Frequenza massima delle oscillazioni in MESFET calcolatrice

✖La frequenza di guadagno unitario è definita come la frequenza dell'amplificatore quando il guadagno di potenza è unitario.ⓘ Frequenza di guadagno unitario [f_t]			+10% -10%
✖La resistenza di drenaggio è il rapporto tra la variazione della tensione da drain a source e la variazione corrispondente della corrente di drain per una tensione da gate a source costante.ⓘ Resistenza allo scarico [R_d]			+10% -10%
✖La resistenza alla metallizzazione del gate è definita come la resistenza della metallizzazione di una striscia di gate FET che ha l'effetto di posizionare una resistenza non lineare in serie con la giunzione di gate.ⓘ Resistenza alla metallizzazione del cancello [R_g]			+10% -10%

✖La frequenza massima delle oscillazioni è definita come il limite superiore pratico per il funzionamento utile del circuito con MESFET.ⓘ Frequenza massima delle oscillazioni in MESFET [f_m]

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Formula

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Frequenza massima delle oscillazioni in MESFET

Formula

`"f"_{"m"} = ("f"_{"t"}/2)*sqrt("R"_{"d"}/"R"_{"g"})`

Esempio

`"65.28817Hz"=("10.3Hz"/2)*sqrt("450Ω"/"2.8Ω")`

Calcolatrice

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Frequenza massima delle oscillazioni in MESFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Frequenza massima delle oscillazioni = (Frequenza di guadagno unitario/2)*sqrt(Resistenza allo scarico/Resistenza alla metallizzazione del cancello)
f_m = (f_t/2)*sqrt(R_d/R_g)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 4 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Frequenza massima delle oscillazioni - (Misurato in Hertz) - La frequenza massima delle oscillazioni è definita come il limite superiore pratico per il funzionamento utile del circuito con MESFET.
Frequenza di guadagno unitario - (Misurato in Hertz) - La frequenza di guadagno unitario è definita come la frequenza dell'amplificatore quando il guadagno di potenza è unitario.
Resistenza allo scarico - (Misurato in Ohm) - La resistenza di drenaggio è il rapporto tra la variazione della tensione da drain a source e la variazione corrispondente della corrente di drain per una tensione da gate a source costante.
Resistenza alla metallizzazione del cancello - (Misurato in Ohm) - La resistenza alla metallizzazione del gate è definita come la resistenza della metallizzazione di una striscia di gate FET che ha l'effetto di posizionare una resistenza non lineare in serie con la giunzione di gate.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Frequenza di guadagno unitario: 10.3 Hertz --> 10.3 Hertz Nessuna conversione richiesta
Resistenza allo scarico: 450 Ohm --> 450 Ohm Nessuna conversione richiesta
Resistenza alla metallizzazione del cancello: 2.8 Ohm --> 2.8 Ohm Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

f_m = (f_t/2)*sqrt(R_d/R_g) --> (10.3/2)*sqrt(450/2.8)

Valutare ... ...

f_m = 65.2881661777779

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

65.2881661777779 Hertz --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

65.2881661777779 ≈ 65.28817 Hertz <-- Frequenza massima delle oscillazioni

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 13 Caratteristiche del MESFET Calcolatrici

Frequenza di taglio utilizzando la frequenza massima

Partire Frequenza di taglio = (2*Frequenza massima delle oscillazioni)/(sqrt(Resistenza allo scarico/(Resistenza alla fonte+Resistenza alla metallizzazione del cancello+Resistenza in ingresso)))

Resistenza alla metallizzazione del cancello

Partire Resistenza alla metallizzazione del cancello = ((Resistenza allo scarico*Frequenza di taglio^2)/(4*Frequenza massima delle oscillazioni^2))-(Resistenza alla fonte+Resistenza in ingresso)

Resistenza in ingresso

Partire Resistenza in ingresso = ((Resistenza allo scarico*Frequenza di taglio^2)/(4*Frequenza massima delle oscillazioni^2))-(Resistenza alla metallizzazione del cancello+Resistenza alla fonte)

Resistenza alla fonte

Partire Resistenza alla fonte = ((Resistenza allo scarico*Frequenza di taglio^2)/(4*Frequenza massima delle oscillazioni^2))-(Resistenza alla metallizzazione del cancello+Resistenza in ingresso)

Resistenza al drenaggio del MESFET

Partire Resistenza allo scarico = ((4*Frequenza massima delle oscillazioni^2)/Frequenza di taglio^2)*(Resistenza alla fonte+Resistenza alla metallizzazione del cancello+Resistenza in ingresso)

Transconduttanza nella regione di saturazione

Partire Transconduttanza = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Barriera potenziale del diodo Schottky-Tensione di porta)/Interruzione della tensione))

Frequenza massima delle oscillazioni in MESFET

Partire Frequenza massima delle oscillazioni = (Frequenza di guadagno unitario/2)*sqrt(Resistenza allo scarico/Resistenza alla metallizzazione del cancello)

Frequenza massima di oscillazione data la transconduttanza

Partire Frequenza massima delle oscillazioni = Transconduttanza/(pi*Capacità della sorgente di gate)

Lunghezza del cancello del MESFET

Partire Lunghezza del cancello = Velocità di deriva saturata/(4*pi*Frequenza di taglio)

Frequenza di taglio

Partire Frequenza di taglio = Velocità di deriva saturata/(4*pi*Lunghezza del cancello)

Frequenza di taglio data transconduttanza e capacità

Partire Frequenza di taglio = Transconduttanza/(2*pi*Capacità della sorgente di gate)

Capacità della sorgente di gate

Partire Capacità della sorgente di gate = Transconduttanza/(2*pi*Frequenza di taglio)

Transconduttanza nel MESFET

Partire Transconduttanza = 2*Capacità della sorgente di gate*pi*Frequenza di taglio

Frequenza massima delle oscillazioni in MESFET Formula

Frequenza massima delle oscillazioni = (Frequenza di guadagno unitario/2)*sqrt(Resistenza allo scarico/Resistenza alla metallizzazione del cancello)
f_m = (f_t/2)*sqrt(R_d/R_g)

Cos'è MESFET?

Un MESFET (transistor metallo-semiconduttore ad effetto di campo) è un dispositivo semiconduttore a transistor ad effetto di campo simile a un JFET con una giunzione Schottky (metallo-semiconduttore) invece di una giunzione ap-n per un gate.

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