Gate to Channel Voltage calcolatrice

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Progettazione VLSI analogica

Ottimizzazione dei materiali VLSI

✖La carica del canale è definita come la forza sperimentata da una materia, quando posta in un campo elettromagnetico.ⓘ Carica del canale [Q_ch]			+10% -10%
✖La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.ⓘ Capacità del cancello [C_g]			+10% -10%
✖La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [V_t]			+10% -10%

✖La tensione da gate a canale è definita come la resistenza dello stato attivo drain-source è maggiore del valore nominale quando la tensione di gate è intorno alla tensione di soglia.ⓘ Gate to Channel Voltage [V_gc]

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Formula

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Gate to Channel Voltage

Formula

`"V"_{"gc"} = ("Q"_{"ch"}/"C"_{"g"})+"V"_{"t"}`

Esempio

`"7.010284V"=("0.40mC"/"59.61μF")+"0.3V"`

Calcolatrice

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Gate to Channel Voltage Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Voltaggio da gate a canale = (Carica del canale/Capacità del cancello)+Soglia di voltaggio
V_gc = (Q_ch/C_g)+V_t
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Voltaggio da gate a canale - (Misurato in Volt) - La tensione da gate a canale è definita come la resistenza dello stato attivo drain-source è maggiore del valore nominale quando la tensione di gate è intorno alla tensione di soglia.
Carica del canale - (Misurato in Coulomb) - La carica del canale è definita come la forza sperimentata da una materia, quando posta in un campo elettromagnetico.
Capacità del cancello - (Misurato in Farad) - La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Carica del canale: 0.4 Millicoulomb --> 0.0004 Coulomb (Controlla la conversione qui)
Capacità del cancello: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Controlla la conversione qui)
Soglia di voltaggio: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_gc = (Q_ch/C_g)+V_t --> (0.0004/5.961E-05)+0.3

Valutare ... ...

V_gc = 7.01028350947828

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

7.01028350947828 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

7.01028350947828 ≈ 7.010284 Volt <-- Voltaggio da gate a canale

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 16 Progettazione VLSI analogica Calcolatrici

Potenziale tra sorgente e corpo

Partire Differenza di potenziale del corpo sorgente = Potenziale di superficie/(2*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca))

Porta per la capacità di drenaggio

Partire Porta per la capacità di drenaggio = Capacità del cancello-(Capacità da gate a base+Capacità dal gate alla sorgente)

Capacità dal gate alla sorgente

Partire Capacità dal gate alla sorgente = Capacità del cancello-(Capacità da gate a base+Porta per la capacità di drenaggio)

Capacità da gate a base

Partire Capacità da gate a base = Capacità del cancello-(Capacità dal gate alla sorgente+Porta per la capacità di drenaggio)

Tensione di drenaggio

Partire Tensione del collettore di base = sqrt(Potenza dinamica/(Frequenza*Capacità))

Potenziale da Drain a Source

Partire Drenare al potenziale di origine = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Coefficiente DIBL

Gate to Channel Voltage

Partire Voltaggio da gate a canale = (Carica del canale/Capacità del cancello)+Soglia di voltaggio

Minima alta tensione di ingresso

Partire Tensione di ingresso minima elevata = Tensione di uscita minima elevata-Margine di rumore elevato

Minima alta tensione di uscita

Partire Tensione di uscita minima elevata = Margine di rumore elevato+Tensione di ingresso minima elevata

Alto margine di rumore

Partire Margine di rumore elevato = Tensione di uscita minima elevata-Tensione di ingresso minima elevata

Tensione di ingresso massima bassa

Partire Massima tensione di ingresso bassa = Margine di rumore basso+Massima tensione di uscita bassa

Tensione di uscita massima bassa

Partire Massima tensione di uscita bassa = Massima tensione di ingresso bassa-Margine di rumore basso

Margine a basso rumore

Partire Margine di rumore basso = Massima tensione di ingresso bassa-Massima tensione di uscita bassa

Porta al potenziale del collezionista

Partire Voltaggio da gate a canale = (Potenziale dal gate alla fonte+Porta per drenare potenziale)/2

Potenziale dal gate alla fonte

Partire Potenziale dal gate alla fonte = 2*Voltaggio da gate a canale-Porta per drenare potenziale

Porta per drenare potenziale

Partire Porta per drenare potenziale = 2*Voltaggio da gate a canale-Potenziale dal gate alla fonte

Gate to Channel Voltage Formula

Voltaggio da gate a canale = (Carica del canale/Capacità del cancello)+Soglia di voltaggio
V_gc = (Q_ch/C_g)+V_t

Qual è il significato della tensione tra gate e canale?

La differenza tra la tensione da gate a canale e la tensione di soglia indica la quantità di tensione che attira la carica sul canale oltre il minimo richiesto per invertire da p a n. La tensione di gate è riferita al canale, che non è collegato a terra.

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