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   Amplificatori MOSFET PDF
Formule : 20
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Contenuto del PDF di Amplificatori MOSFET

Elenco di 20 Amplificatori MOSFET Formule

Capacità di giunzione con polarizzazione zero
​Partire
Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero
​Partire
Corrente in funzionamento con tensione di ingresso differenziale
​Partire
Guadagno di corrente di modo comune del transistor di origine controllata
​Partire
Guadagno di modo comune del transistor di origine controllata
​Partire
Guadagno di tensione dell'amplificatore differenziale Cascode data la transconduttanza
​Partire
Guadagno di tensione differenziale nell'amplificatore differenziale MOS
​Partire
Intervallo massimo di ingresso in modalità comune dell'amplificatore differenziale MOS
​Partire
Intervallo minimo di ingresso in modalità comune dell'amplificatore differenziale MOS
​Partire
Massima tensione di ingresso differenziale del MOSFET data la tensione di overdrive
​Partire
Resistenza verso il basso del semicircuito differenziale Cascode
​Partire
Resistenza verso l'alto del semicircuito differenziale Cascode
​Partire
Tensione di ingresso dell'amplificatore differenziale MOS nel funzionamento a piccolo segnale
​Partire
Tensione di offset del MOSFET con carico a specchio di corrente
​Partire
Tensione di offset di ingresso totale dell'amplificatore differenziale MOS data la corrente di saturazione
​Partire
Tensione di offset in ingresso dell'amplificatore differenziale MOS
​Partire
Tensione di offset in ingresso dell'amplificatore differenziale MOS data la corrente di saturazione
​Partire
Tensione di offset in ingresso dell'amplificatore differenziale MOS quando il rapporto di aspetto non corrisponde
​Partire
Tensione di uscita dell'amplificatore di tensione
​Partire
Transconduttanza dell'amplificatore differenziale MOS su funzionamento a piccolo segnale
​Partire

Variabili utilizzate nel PDF di Amplificatori MOSFET

  1. Acm Guadagno di modo comune (Decibel)
  2. Acmi Guadagno di corrente in modo comune
  3. Ad Guadagno differenziale
  4. Av Guadagno di tensione
  5. Cj0 Capacità di giunzione con polarizzazione zero (Farad)
  6. Cj0sw Potenziale di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero (Farad)
  7. gm Transconduttanza (Millisiemens)
  8. Id Assorbimento di corrente (Millampere)
  9. Is Corrente di saturazione (Millampere)
  10. Isc Corrente di saturazione per DC (Millampere)
  11. It Corrente totale (Millampere)
  12. k'n Parametro di transconduttanza del processo (Millisiemens)
  13. NA Concentrazione antidoping dell'accettore (Elettroni per centimetro cubo)
  14. NA(sw) Densità del doping sui fianchi (Elettroni per metro cubo)
  15. ND Concentrazione doping del donatore (Elettroni per centimetro cubo)
  16. R01 Resistenza equivalente dal primario (Kilohm)
  17. R02 Resistenza equivalente dal secondario (Kilohm)
  18. R'1 Resistenza dell'avvolgimento primario nel secondario (Kilohm)
  19. R'2 Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario (Kilohm)
  20. Rc Resistenza del collezionista (Kilohm)
  21. RL Resistenza al carico (Kilohm)
  22. Ro Resistenza di uscita (Kilohm)
  23. Ron Resistenza verso il basso del differenziale Cascode (Kilohm)
  24. Rop Resistenza verso l'alto del differenziale Cascode (Kilohm)
  25. Vcm Tensione CC in modalità comune (Volt)
  26. Vcmr Intervallo di modo comune (Volt)
  27. Vd Tensione ai capi del diodo (Volt)
  28. Vgs Tensione tra Gate e Source (Volt)
  29. Vid Tensione di ingresso differenziale (Volt)
  30. Vin Tensione di ingresso (Volt)
  31. Vis Segnale di ingresso differenziale (Volt)
  32. VL Tensione di carico (Volt)
  33. Vo Tensione di offset CC in uscita (Volt)
  34. Vod Segnale di uscita differenziale (Volt)
  35. Vos Tensione di offset in ingresso (Volt)
  36. Vout Tensione di uscita (Volt)
  37. Vov Tensione effettiva (Volt)
  38. Vs Tensione di origine (Volt)
  39. Vss Piccolo segnale (Volt)
  40. Vt Soglia di voltaggio (Volt)
  41. WL Proporzioni
  42. WL1 Proporzioni 1
  43. β Guadagno di corrente dell'emettitore comune
  44. βforced Guadagno di corrente forzato dell'emettitore comune
  45. ΔRc Cambiamento nella resistenza del collettore (Kilohm)
  46. εsi Permitività del silicio (Farad al metro)
  47. Φo Potenziale di giunzione incorporato (Volt)
  48. Φosw Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali (Volt)

Costanti, funzioni e misure utilizzate nel PDF di Amplificatori MOSFET

  1. Costante: [Charge-e], 1.60217662E-19
    Carica dell'elettrone
  2. Costante: [Permitivity-silicon], 11.7
    Permittività del silicio
  3. Funzione: log10, log10(Number)
    Il logaritmo comune, noto anche come logaritmo in base 10 o logaritmo decimale, è una funzione matematica che è l'inverso della funzione esponenziale.
  4. Funzione: sqrt, sqrt(Number)
    Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.
  5. Misurazione: Corrente elettrica in Millampere (mA)
    Corrente elettrica Conversione unità
  6. Misurazione: Rumore in Decibel (dB)
    Rumore Conversione unità
  7. Misurazione: Capacità in Farad (F)
    Capacità Conversione unità
  8. Misurazione: Resistenza elettrica in Kilohm (kΩ)
    Resistenza elettrica Conversione unità
  9. Misurazione: Conduttanza elettrica in Millisiemens (mS)
    Conduttanza elettrica Conversione unità
  10. Misurazione: Potenziale elettrico in Volt (V)
    Potenziale elettrico Conversione unità
  11. Misurazione: Permittività in Farad al metro (F/m)
    Permittività Conversione unità
  12. Misurazione: Densità elettronica in Elettroni per centimetro cubo (electrons/cm³), Elettroni per metro cubo (electrons/m³)
    Densità elettronica Conversione unità
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