delle valanghe = 1/(1-(Tensione applicata/Tensione di rottura di valanga)^Fattore numerico del doping)
M = 1/(1-(V_a/V_b)^n)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Fattore di moltiplicazione delle valanghe - Il fattore di moltiplicazione della valanga rappresenta il rapporto tra il numero totale di portatori di carica creati dalla ionizzazione per impatto e il numero originale di portatori di carica che hanno avviato il processo di valanga.
Tensione applicata - (Misurato in Volt) - La tensione applicata si riferisce alla tensione esterna applicata intenzionalmente a un circuito o a un dispositivo.
Tensione di rottura di valanga - (Misurato in Volt) - La tensione di rottura della valanga è la tensione specifica alla quale si verifica questo processo di valanga.
Fattore numerico del doping - Il fattore numerico di doping è un fenomeno in cui i portatori ad alta energia (elettroni o lacune) ottengono abbastanza energia dal campo elettrico applicato.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione applicata: 20.4 Volt --> 20.4 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione di rottura di valanga: 22.8 Volt --> 22.8 Volt Nessuna conversione richiesta
Fattore numerico del doping: 24 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

M = 1/(1-(V_a/V_b)^n) --> 1/(1-(20.4/22.8)^24)

Valutare ... ...

M = 1.07445169426442

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.07445169426442 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.07445169426442 ≈ 1.074452 <-- Fattore di moltiplicazione delle valanghe

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta

Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 15 Dispositivi a microonde BJT Calcolatrici

Frequenza massima delle oscillazioni

Partire Frequenza massima delle oscillazioni = sqrt(Frequenza di guadagno di cortocircuito dell'emettitore comune/(8*pi*Resistenza di base*Capacità base del collettore))

Tempo di ricarica della base dell'emettitore

Partire Tempo di ricarica dell'emettitore = Tempo di ritardo del collettore dell'emettitore-(Tempo di ritardo del collettore di base+Tempo di ricarica del collettore+Tempo di transito base)

Tempo di ritardo del collettore di base

Partire Tempo di ritardo del collettore di base = Tempo di ritardo del collettore dell'emettitore-(Tempo di ricarica del collettore+Tempo di transito base+Tempo di ricarica dell'emettitore)

Tempo di ricarica del collettore

Partire Tempo di ricarica del collettore = Tempo di ritardo del collettore dell'emettitore-(Tempo di ritardo del collettore di base+Tempo di transito base+Tempo di ricarica dell'emettitore)

Tempo di transito di base

Partire Tempo di transito base = Tempo di ritardo del collettore dell'emettitore-(Tempo di ritardo del collettore di base+Tempo di ricarica del collettore+Tempo di ricarica dell'emettitore)

Tempo di ritardo dall'emettitore al collettore

Partire Tempo di ritardo del collettore dell'emettitore = Tempo di ritardo del collettore di base+Tempo di ricarica del collettore+Tempo di transito base+Tempo di ricarica dell'emettitore

Capacità di base del collettore

Partire Capacità base del collettore = Frequenza di taglio in BJT/(8*pi*Frequenza massima delle oscillazioni^2*Resistenza di base)

Resistenza di base

Partire Resistenza di base = Frequenza di taglio in BJT/(8*pi*Frequenza massima delle oscillazioni^2*Capacità base del collettore)

Fattore di moltiplicazione delle valanghe

Partire Fattore di moltiplicazione delle valanghe = 1/(1-(Tensione applicata/Tensione di rottura di valanga)^Fattore numerico del doping)

Saturation Drift Velocity

Partire Velocità di deriva saturata in BJT = Distanza dall'emettitore al collettore/Tempo medio per attraversare l'emettitore fino al collettore

Distanza dall'emettitore al collettore

Partire Distanza dall'emettitore al collettore = Tensione massima applicata in BJT/Campo elettrico massimo nel BJT

Tempo di ricarica totale

Partire Tempo di ricarica totale = Tempo di ricarica dell'emettitore+Tempo di ricarica del collettore

Tempo di transito totale

Partire Tempo di transito totale = Tempo di transito base+Regione di esaurimento dei collezionisti

Frequenza di taglio del microonde

Partire Frequenza di taglio in BJT = 1/(2*pi*Tempo di ritardo del collettore dell'emettitore)

Corrente nel foro dell'emettitore

Partire Corrente nel foro dell'emettitore = Corrente di base+Corrente del collettore

Fattore di moltiplicazione delle valanghe Formula

Fattore di moltiplicazione delle valanghe = 1/(1-(Tensione applicata/Tensione di rottura di valanga)^Fattore numerico del doping)
M = 1/(1-(V_a/V_b)^n)

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