Coefficiente di effetto corporeo calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI

Progettazione VLSI analogica

✖La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [V_t]			+10% -10%
✖La tensione di soglia dibl è definita come la tensione minima richiesta dalla giunzione della sorgente del potenziale corporeo, quando la sorgente è al potenziale corporeo.ⓘ Tensione di soglia DIBL [V_t0]			+10% -10%
✖Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.ⓘ Potenziale di superficie [Φ_s]			+10% -10%
✖La differenza di potenziale del corpo della sorgente viene calcolata quando un potenziale applicato esternamente è uguale alla somma della caduta di tensione attraverso lo strato di ossido e della caduta di tensione attraverso il semiconduttore.ⓘ Differenza di potenziale del corpo sorgente [V_sb]			+10% -10%

✖Il coefficiente di effetto corpo è l'influenza della tensione di massa nella corrente dovuta alla modifica della tensione di soglia.ⓘ Coefficiente di effetto corporeo [γ]

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Formula

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Coefficiente di effetto corporeo

Formula

`"γ" = "modulus"(("V"_{"t"}-"V"_{"t0"})/(sqrt("Φ"_{"s"}+("V"_{"sb"}))-sqrt("Φ"_{"s"})))`

Esempio

`"1.169855"="modulus"(("0.3V"-"0.59V")/(sqrt("6.86V"+("1.36V"))-sqrt("6.86V")))`

Calcolatrice

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Coefficiente di effetto corporeo Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))
γ = modulus((V_t-V_t0)/(sqrt(Φ_s+(V_sb))-sqrt(Φ_s)))
Questa formula utilizza 2 Funzioni, 5 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)
modulus - Il modulo di un numero è il resto quando quel numero viene diviso per un altro numero., modulus

Variabili utilizzate

Coefficiente di effetto corporeo - Il coefficiente di effetto corpo è l'influenza della tensione di massa nella corrente dovuta alla modifica della tensione di soglia.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
Tensione di soglia DIBL - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia dibl è definita come la tensione minima richiesta dalla giunzione della sorgente del potenziale corporeo, quando la sorgente è al potenziale corporeo.
Potenziale di superficie - (Misurato in Volt) - Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.
Differenza di potenziale del corpo sorgente - (Misurato in Volt) - La differenza di potenziale del corpo della sorgente viene calcolata quando un potenziale applicato esternamente è uguale alla somma della caduta di tensione attraverso lo strato di ossido e della caduta di tensione attraverso il semiconduttore.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Soglia di voltaggio: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione di soglia DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Nessuna conversione richiesta
Potenziale di superficie: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Nessuna conversione richiesta
Differenza di potenziale del corpo sorgente: 1.36 Volt --> 1.36 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

γ = modulus((V_t-V_t0)/(sqrt(Φ_s+(V_sb))-sqrt(Φ_s))) --> modulus((0.3-0.59)/(sqrt(6.86+(1.36))-sqrt(6.86)))

Valutare ... ...

γ = 1.16985454290539

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.16985454290539 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.16985454290539 ≈ 1.169855 <-- Coefficiente di effetto corporeo

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 25 Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI

Partire Densità di carica della regione di esaurimento di massa = -(1-((Estensione laterale della regione di esaurimento con la sorgente+Estensione laterale della regione di esaurimento con drenaggio)/(2*Lunghezza del canale)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentrazione dell'accettore*abs(2*Potenziale di superficie))

Coefficiente di effetto corporeo

Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI

Partire Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensione incorporata di giunzione)/([Charge-e]*Concentrazione dell'accettore))

Tensione incorporata di giunzione VLSI

Partire Tensione incorporata di giunzione = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori/(Concentrazione intrinseca)^2)

Capacità parassita della sorgente totale

Partire Capacità parassita della sorgente = (Capacità tra giunzione del corpo e sorgente*Area di diffusione della sorgente)+(Capacità tra la giunzione del corpo e la parete laterale*Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente)

Corrente di saturazione del canale corto VLSI

Partire Corrente di saturazione del canale corto = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*Capacità di ossido per unità di area*Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione

Corrente di giunzione

Partire Corrente di giunzione = (Potenza statica/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente del cancello)

Potenziale di superficie

Partire Potenziale di superficie = 2*Differenza di potenziale del corpo sorgente*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca)

Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate

Partire Lunghezza del cancello = Capacità del cancello/(Capacità dello strato di ossido di gate*Larghezza del cancello)

Capacità dell'ossido di gate

Partire Capacità dello strato di ossido di gate = Capacità del cancello/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)

Coefficiente DIBL

Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Tensione di soglia quando la sorgente è al potenziale corporeo

Partire Tensione di soglia DIBL = Coefficiente DIBL*Drenare al potenziale di origine+Soglia di voltaggio

Pendenza sottosoglia

Partire Pendenza sottosoglia = Differenza di potenziale del corpo sorgente*Coefficiente DIBL*ln(10)

Soglia di voltaggio

Partire Soglia di voltaggio = Voltaggio da gate a canale-(Carica del canale/Capacità del cancello)

Capacità del gate

Partire Capacità del cancello = Carica del canale/(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Channel Charge

Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo = Capacità di ossido per unità di area*Fattore di scala

Profondità di giunzione dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Profondità della giunzione dopo il ridimensionamento completo = Profondità di giunzione/Fattore di scala

Spessore dell'ossido di gate dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Spessore dell'ossido di gate dopo la scalatura completa = Spessore dell'ossido di gate/Fattore di scala

Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo = Lunghezza del canale/Fattore di scala

Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo = Larghezza del canale/Fattore di scala

Tensione critica

Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Capacità intrinseca di gate

Partire Capacità di sovrapposizione del gate MOS = Capacità del gate MOS*Larghezza di transizione

Mobilità in Mosfet

Partire Mobilità nei MOSFET = K Primo/Capacità dello strato di ossido di gate

K-Prime

Partire K Primo = Mobilità nei MOSFET*Capacità dello strato di ossido di gate

Coefficiente di effetto corporeo Formula

In che modo il corpo, il quarto terminale di un transistor, influisce sulla tensione di soglia?

Il corpo è un quarto terminale implicito di un transistor. Quando viene applicata una tensione tra la sorgente e il corpo, aumenta la quantità di carica richiesta per invertire il canale, quindi aumenta la tensione di soglia. L'effetto body degrada ulteriormente le prestazioni dei pass transistor che tentano di superare il valore debole.

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