Spessore dello strato di ossido Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Spessore dello strato di ossido = Permittività dello strato di ossido*Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello/Capacità del gate di ingresso
tox = εox*Wg*Lg/Cin
Questa formula utilizza 5 Variabili
Variabili utilizzate
Spessore dello strato di ossido - (Misurato in Metro) - Lo spessore dello strato di ossido tox viene determinato durante la tecnologia di processo utilizzata per fabbricare il MOSFET.
Permittività dello strato di ossido - (Misurato in Farad al metro) - La permittività dello strato di ossido è definita come la capacità di una sostanza di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico.
Larghezza del cancello - (Misurato in Metro) - La larghezza del gate si riferisce alla distanza tra il bordo di un elettrodo di gate metallico e il materiale semiconduttore adiacente in un CMOS.
Lunghezza del cancello - (Misurato in Metro) - La lunghezza del cancello è la misura o l'estensione di qualcosa da un'estremità all'altra.
Capacità del gate di ingresso - (Misurato in Farad) - La capacità del gate di ingresso nel CMOS si riferisce alla capacità tra i terminali di ingresso di un circuito CMOS e il potenziale di riferimento (solitamente terra).
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Permittività dello strato di ossido: 149.79 Microfarad per millimetro --> 0.14979 Farad al metro (Controlla la conversione ​qui)
Larghezza del cancello: 0.285 Millimetro --> 0.000285 Metro (Controlla la conversione ​qui)
Lunghezza del cancello: 7 Millimetro --> 0.007 Metro (Controlla la conversione ​qui)
Capacità del gate di ingresso: 60.01 Microfarad --> 6.001E-05 Farad (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
tox = εox*Wg*Lg/Cin --> 0.14979*0.000285*0.007/6.001E-05
Valutare ... ...
tox = 0.00497968755207465
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.00497968755207465 Metro -->4.97968755207465 Millimetro (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
4.97968755207465 4.979688 Millimetro <-- Spessore dello strato di ossido
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Larghezza della diffusione della sorgente
​ LaTeX ​ Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte
Area di diffusione della sorgente
​ LaTeX ​ Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione
CMOS percorso libero medio
​ LaTeX ​ Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico
Tensione critica CMOS
​ LaTeX ​ Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio

Spessore dello strato di ossido Formula

​LaTeX ​Partire
Spessore dello strato di ossido = Permittività dello strato di ossido*Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello/Capacità del gate di ingresso
tox = εox*Wg*Lg/Cin

Quali sono le regioni di funzionamento nei transistor MOS?

I transistor MOS hanno tre regioni di funzionamento che includono, regione di taglio o sottosoglia, regione lineare e regione di saturazione.

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