Tensione di offset del MOSFET con carico a specchio di corrente calcolatrice

✖La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [V_t]			+10% -10%
✖Il guadagno di corrente forzato dell'emettitore comune è il rapporto tra la corrente del collettore e la corrente di base in modalità di saturazione.ⓘ Guadagno di corrente forzato dell'emettitore comune [β_forced]			+10% -10%

✖La tensione di offset in ingresso è la tensione che deve essere applicata tra i due terminali di ingresso dell'amplificatore operazionale per ottenere zero volt in uscita.ⓘ Tensione di offset del MOSFET con carico a specchio di corrente [V_os]

⎘ Copia

👎

Formula

✖

Tensione di offset del MOSFET con carico a specchio di corrente

Formula

`"V"_{"os"} = -(2*"V"_{"t"})/"β"_{"forced"}`

Esempio

`"-3.545455V"=-(2*"19.5V")/"11"`

Calcolatrice

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento Amplificatori MOSFET Formule PDF PDF Image

Tensione di offset del MOSFET con carico a specchio di corrente Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione di offset in ingresso = -(2*Soglia di voltaggio)/Guadagno di corrente forzato dell'emettitore comune
V_os = -(2*V_t)/β_forced
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione di offset in ingresso - (Misurato in Volt) - La tensione di offset in ingresso è la tensione che deve essere applicata tra i due terminali di ingresso dell'amplificatore operazionale per ottenere zero volt in uscita.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
Guadagno di corrente forzato dell'emettitore comune - Il guadagno di corrente forzato dell'emettitore comune è il rapporto tra la corrente del collettore e la corrente di base in modalità di saturazione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Soglia di voltaggio: 19.5 Volt --> 19.5 Volt Nessuna conversione richiesta
Guadagno di corrente forzato dell'emettitore comune: 11 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_os = -(2*V_t)/β_forced --> -(2*19.5)/11

Valutare ... ...

V_os = -3.54545454545455

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

-3.54545454545455 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

-3.54545454545455 ≈ -3.545455 Volt <-- Tensione di offset in ingresso

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » Amplificatori » Amplificatori MOSFET » Offset CC » Tensione di offset del MOSFET con carico a specchio di corrente

Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Anshika Arya

Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

< 4 Offset CC Calcolatrici

Corrente in funzionamento con tensione di ingresso differenziale

Partire Corrente totale = 1/2*(Parametro di transconduttanza del processo*Proporzioni)*(Tensione ai capi del diodo-Soglia di voltaggio)^2

Tensione di uscita dell'amplificatore di tensione

Partire Tensione di uscita = Tensione di origine-(Assorbimento di corrente*Resistenza al carico)

Tensione di offset del MOSFET con carico a specchio di corrente

Partire Tensione di offset in ingresso = -(2*Soglia di voltaggio)/Guadagno di corrente forzato dell'emettitore comune

Massima tensione di ingresso differenziale del MOSFET data la tensione di overdrive

Partire Segnale di ingresso differenziale = sqrt(2)*Tensione effettiva

Tensione di offset del MOSFET con carico a specchio di corrente Formula

Tensione di offset in ingresso = -(2*Soglia di voltaggio)/Guadagno di corrente forzato dell'emettitore comune
V_os = -(2*V_t)/β_forced

Cosa causa la tensione di offset?

La causa della tensione di offset in ingresso è ben nota: è dovuta al disadattamento intrinseco dei transistor di ingresso e dei componenti durante la fabbricazione del die di silicio e alle sollecitazioni esercitate sul die durante il processo di confezionamento (contributo minore).

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!