Assorbimento di corrente tramite transconduttanza calcolatrice

✖La tensione di overdrive è un termine utilizzato in elettronica e si riferisce al livello di tensione applicato a un dispositivo o componente che supera la normale tensione operativa.ⓘ Tensione di overdrive [V_ov]			+10% -10%
✖La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.ⓘ Transconduttanza [g_m]			+10% -10%

✖La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.ⓘ Assorbimento di corrente tramite transconduttanza [i_d]

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Formula

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Assorbimento di corrente tramite transconduttanza

Formula

`"i"_{"d"} = ("V"_{"ov"})*"g"_{"m"}/2`

Esempio

`"0.08mA"=("0.32V")*"0.5mS"/2`

Calcolatrice

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Assorbimento di corrente tramite transconduttanza Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento di corrente = (Tensione di overdrive)*Transconduttanza/2
i_d = (V_ov)*g_m/2
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.
Tensione di overdrive - (Misurato in Volt) - La tensione di overdrive è un termine utilizzato in elettronica e si riferisce al livello di tensione applicato a un dispositivo o componente che supera la normale tensione operativa.
Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione di overdrive: 0.32 Volt --> 0.32 Volt Nessuna conversione richiesta
Transconduttanza: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

i_d = (V_ov)*g_m/2 --> (0.32)*0.0005/2

Valutare ... ...

i_d = 8E-05

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

8E-05 Ampere -->0.08 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.08 Millampere <-- Assorbimento di corrente

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 16 Transconduttanza Calcolatrici

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo

Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza/(Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio))

Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Transconduttanza data corrente di drenaggio

Partire Transconduttanza = sqrt(2*Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Assorbimento di corrente)

Transconduttanza di processo data la transconduttanza e la corrente di drain

Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Assorbimento di corrente)

Drain Current data la transconduttanza e la transconduttanza del processo

Partire Assorbimento di corrente = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Parametro di transconduttanza di processo)

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza/(Proporzioni*Tensione di overdrive)

Transconduttanza utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Tensione di overdrive

Transconduttanza MOSFET dato il parametro di transconduttanza

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Effetto del corpo sulla transconduttanza

Partire Transconduttanza corporea = Modifica della soglia alla tensione di base*Transconduttanza

Parametro di transconduttanza MOSFET che utilizza la transconduttanza di processo

Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni

Transconduttanza del backgate

Partire Transconduttanza del backgate = Transconduttanza*Efficienza della tensione

MOSFET Transconduttanza

Partire Transconduttanza = Modifica della corrente di scarico/Tensione gate-source

Transconduttanza MOSFET data la tensione di overdrive

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*Tensione di overdrive

Parametro di transconduttanza di processo del MOSFET

Partire Parametro di transconduttanza = Transconduttanza/Tensione di overdrive

Assorbimento di corrente tramite transconduttanza

Partire Assorbimento di corrente = (Tensione di overdrive)*Transconduttanza/2

Transconduttanza nei MOSFET

Partire Transconduttanza = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive

Assorbimento di corrente tramite transconduttanza Formula

Assorbimento di corrente = (Tensione di overdrive)*Transconduttanza/2
i_d = (V_ov)*g_m/2

Qual è l'uso della transconduttanza nei MOSFET?

La transconduttanza è un'espressione delle prestazioni di un transistor bipolare o transistor ad effetto di campo (FET). In generale, maggiore è il valore di transconduttanza per un dispositivo, maggiore è il guadagno (amplificazione) che è in grado di fornire, quando tutti gli altri fattori sono mantenuti costanti.

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