Concentrazione dei difetti di Schottky calcolatrice

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✖Numero di siti atomici per metro cubo.ⓘ Numero di siti atomici [N]			+10% -10%
✖L'energia di attivazione per la formazione di Schottky rappresenta l'energia necessaria per la formazione del difetto di Schottky.ⓘ Energia di attivazione per la formazione di Schottky [Q_s]			+10% -10%
✖La costante universale dei gas è una costante fisica che appare in un'equazione che definisce il comportamento di un gas in condizioni teoricamente ideali. La sua unità è joule * kelvin − 1 * mole − 1.ⓘ Costante di gas universale [R]			+10% -10%
✖La temperatura è il grado o l'intensità del calore presente in una sostanza o in un oggetto.ⓘ Temperatura [T]			+10% -10%

✖Il numero di difetti di Schottky rappresenta il numero di equilibrio di difetti di Schottky per metro cubo.ⓘ Concentrazione dei difetti di Schottky [N_S]

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Formula

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Concentrazione dei difetti di Schottky

Formula

`"N"_{"S"} = "N"*exp(-"Q"_{"s"}/(2*"R"*"T"))`

Esempio

`"8E^28"="8.0E28"*exp(-"2.6eV"/(2*"8.314"*"85K"))`

Calcolatrice

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Concentrazione dei difetti di Schottky Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Numero di difetti Schottky = Numero di siti atomici*exp(-Energia di attivazione per la formazione di Schottky/(2*Costante di gas universale*Temperatura))
N_S = N*exp(-Q_s/(2*R*T))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili

Funzioni utilizzate

exp - In una funzione esponenziale, il valore della funzione cambia di un fattore costante per ogni variazione unitaria della variabile indipendente., exp(Number)

Variabili utilizzate

Numero di difetti Schottky - Il numero di difetti di Schottky rappresenta il numero di equilibrio di difetti di Schottky per metro cubo.
Numero di siti atomici - Numero di siti atomici per metro cubo.
Energia di attivazione per la formazione di Schottky - (Misurato in Joule) - L'energia di attivazione per la formazione di Schottky rappresenta l'energia necessaria per la formazione del difetto di Schottky.
Costante di gas universale - La costante universale dei gas è una costante fisica che appare in un'equazione che definisce il comportamento di un gas in condizioni teoricamente ideali. La sua unità è joule * kelvin − 1 * mole − 1.
Temperatura - (Misurato in Kelvin) - La temperatura è il grado o l'intensità del calore presente in una sostanza o in un oggetto.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Numero di siti atomici: 8E+28 --> Nessuna conversione richiesta
Energia di attivazione per la formazione di Schottky: 2.6 Electron-Volt --> 4.16566105800002E-19 Joule (Controlla la conversione qui)
Costante di gas universale: 8.314 --> Nessuna conversione richiesta
Temperatura: 85 Kelvin --> 85 Kelvin Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

N_S = N*exp(-Q_s/(2*R*T)) --> 8E+28*exp(-4.16566105800002E-19/(2*8.314*85))

Valutare ... ...

N_S = 8E+28

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

8E+28 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

8E+28 <-- Numero di difetti Schottky

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Team Softusvista

Ufficio Softusvista (Pune), India

Team Softusvista ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Himanshi Sharma

Istituto di tecnologia Bhilai (PO), Raipur

Himanshi Sharma ha verificato questa calcolatrice e altre 800+ altre calcolatrici!

< 10+ Ceramica e Compositi Calcolatrici

Modulo di Young del composito in direzione trasversale

Partire Modulo di Young in direzione trasversale = (Modulo di matrice di Young in composito*Modulo di Young della fibra in composito)/(Frazione volumetrica della fibra*Modulo di matrice di Young in composito+(1-Frazione volumetrica della fibra)*Modulo di Young della fibra in composito)

Resistenza longitudinale del composito fibrorinforzato discontinuo

Partire Resistenza longitudinale del composito (fibra discontinua) = Resistenza alla trazione della fibra*Frazione volumetrica della fibra*(1-(Lunghezza critica della fibra/(2*Lunghezza della fibra)))+Stress in Matrix*(1-Frazione volumetrica della fibra)

Resistenza longitudinale del composito rinforzato con fibre discontinue (lunghezza inferiore alla lunghezza critica)

Partire Resistenza longitudinale del composito (fibra discontinua inferiore a lc) = (Frazione volumetrica della fibra*Lunghezza della fibra*Sforzo di taglio critico/Diametro fibra)+Stress in Matrix*(1-Frazione volumetrica della fibra)

Modulo di Young del composito in direzione longitudinale

Partire Modulo di Young del composito in direzione longitudinale = Modulo di matrice di Young in composito*(1-Frazione volumetrica della fibra)+Modulo di Young della fibra in composito*Frazione volumetrica della fibra

Modulo di Young del materiale poroso

Partire Modulo di Young del materiale poroso = Modulo di Young di materiale non poroso*(1-(0.019*Percentuale volumetrica di porosità)+(0.00009*Percentuale volumetrica di porosità*Percentuale volumetrica di porosità))

Concentrazione dei difetti di Schottky

Partire Numero di difetti Schottky = Numero di siti atomici*exp(-Energia di attivazione per la formazione di Schottky/(2*Costante di gas universale*Temperatura))

Resistenza longitudinale del composito

Partire Resistenza longitudinale del composito = Lo stress in Matrix*(1-Frazione volumetrica della fibra)+Resistenza alla trazione della fibra*Frazione volumetrica della fibra

Lunghezza critica della fibra

Partire Lunghezza critica della fibra = Resistenza alla trazione della fibra*Diametro della fibra/(2*Sollecitazione di taglio critica)

Carattere ionico percentuale

Partire Carattere ionico percentuale = 100*(1-exp(-0.25*(Elettronegatività dell'elemento A-Elettronegatività dell'elemento B)^2))

Modulo di Young dal modulo di taglio

Partire Modulo di Young = 2*Modulo di taglio*(1+Rapporto di Poisson)

Concentrazione dei difetti di Schottky Formula

Numero di difetti Schottky = Numero di siti atomici*exp(-Energia di attivazione per la formazione di Schottky/(2*Costante di gas universale*Temperatura))
N_S = N*exp(-Q_s/(2*R*T))

Difetti Schottky

Si potrebbe pensare che i difetti di Schottky siano stati creati rimuovendo un catione e un anione dall'interno del cristallo e quindi posizionandoli entrambi su una superficie esterna. Poiché sia i cationi che gli anioni hanno la stessa carica, e poiché per ogni vacanza anionica esiste una vacanza cationica, la neutralità di carica del cristallo viene mantenuta.

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