Capacità da gate a base calcolatrice

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Progettazione VLSI analogica

Ottimizzazione dei materiali VLSI

✖La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.ⓘ Capacità del cancello [C_g]			+10% -10%
✖La capacità da gate a source è definita come la capacità osservata tra il gate e la source della giunzione del MOSFET.ⓘ Capacità dal gate alla sorgente [C_gs]			+10% -10%
✖La capacità da gate a drain è definita come la capacità osservata tra il gate e il drain della giunzione del MOSFET.ⓘ Porta per la capacità di drenaggio [C_gd]			+10% -10%

✖La capacità da gate a base è definita come la capacità osservata tra il gate e la base della giunzione del MOSFET.ⓘ Capacità da gate a base [C_gb]

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Formula

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Capacità da gate a base

Formula

`"C"_{"gb"} = "C"_{"g"}-("C"_{"gs"}+"C"_{"gd"})`

Esempio

`"35μF"="59.61μF"-("14.61μF"+"10μF")`

Calcolatrice

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Capacità da gate a base Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità da gate a base = Capacità del cancello-(Capacità dal gate alla sorgente+Porta per la capacità di drenaggio)
C_gb = C_g-(C_gs+C_gd)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità da gate a base - (Misurato in Farad) - La capacità da gate a base è definita come la capacità osservata tra il gate e la base della giunzione del MOSFET.
Capacità del cancello - (Misurato in Farad) - La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
Capacità dal gate alla sorgente - (Misurato in Farad) - La capacità da gate a source è definita come la capacità osservata tra il gate e la source della giunzione del MOSFET.
Porta per la capacità di drenaggio - (Misurato in Farad) - La capacità da gate a drain è definita come la capacità osservata tra il gate e il drain della giunzione del MOSFET.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità del cancello: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità dal gate alla sorgente: 14.61 Microfarad --> 1.461E-05 Farad (Controlla la conversione qui)
Porta per la capacità di drenaggio: 10 Microfarad --> 1E-05 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_gb = C_g-(C_gs+C_gd) --> 5.961E-05-(1.461E-05+1E-05)

Valutare ... ...

C_gb = 3.5E-05

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

3.5E-05 Farad -->35 Microfarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

35 Microfarad <-- Capacità da gate a base

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 16 Progettazione VLSI analogica Calcolatrici

Potenziale tra sorgente e corpo

Partire Differenza di potenziale del corpo sorgente = Potenziale di superficie/(2*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca))

Porta per la capacità di drenaggio

Partire Porta per la capacità di drenaggio = Capacità del cancello-(Capacità da gate a base+Capacità dal gate alla sorgente)

Capacità dal gate alla sorgente

Partire Capacità dal gate alla sorgente = Capacità del cancello-(Capacità da gate a base+Porta per la capacità di drenaggio)

Capacità da gate a base

Partire Capacità da gate a base = Capacità del cancello-(Capacità dal gate alla sorgente+Porta per la capacità di drenaggio)

Tensione di drenaggio

Partire Tensione del collettore di base = sqrt(Potenza dinamica/(Frequenza*Capacità))

Potenziale da Drain a Source

Partire Drenare al potenziale di origine = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Coefficiente DIBL

Gate to Channel Voltage

Partire Voltaggio da gate a canale = (Carica del canale/Capacità del cancello)+Soglia di voltaggio

Minima alta tensione di ingresso

Partire Tensione di ingresso minima elevata = Tensione di uscita minima elevata-Margine di rumore elevato

Minima alta tensione di uscita

Partire Tensione di uscita minima elevata = Margine di rumore elevato+Tensione di ingresso minima elevata

Alto margine di rumore

Partire Margine di rumore elevato = Tensione di uscita minima elevata-Tensione di ingresso minima elevata

Tensione di ingresso massima bassa

Partire Massima tensione di ingresso bassa = Margine di rumore basso+Massima tensione di uscita bassa

Tensione di uscita massima bassa

Partire Massima tensione di uscita bassa = Massima tensione di ingresso bassa-Margine di rumore basso

Margine a basso rumore

Partire Margine di rumore basso = Massima tensione di ingresso bassa-Massima tensione di uscita bassa

Porta al potenziale del collezionista

Partire Voltaggio da gate a canale = (Potenziale dal gate alla fonte+Porta per drenare potenziale)/2

Potenziale dal gate alla fonte

Partire Potenziale dal gate alla fonte = 2*Voltaggio da gate a canale-Porta per drenare potenziale

Porta per drenare potenziale

Partire Porta per drenare potenziale = 2*Voltaggio da gate a canale-Potenziale dal gate alla fonte

Capacità da gate a base Formula

Capacità da gate a base = Capacità del cancello-(Capacità dal gate alla sorgente+Porta per la capacità di drenaggio)
C_gb = C_g-(C_gs+C_gd)

Cos'è la capacità parassita?

La capacità parassita, o capacità parassita, è una capacità inevitabile e solitamente indesiderata che esiste tra le parti di un componente o circuito elettronico semplicemente a causa della loro vicinanza l'una all'altra.

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