Negative Leitfähigkeit der Tunneldiode Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Tunneldiode mit negativem Leitwert = 1/(Negativer Widerstand in der Tunneldiode)
gm = 1/(Rn)
Diese formel verwendet 2 Variablen
Verwendete Variablen
Tunneldiode mit negativem Leitwert - (Gemessen in Siemens) - Negativer Leitwert Eine Tunneldiode ist definiert als ein negativer Leitwert einer Tunneldiode.
Negativer Widerstand in der Tunneldiode - (Gemessen in Ohm) - Der negative Widerstand in der Tunneldiode ist eine Eigenschaft, die dazu führt, dass die Spannung über dem Gerät erhöht wird, der Strom durch sie zunächst abnimmt, anstatt zuzunehmen.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Negativer Widerstand in der Tunneldiode: 77 Ohm --> 77 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
gm = 1/(Rn) --> 1/(77)
Auswerten ... ...
gm = 0.012987012987013
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.012987012987013 Siemens --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.012987012987013 0.012987 Siemens <-- Tunneldiode mit negativem Leitwert
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

16 Nichtlineare Schaltungen Taschenrechner

Zimmertemperatur
​ Gehen Umgebungstemperatur = (2*Diodentemperatur*((1/(Kopplungskoeffizient*Q-Faktor))+(1/((Kopplungskoeffizient*Q-Faktor)^2))))/(Rauschzahl des Aufwärtswandlers-1)
Durchschnittliche Diodentemperatur unter Verwendung von Einseitenbandrauschen
​ Gehen Diodentemperatur = (Rauschzahl des Einseitenbands-2)*((Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur)/(2*Diodenwiderstand))
Rauschzahl des Doppelseitenbandes
​ Gehen Rauschzahl des Doppelseitenbandes = 1+((Diodentemperatur*Diodenwiderstand)/(Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur))
Rauschzahl des Einseitenbands
​ Gehen Rauschzahl des Einseitenbands = 2+((2*Diodentemperatur*Diodenwiderstand)/(Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur))
Spannungsreflexionskoeffizient der Tunneldiode
​ Gehen Spannungsreflexionskoeffizient = (Impedanz-Tunneldiode-Charakteristische Impedanz)/(Impedanz-Tunneldiode+Charakteristische Impedanz)
Verstärkerverstärkung der Tunneldiode
​ Gehen Verstärkerverstärkung der Tunneldiode = Negativer Widerstand in der Tunneldiode/(Negativer Widerstand in der Tunneldiode-Lastwiderstand)
Verhältnis negativer Widerstand zu Reihenwiderstand
​ Gehen Verhältnis des negativen Widerstands zum Serienwiderstand = Äquivalenter negativer Widerstand/Gesamtserienwiderstand bei Leerlauffrequenz
Tunneldioden-Ausgangsleistung
​ Gehen Ausgangsleistung der Tunneldiode = (Spannungstunneldiode*Aktuelle Tunneldiode)/(2*pi)
Bandbreite mit dynamischem Qualitätsfaktor
​ Gehen Bandbreite = Dynamischer Q-Faktor/(Winkelfrequenz*Reihenwiderstand der Diode)
Dynamischer Q-Faktor
​ Gehen Dynamischer Q-Faktor = Bandbreite/(Winkelfrequenz*Reihenwiderstand der Diode)
Maximal angelegte Spannung über Diode
​ Gehen Maximal angelegte Spannung = Maximales elektrisches Feld*Erschöpfungslänge
Maximal angelegter Strom über die Diode
​ Gehen Maximal angelegter Strom = Maximal angelegte Spannung/Reaktive Impedanz
Reaktive Impedanz
​ Gehen Reaktive Impedanz = Maximal angelegte Spannung/Maximal angelegter Strom
Negative Leitfähigkeit der Tunneldiode
​ Gehen Tunneldiode mit negativem Leitwert = 1/(Negativer Widerstand in der Tunneldiode)
Größe des negativen Widerstands
​ Gehen Negativer Widerstand in der Tunneldiode = 1/(Tunneldiode mit negativem Leitwert)
Leistungsgewinn der Tunneldiode
​ Gehen Leistungsgewinn der Tunneldiode = Spannungsreflexionskoeffizient^2

Negative Leitfähigkeit der Tunneldiode Formel

Tunneldiode mit negativem Leitwert = 1/(Negativer Widerstand in der Tunneldiode)
gm = 1/(Rn)

Was ist ein Heteroübergangstransistor?

Wenn der Transistorübergang durch zwei verschiedene Materialien wie Ge mit GaAs verbunden ist, wird er als Homoübergangstransistor bezeichnet.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!