Lawinenmultiplikationsfaktor Taschenrechner

✖Angelegte Spannung bezieht sich auf die externe Spannung, die absichtlich an einen Stromkreis oder ein Gerät angelegt wird.ⓘ Angelegte Spannung [V_a]			+10% -10%
✖Die Lawinendurchbruchspannung ist die spezifische Spannung, bei der dieser Lawinenprozess auftritt.ⓘ Lawinendurchbruchspannung [V_b]			+10% -10%
✖Der numerische Dotierungsfaktor ist ein Phänomen, bei dem hochenergetische Träger (Elektronen oder Löcher) ausreichend Energie aus dem angelegten elektrischen Feld gewinnen.ⓘ Numerischer Dopingfaktor [n]			+10% -10%

✖Der Lawinenmultiplikationsfaktor stellt das Verhältnis der Gesamtzahl der durch Stoßionisation erzeugten Ladungsträger zur ursprünglichen Zahl der Ladungsträger dar, die den Lawinenprozess initiiert haben.ⓘ Lawinenmultiplikationsfaktor [M]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Lawinenmultiplikationsfaktor

Formel

`"M" = 1/(1-("V"_{"a"}/"V"_{"b"})^"n")`

Beispiel

`"1.074452"=1/(1-("20.4V"/"22.8V")^"24")`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen BJT-Mikrowellengeräte Formeln Pdf PDF Image

Lawinenmultiplikationsfaktor Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Lawinenmultiplikationsfaktor = 1/(1-(Angelegte Spannung/Lawinendurchbruchspannung)^Numerischer Dopingfaktor)
M = 1/(1-(V_a/V_b)^n)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Lawinenmultiplikationsfaktor - Der Lawinenmultiplikationsfaktor stellt das Verhältnis der Gesamtzahl der durch Stoßionisation erzeugten Ladungsträger zur ursprünglichen Zahl der Ladungsträger dar, die den Lawinenprozess initiiert haben.
Angelegte Spannung - (Gemessen in Volt) - Angelegte Spannung bezieht sich auf die externe Spannung, die absichtlich an einen Stromkreis oder ein Gerät angelegt wird.
Lawinendurchbruchspannung - (Gemessen in Volt) - Die Lawinendurchbruchspannung ist die spezifische Spannung, bei der dieser Lawinenprozess auftritt.
Numerischer Dopingfaktor - Der numerische Dotierungsfaktor ist ein Phänomen, bei dem hochenergetische Träger (Elektronen oder Löcher) ausreichend Energie aus dem angelegten elektrischen Feld gewinnen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Angelegte Spannung: 20.4 Volt --> 20.4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Lawinendurchbruchspannung: 22.8 Volt --> 22.8 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Numerischer Dopingfaktor: 24 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

M = 1/(1-(V_a/V_b)^n) --> 1/(1-(20.4/22.8)^24)

Auswerten ... ...

M = 1.07445169426442

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.07445169426442 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.07445169426442 ≈ 1.074452 <-- Lawinenmultiplikationsfaktor

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Mikrowellentheorie » Mikrowellenhalbleiterbauelemente » BJT-Mikrowellengeräte » Lawinenmultiplikationsfaktor

Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 BJT-Mikrowellengeräte Taschenrechner

Maximale Schwingungsfrequenz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = sqrt(Gemeinsame Emitter-Kurzschlussverstärkungsfrequenz/(8*pi*Basiswiderstand*Kollektorbasiskapazität))

Base-Collector-Verzögerungszeit

Gehen Verzögerungszeit des Basiskollektors = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters)

Ladezeit der Emitterbasis

Gehen Ladezeit des Emitters = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit)

Ladezeit des Kollektors

Gehen Ladezeit des Kollektors = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters)

Basis-Transitzeit

Gehen Basislaufzeit = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Ladezeit des Emitters)

Emitter-Kollektor-Verzögerungszeit

Gehen Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors = Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters

Kollektor-Basiskapazität

Gehen Kollektorbasiskapazität = Grenzfrequenz in BJT/(8*pi*Maximale Schwingungsfrequenz^2*Basiswiderstand)

Basiswiderstand

Gehen Basiswiderstand = Grenzfrequenz in BJT/(8*pi*Maximale Schwingungsfrequenz^2*Kollektorbasiskapazität)

Sättigungsdriftgeschwindigkeit

Gehen Gesättigte Driftgeschwindigkeit in BJT = Abstand zwischen Emitter und Kollektor/Durchschnittliche Zeit für den Übergang vom Emitter zum Kollektor

Lawinenmultiplikationsfaktor

Gehen Lawinenmultiplikationsfaktor = 1/(1-(Angelegte Spannung/Lawinendurchbruchspannung)^Numerischer Dopingfaktor)

Emitter-Kollektor-Abstand

Gehen Abstand zwischen Emitter und Kollektor = Maximale angelegte Spannung in BJT/Maximales elektrisches Feld in BJT

Grenzfrequenz der Mikrowelle

Gehen Grenzfrequenz in BJT = 1/(2*pi*Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors)

Gesamtladezeit

Gehen Gesamtladezeit = Ladezeit des Emitters+Ladezeit des Kollektors

Gesamtlaufzeit

Gehen Gesamtlaufzeit = Basislaufzeit+Collector-Depletion-Region

Lochstrom des Emitters

Gehen Lochstrom des Emitters = Basisstrom+Kollektorstrom