Gate-zu-Kanal-Spannung Taschenrechner

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Analoges VLSI-Design

VLSI-Materialoptimierung

✖Kanalladung ist definiert als die Kraft, die eine Materie erfährt, wenn sie in ein elektromagnetisches Feld gebracht wird.ⓘ Kanalgebühr [Q_ch]			+10% -10%
✖Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.ⓘ Gate-Kapazität [C_g]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%

✖Die Gate-zu-Kanal-Spannung ist definiert als der Drain-Source-Einschaltwiderstand, der größer als der Nennwert ist, wenn die Gate-Spannung in der Nähe der Schwellenspannung liegt.ⓘ Gate-zu-Kanal-Spannung [V_gc]

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Formel

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Gate-zu-Kanal-Spannung

Formel

`"V"_{"gc"} = ("Q"_{"ch"}/"C"_{"g"})+"V"_{"t"}`

Beispiel

`"7.010284V"=("0.40mC"/"59.61μF")+"0.3V"`

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Gate-zu-Kanal-Spannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gate-zu-Kanal-Spannung = (Kanalgebühr/Gate-Kapazität)+Grenzspannung
V_gc = (Q_ch/C_g)+V_t
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Gate-zu-Kanal-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-zu-Kanal-Spannung ist definiert als der Drain-Source-Einschaltwiderstand, der größer als der Nennwert ist, wenn die Gate-Spannung in der Nähe der Schwellenspannung liegt.
Kanalgebühr - (Gemessen in Coulomb) - Kanalladung ist definiert als die Kraft, die eine Materie erfährt, wenn sie in ein elektromagnetisches Feld gebracht wird.
Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kanalgebühr: 0.4 Millicoulomb --> 0.0004 Coulomb (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-Kapazität: 59.61 Mikrofarad --> 5.961E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Grenzspannung: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_gc = (Q_ch/C_g)+V_t --> (0.0004/5.961E-05)+0.3

Auswerten ... ...

V_gc = 7.01028350947828

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

7.01028350947828 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

7.01028350947828 ≈ 7.010284 Volt <-- Gate-zu-Kanal-Spannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 16 Analoges VLSI-Design Taschenrechner

Potenzial zwischen Quelle und Körper

Gehen Potenzialdifferenz des Quellkörpers = Oberflächenpotential/(2*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration))

Drain Voltage

Gehen Basiskollektorspannung = sqrt(Dynamische Kraft/(Frequenz*Kapazität))

Gate-zu-Basis-Kapazität

Gehen Gate-zu-Basis-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-Source-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)

Gate-to-Drain-Kapazität

Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-Source-Kapazität)

Gate-Source-Kapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)

Potenzial von Drain zu Source

Gehen Drain-to-Source-Potenzial = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/DIBL-Koeffizient

Gate-zu-Kanal-Spannung

Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Kanalgebühr/Gate-Kapazität)+Grenzspannung

Maximale niedrige Ausgangsspannung

Gehen Maximal niedrige Ausgangsspannung = Maximal niedrige Eingangsspannung-Geringer Rauschabstand

Maximal niedrige Eingangsspannung

Gehen Maximal niedrige Eingangsspannung = Geringer Rauschabstand+Maximal niedrige Ausgangsspannung

Geringer Rauschabstand

Gehen Geringer Rauschabstand = Maximal niedrige Eingangsspannung-Maximal niedrige Ausgangsspannung

Minimale hohe Eingangsspannung

Gehen Minimale hohe Eingangsspannung = Minimale hohe Ausgangsspannung-Hoher Rauschabstand

Minimale hohe Ausgangsspannung

Gehen Minimale hohe Ausgangsspannung = Hoher Rauschabstand+Minimale hohe Eingangsspannung

Hoher Rauschabstand

Gehen Hoher Rauschabstand = Minimale hohe Ausgangsspannung-Minimale hohe Eingangsspannung

Gate-to-Collector-Potenzial

Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Tor-zu-Quelle-Potenzial+Tor zur Potenzialentwässerung)/2

Tor zur Ableitung von Potenzial

Gehen Tor zur Potenzialentwässerung = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor-zu-Quelle-Potenzial

Tor-zu-Quelle-Potenzial

Gehen Tor-zu-Quelle-Potenzial = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor zur Potenzialentwässerung

Gate-zu-Kanal-Spannung Formel

Gate-zu-Kanal-Spannung = (Kanalgebühr/Gate-Kapazität)+Grenzspannung
V_gc = (Q_ch/C_g)+V_t

Welche Bedeutung hat die Gate-Kanal-Spannung?

Die Differenz zwischen der Gate-zu-Kanal-Spannung und der Schwellenspannung zeigt die Spannungsmenge an, die Ladung zum Kanal über das zum Invertieren von p nach n erforderliche Minimum hinaus anzieht. Die Gate-Spannung ist auf den nicht geerdeten Kanal bezogen.

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