Gates sul percorso critico Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Cancelli sul percorso critico = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^Tensione del collettore di base))/(Capacità del gate al canale*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 5 Variabili
Costanti utilizzate
[BoltZ] - Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23
Variabili utilizzate
Cancelli sul percorso critico - Le porte sul percorso critico sono definite come il numero totale di porte logiche richieste durante un tempo di ciclo in CMOS.
Ciclo di lavoro - Un ciclo di lavoro o ciclo di alimentazione è la frazione di un periodo in cui un segnale o un sistema è attivo.
Fuori corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente disattivata di un interruttore è un valore inesistente nella realtà. Gli interruttori reali hanno normalmente una corrente di spegnimento molto piccola, che a volte viene chiamata corrente di dispersione.
Tensione del collettore di base - (Misurato in Volt) - La tensione del collettore di base è un parametro cruciale nella polarizzazione dei transistor. Si riferisce alla differenza di tensione tra la base e i terminali del collettore del transistor quando è nel suo stato attivo.
Capacità del gate al canale - (Misurato in Farad) - La capacità da gate a canale è la capacità dovuta alla sovrapposizione delle regioni source e canale da parte del gate in polisilicio ed è indipendente dalla tensione applicata.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Ciclo di lavoro: 1.3E-25 --> Nessuna conversione richiesta
Fuori corrente: 0.01 Millampere --> 1E-05 Ampere (Controlla la conversione qui)
Tensione del collettore di base: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Nessuna conversione richiesta
Capacità del gate al canale: 5.1 Millifrad --> 0.0051 Farad (Controlla la conversione qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^2.02))/(0.0051*[BoltZ]*2.02)
Valutare ... ...
Ng = 0.000957058919420363
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.000957058919420363 --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.000957058919420363 0.000957 <-- Cancelli sul percorso critico
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

17 Metriche di potenza CMOS Calcolatrici

Gates sul percorso critico
Partire Cancelli sul percorso critico = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^Tensione del collettore di base))/(Capacità del gate al canale*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF
Partire Corrente sottosoglia = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente del cancello+Corrente di contesa+Corrente di giunzione)
Corrente di contesa nei circuiti rapportati
Partire Corrente di contesa = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente del cancello+Corrente di giunzione)
Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate
Partire Corrente del cancello = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente di giunzione)
Commutazione dell'uscita al consumo energetico del carico
Partire Commutazione dell'uscita = Consumo energetico del carico capacitivo/(Capacità di carico esterno*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita)
Consumo energetico del carico capacitivo
Partire Consumo energetico del carico capacitivo = Capacità di carico esterno*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita*Commutazione dell'uscita
Potenza di commutazione
Partire Commutazione dell'alimentazione = Fattore di attività*(Capacità*Tensione del collettore di base^2*Frequenza)
Fattore di attività
Partire Fattore di attività = Commutazione dell'alimentazione/(Capacità*Tensione del collettore di base^2*Frequenza)
Rapporto di rifiuto dell'alimentatore
Partire Rapporto di reiezione dell'alimentatore = 20*log10(Ondulazione della tensione di ingresso/Ondulazione della tensione di uscita)
Potenza di commutazione in CMOS
Partire Commutazione dell'alimentazione = (Tensione positiva^2)*Frequenza*Capacità
Commutazione dell'energia in CMOS
Partire Commutazione di energia in CMOS = Energia totale nel CMOS-Energia di dispersione nel CMOS
Perdita di energia in CMOS
Partire Energia di dispersione nel CMOS = Energia totale nel CMOS-Commutazione di energia in CMOS
Energia totale in CMOS
Partire Energia totale nel CMOS = Commutazione di energia in CMOS+Energia di dispersione nel CMOS
Potenza di cortocircuito nel CMOS
Partire Potenza di cortocircuito = Potenza dinamica-Commutazione dell'alimentazione
Potenza dinamica nel CMOS
Partire Potenza dinamica = Potenza di cortocircuito+Commutazione dell'alimentazione
Potenza totale nel CMOS
Partire Potere totale = Potenza statica CMOS+Potenza dinamica
Potenza statica nel CMOS
Partire Potenza statica CMOS = Potere totale-Potenza dinamica

Gates sul percorso critico Formula

Cancelli sul percorso critico = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^Tensione del collettore di base))/(Capacità del gate al canale*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc)

Cos'è la conduzione sottosoglia?

La conduzione sottosoglia o la dispersione sottosoglia o la corrente di drenaggio sottosoglia è la corrente tra la sorgente e il drenaggio di un MOSFET quando il transistor si trova nella regione della sottosoglia, o regione di inversione debole, cioè per tensioni gate-to-source al di sotto della tensione di soglia.

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