Tensione critica CMOS calcolatrice

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Sottosistema del percorso dati dell'array

✖Il campo elettrico critico è definito come la forza elettrica per unità di carica.ⓘ Campo elettrico critico [E_c]			+10% -10%
✖Il percorso libero medio è definito come la distanza media percorsa da una particella in movimento tra impatti successivi, che ne modificano la direzione, l'energia o altre proprietà delle particelle.ⓘ Percorso libero medio [L]			+10% -10%

✖La tensione critica nel CMOS è la fase minima rispetto alla tensione neutra che si illumina e appare lungo tutto il conduttore di linea.ⓘ Tensione critica CMOS [V_c]

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Formula

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Tensione critica CMOS

Formula

`"V"_{"c"} = "E"_{"c"}*"L"`

Esempio

`"2.79028V"="0.004V/mm"*"697.57mm"`

Calcolatrice

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Tensione critica CMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio
V_c = E_c*L
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione critica nel CMOS - (Misurato in Volt) - La tensione critica nel CMOS è la fase minima rispetto alla tensione neutra che si illumina e appare lungo tutto il conduttore di linea.
Campo elettrico critico - (Misurato in Volt per metro) - Il campo elettrico critico è definito come la forza elettrica per unità di carica.
Percorso libero medio - (Misurato in metro) - Il percorso libero medio è definito come la distanza media percorsa da una particella in movimento tra impatti successivi, che ne modificano la direzione, l'energia o altre proprietà delle particelle.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Campo elettrico critico: 0.004 Volt per millimetro --> 4 Volt per metro (Controlla la conversione qui)
Percorso libero medio: 697.57 Millimetro --> 0.69757 metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_c = E_c*L --> 4*0.69757

Valutare ... ...

V_c = 2.79028

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

2.79028 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

2.79028 Volt <-- Tensione critica nel CMOS

(Calcolo completato in 00.007 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 15 Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Capacità effettiva in CMOS

Partire Capacità effettiva nel CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)

Permittività dello strato di ossido

Partire Permittività dello strato di ossido = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)

Spessore dello strato di ossido

Partire Spessore dello strato di ossido = Permittività dello strato di ossido*Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello/Capacità del gate di ingresso

Larghezza del cancello

Partire Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)

Perimetro laterale della diffusione della sorgente

Partire Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente = (2*Larghezza di transizione)+(2*Lunghezza della fonte)

Larghezza della regione di svuotamento

Partire Larghezza della regione di esaurimento = Lunghezza giunzione PN-Lunghezza effettiva del canale

Lunghezza effettiva del canale

Partire Lunghezza effettiva del canale = Lunghezza giunzione PN-Larghezza della regione di esaurimento

Lunghezza giunzione PN

Partire Lunghezza giunzione PN = Larghezza della regione di esaurimento+Lunghezza effettiva del canale

Larghezza di transizione del CMOS

Partire Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS

Larghezza della diffusione della sorgente

Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte

Area di diffusione della sorgente

Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione

Campo elettrico critico

Partire Campo elettrico critico = (2*Saturazione della velocità)/Mobilità dell'elettrone

CMOS percorso libero medio

Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico

Tensione critica CMOS

Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio

Tensione al minimo EDP

Partire Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)

Tensione critica CMOS Formula

Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio
V_c = E_c*L

Che cos'è il degrado della mobilità?

Un'alta tensione al gate del transistor attrae le portanti sul bordo del canale, provocando collisioni con l'interfaccia di ossido che rallentano le portanti. Questo si chiama degrado della mobilità.

Cos'è la saturazione della velocità?

I vettori si avvicinano a una velocità massima vsat quando vengono applicati campi alti. Questo fenomeno è chiamato saturazione della velocità.

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