Capacità della sorgente di gate calcolatrice

✖La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente drain e la variazione della tensione gate-source, assumendo una tensione drain-source costante.ⓘ Transconduttanza [g_m]			+10% -10%
✖La frequenza di taglio è definita come la frequenza angolare è un limite nella risposta in frequenza del sistema al quale l'energia che fluisce attraverso il sistema inizia a ridursi anziché passare.ⓘ Frequenza di taglio [f_co]			+10% -10%

✖La capacità gate source è una capacità parassita che esiste tra i terminali gate e source di un MESFET o altri tipi di transistor.ⓘ Capacità della sorgente di gate [C_gs]

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Formula

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Capacità della sorgente di gate

Formula

`"C"_{"gs"} = "g"_{"m"}/(2*pi*"f"_{"co"})`

Esempio

`"264.8169μF"="0.05S"/(2*pi*"30.05Hz")`

Calcolatrice

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Capacità della sorgente di gate Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità della sorgente di gate = Transconduttanza/(2*pi*Frequenza di taglio)
C_gs = g_m/(2*pi*f_co)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 3 Variabili

Costanti utilizzate

pi - Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288

Variabili utilizzate

Capacità della sorgente di gate - (Misurato in Farad) - La capacità gate source è una capacità parassita che esiste tra i terminali gate e source di un MESFET o altri tipi di transistor.
Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente drain e la variazione della tensione gate-source, assumendo una tensione drain-source costante.
Frequenza di taglio - (Misurato in Hertz) - La frequenza di taglio è definita come la frequenza angolare è un limite nella risposta in frequenza del sistema al quale l'energia che fluisce attraverso il sistema inizia a ridursi anziché passare.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Transconduttanza: 0.05 Siemens --> 0.05 Siemens Nessuna conversione richiesta
Frequenza di taglio: 30.05 Hertz --> 30.05 Hertz Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_gs = g_m/(2*pi*f_co) --> 0.05/(2*pi*30.05)

Valutare ... ...

C_gs = 0.000264816877024784

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.000264816877024784 Farad -->264.816877024784 Microfarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

264.816877024784 ≈ 264.8169 Microfarad <-- Capacità della sorgente di gate

(Calcolo completato in 00.035 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 13 Caratteristiche del MESFET Calcolatrici

Frequenza di taglio utilizzando la frequenza massima

Partire Frequenza di taglio = (2*Frequenza massima delle oscillazioni)/(sqrt(Resistenza allo scarico/(Resistenza alla fonte+Resistenza alla metallizzazione del cancello+Resistenza in ingresso)))

Resistenza alla metallizzazione del cancello

Partire Resistenza alla metallizzazione del cancello = ((Resistenza allo scarico*Frequenza di taglio^2)/(4*Frequenza massima delle oscillazioni^2))-(Resistenza alla fonte+Resistenza in ingresso)

Resistenza in ingresso

Partire Resistenza in ingresso = ((Resistenza allo scarico*Frequenza di taglio^2)/(4*Frequenza massima delle oscillazioni^2))-(Resistenza alla metallizzazione del cancello+Resistenza alla fonte)

Resistenza alla fonte

Partire Resistenza alla fonte = ((Resistenza allo scarico*Frequenza di taglio^2)/(4*Frequenza massima delle oscillazioni^2))-(Resistenza alla metallizzazione del cancello+Resistenza in ingresso)

Resistenza al drenaggio del MESFET

Partire Resistenza allo scarico = ((4*Frequenza massima delle oscillazioni^2)/Frequenza di taglio^2)*(Resistenza alla fonte+Resistenza alla metallizzazione del cancello+Resistenza in ingresso)

Transconduttanza nella regione di saturazione

Partire Transconduttanza = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Barriera potenziale del diodo Schottky-Tensione di porta)/Interruzione della tensione))

Frequenza massima delle oscillazioni in MESFET

Partire Frequenza massima delle oscillazioni = (Frequenza di guadagno unitario/2)*sqrt(Resistenza allo scarico/Resistenza alla metallizzazione del cancello)

Frequenza massima di oscillazione data la transconduttanza

Partire Frequenza massima delle oscillazioni = Transconduttanza/(pi*Capacità della sorgente di gate)

Lunghezza del cancello del MESFET

Partire Lunghezza del cancello = Velocità di deriva saturata/(4*pi*Frequenza di taglio)

Frequenza di taglio

Partire Frequenza di taglio = Velocità di deriva saturata/(4*pi*Lunghezza del cancello)

Frequenza di taglio data transconduttanza e capacità

Partire Frequenza di taglio = Transconduttanza/(2*pi*Capacità della sorgente di gate)

Capacità della sorgente di gate

Partire Capacità della sorgente di gate = Transconduttanza/(2*pi*Frequenza di taglio)

Transconduttanza nel MESFET

Partire Transconduttanza = 2*Capacità della sorgente di gate*pi*Frequenza di taglio

Capacità della sorgente di gate Formula

Capacità della sorgente di gate = Transconduttanza/(2*pi*Frequenza di taglio)
C_gs = g_m/(2*pi*f_co)

Quali sono le applicazioni di MESFET?

I MESFET offrono vantaggi quali elevato guadagno, alta velocità, basso rumore e basso consumo energetico, che li rendono adatti a varie applicazioni nei campi dell'elettronica, delle telecomunicazioni e della biomedicina.

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