Gates sul percorso critico Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Cancelli sul percorso critico = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^Tensione del collettore di base))/(Capacità del gate al canale*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 5 Variabili
Costanti utilizzate
[BoltZ] - Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23
Variabili utilizzate
Cancelli sul percorso critico - Le porte sul percorso critico sono definite come il numero totale di porte logiche richieste durante un tempo di ciclo in CMOS.
Ciclo di lavoro - Un ciclo di lavoro o ciclo di alimentazione è la frazione di un periodo in cui un segnale o un sistema è attivo.
Fuori corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente disattivata di un interruttore è un valore inesistente nella realtà. Gli interruttori reali hanno normalmente una corrente di spegnimento molto piccola, che a volte viene chiamata corrente di dispersione.
Tensione del collettore di base - (Misurato in Volt) - La tensione del collettore di base è un parametro cruciale nella polarizzazione dei transistor. Si riferisce alla differenza di tensione tra la base e i terminali del collettore del transistor quando è nel suo stato attivo.
Capacità del gate al canale - (Misurato in Farad) - La capacità da gate a canale è la capacità dovuta alla sovrapposizione delle regioni source e canale da parte del gate in polisilicio ed è indipendente dalla tensione applicata.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Ciclo di lavoro: 1.3E-25 --> Nessuna conversione richiesta
Fuori corrente: 0.01 Millampere --> 1E-05 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
Tensione del collettore di base: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Nessuna conversione richiesta
Capacità del gate al canale: 5.1 Millifrad --> 0.0051 Farad (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^2.02))/(0.0051*[BoltZ]*2.02)
Valutare ... ...
Ng = 0.000957058919420363
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.000957058919420363 --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.000957058919420363 0.000957 <-- Cancelli sul percorso critico
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

17 Metriche di potenza CMOS Calcolatrici

Gates sul percorso critico
​ Partire Cancelli sul percorso critico = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^Tensione del collettore di base))/(Capacità del gate al canale*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate
​ Partire Corrente del cancello = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente di giunzione)
Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF
​ Partire Corrente sottosoglia = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente del cancello+Corrente di contesa+Corrente di giunzione)
Corrente di contesa nei circuiti rapportati
​ Partire Corrente di contesa = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente del cancello+Corrente di giunzione)
Commutazione dell'uscita al consumo energetico del carico
​ Partire Commutazione dell'uscita = Consumo energetico del carico capacitivo/(Capacità di carico esterno*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita)
Consumo energetico del carico capacitivo
​ Partire Consumo energetico del carico capacitivo = Capacità di carico esterno*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita*Commutazione dell'uscita
Potenza di commutazione
​ Partire Commutazione dell'alimentazione = Fattore di attività*(Capacità*Tensione del collettore di base^2*Frequenza)
Fattore di attività
​ Partire Fattore di attività = Commutazione dell'alimentazione/(Capacità*Tensione del collettore di base^2*Frequenza)
Rapporto di rifiuto dell'alimentatore
​ Partire Rapporto di reiezione dell'alimentatore = 20*log10(Ondulazione della tensione di ingresso/Ondulazione della tensione di uscita)
Potenza di commutazione in CMOS
​ Partire Commutazione dell'alimentazione = (Tensione positiva^2)*Frequenza*Capacità
Commutazione dell'energia in CMOS
​ Partire Commutazione di energia in CMOS = Energia totale nel CMOS-Energia di dispersione nel CMOS
Perdita di energia in CMOS
​ Partire Energia di dispersione nel CMOS = Energia totale nel CMOS-Commutazione di energia in CMOS
Energia totale in CMOS
​ Partire Energia totale nel CMOS = Commutazione di energia in CMOS+Energia di dispersione nel CMOS
Potenza di cortocircuito nel CMOS
​ Partire Potenza di cortocircuito = Potenza dinamica-Commutazione dell'alimentazione
Potenza dinamica nel CMOS
​ Partire Potenza dinamica = Potenza di cortocircuito+Commutazione dell'alimentazione
Potenza statica nel CMOS
​ Partire Potenza statica CMOS = Potere totale-Potenza dinamica
Potenza totale nel CMOS
​ Partire Potere totale = Potenza statica CMOS+Potenza dinamica

Gates sul percorso critico Formula

Cancelli sul percorso critico = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^Tensione del collettore di base))/(Capacità del gate al canale*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc)

Cos'è la conduzione sottosoglia?

La conduzione sottosoglia o la dispersione sottosoglia o la corrente di drenaggio sottosoglia è la corrente tra la sorgente e il drenaggio di un MOSFET quando il transistor si trova nella regione della sottosoglia, o regione di inversione debole, cioè per tensioni gate-to-source al di sotto della tensione di soglia.

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