Conduttanza negativa del diodo a tunnel calcolatrice

✖La resistenza negativa nel diodo a tunnel è una proprietà che fa aumentare la tensione attraverso il dispositivo, la corrente che lo attraversa inizialmente diminuisce invece di aumentare.ⓘ Resistenza negativa nel diodo a tunnel [R_n]

+10%

-10%

✖Il diodo tunnel a conduttanza negativa è definito come una conduttanza a pendenza negativa di un diodo tunnel.ⓘ Conduttanza negativa del diodo a tunnel [g_m]

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Formula

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Conduttanza negativa del diodo a tunnel

Formula

`"g"_{"m"} = 1/("R"_{"n"})`

Esempio

`"0.012987S"=1/("77Ω")`

Calcolatrice

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Conduttanza negativa del diodo a tunnel Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Diodo a tunnel a conduttanza negativa = 1/(Resistenza negativa nel diodo a tunnel)
g_m = 1/(R_n)
Questa formula utilizza 2 Variabili

Variabili utilizzate

Diodo a tunnel a conduttanza negativa - (Misurato in Siemens) - Il diodo tunnel a conduttanza negativa è definito come una conduttanza a pendenza negativa di un diodo tunnel.
Resistenza negativa nel diodo a tunnel - (Misurato in Ohm) - La resistenza negativa nel diodo a tunnel è una proprietà che fa aumentare la tensione attraverso il dispositivo, la corrente che lo attraversa inizialmente diminuisce invece di aumentare.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Resistenza negativa nel diodo a tunnel: 77 Ohm --> 77 Ohm Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

g_m = 1/(R_n) --> 1/(77)

Valutare ... ...

g_m = 0.012987012987013

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.012987012987013 Siemens --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.012987012987013 ≈ 0.012987 Siemens <-- Diodo a tunnel a conduttanza negativa

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 16 Circuiti non lineari Calcolatrici

Temperatura ambiente

Partire Temperatura ambiente = (2*Temperatura del diodo*((1/(Coefficiente di accoppiamento*Fattore Q))+(1/((Coefficiente di accoppiamento*Fattore Q)^2))))/(Figura di rumore dell'Up-Converter-1)

Temperatura media del diodo utilizzando il rumore a banda laterale singola

Partire Temperatura del diodo = (Figura di rumore della singola banda laterale-2)*((Resistenza di uscita del generatore di segnale*Temperatura ambiente)/(2*Resistenza diodi))

Figura di rumore della singola banda laterale

Partire Figura di rumore della singola banda laterale = 2+((2*Temperatura del diodo*Resistenza diodi)/(Resistenza di uscita del generatore di segnale*Temperatura ambiente))

Figura di rumore della doppia banda laterale

Partire Figura di rumore della doppia banda laterale = 1+((Temperatura del diodo*Resistenza diodi)/(Resistenza di uscita del generatore di segnale*Temperatura ambiente))

Coefficiente di riflessione della tensione del diodo a tunnel

Partire Coefficiente di riflessione della tensione = (Diodo a tunnel di impedenza-Impedenza caratteristica)/(Diodo a tunnel di impedenza+Impedenza caratteristica)

Guadagno dell'amplificatore del diodo a tunnel

Partire Guadagno dell'amplificatore del diodo tunnel = Resistenza negativa nel diodo a tunnel/(Resistenza negativa nel diodo a tunnel-Resistenza al carico)

Rapporto tra resistenza negativa e resistenza in serie

Partire Rapporto tra resistenza negativa e resistenza in serie = Resistenza negativa equivalente/Resistenza totale in serie alla frequenza folle

Potenza di uscita del diodo a tunnel

Partire Potenza di uscita del diodo tunnel = (Diodo a tunnel di tensione*Corrente Tunnel Diodo)/(2*pi)

Larghezza di banda utilizzando Dynamic Quality Factor

Partire Larghezza di banda = Fattore Q dinamico/(Frequenza angolare*Resistenza in serie del diodo)

Fattore Q dinamico

Partire Fattore Q dinamico = Larghezza di banda/(Frequenza angolare*Resistenza in serie del diodo)

Massima tensione applicata attraverso il diodo

Partire Tensione massima applicata = Campo elettrico massimo*Lunghezza di esaurimento

Corrente massima applicata attraverso il diodo

Partire Corrente massima applicata = Tensione massima applicata/Impedenza reattiva

Impedenza reattiva

Partire Impedenza reattiva = Tensione massima applicata/Corrente massima applicata

Guadagno di potenza del diodo a tunnel

Partire Guadagno di potenza del diodo a tunnel = Coefficiente di riflessione della tensione^2

Conduttanza negativa del diodo a tunnel

Partire Diodo a tunnel a conduttanza negativa = 1/(Resistenza negativa nel diodo a tunnel)

Grandezza della resistenza negativa

Partire Resistenza negativa nel diodo a tunnel = 1/(Diodo a tunnel a conduttanza negativa)

Conduttanza negativa del diodo a tunnel Formula

Diodo a tunnel a conduttanza negativa = 1/(Resistenza negativa nel diodo a tunnel)
g_m = 1/(R_n)

Cos'è il transistor a giunzione etero?

Quando la giunzione del transistor è unita da due materiali diversi come Ge a GaAs, viene chiamato transistor a giunzione omo.

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