Larghezza di transizione del CMOS calcolatrice

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Sottosistema del percorso dati dell'array

✖La capacità di sovrapposizione del gate MOS è una capacità che deriva dalla costruzione del dispositivo stesso ed è solitamente associata alle sue giunzioni PN interne.ⓘ Capacità di sovrapposizione del gate MOS [C_mos]			+10% -10%
✖La capacità di gate MOS è un fattore importante nel calcolo della capacità di sovrapposizione del gate.ⓘ Capacità del gate MOS [C_gs]			+10% -10%

✖La larghezza di transizione è definita come l'aumento di larghezza quando la tensione drain-source aumenta, determinando la transizione della regione del triodo alla regione di saturazione.ⓘ Larghezza di transizione del CMOS [W]

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Formula

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Larghezza di transizione del CMOS

Formula

`"W" = "C"_{"mos"}/"C"_{"gs"}`

Esempio

`"89.82036mm"="1.8μF"/"20.04μF"`

Calcolatrice

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Larghezza di transizione del CMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS
W = C_mos/C_gs
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Larghezza di transizione - (Misurato in metro) - La larghezza di transizione è definita come l'aumento di larghezza quando la tensione drain-source aumenta, determinando la transizione della regione del triodo alla regione di saturazione.
Capacità di sovrapposizione del gate MOS - (Misurato in Farad) - La capacità di sovrapposizione del gate MOS è una capacità che deriva dalla costruzione del dispositivo stesso ed è solitamente associata alle sue giunzioni PN interne.
Capacità del gate MOS - (Misurato in Farad) - La capacità di gate MOS è un fattore importante nel calcolo della capacità di sovrapposizione del gate.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità di sovrapposizione del gate MOS: 1.8 Microfarad --> 1.8E-06 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità del gate MOS: 20.04 Microfarad --> 2.004E-05 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

W = C_mos/C_gs --> 1.8E-06/2.004E-05

Valutare ... ...

W = 0.0898203592814371

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0898203592814371 metro -->89.8203592814371 Millimetro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

89.8203592814371 ≈ 89.82036 Millimetro <-- Larghezza di transizione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 15 Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Capacità effettiva in CMOS

Partire Capacità effettiva nel CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)

Permittività dello strato di ossido

Partire Permittività dello strato di ossido = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)

Spessore dello strato di ossido

Partire Spessore dello strato di ossido = Permittività dello strato di ossido*Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello/Capacità del gate di ingresso

Larghezza del cancello

Partire Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)

Perimetro laterale della diffusione della sorgente

Partire Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente = (2*Larghezza di transizione)+(2*Lunghezza della fonte)

Larghezza della regione di svuotamento

Partire Larghezza della regione di esaurimento = Lunghezza giunzione PN-Lunghezza effettiva del canale

Lunghezza effettiva del canale

Partire Lunghezza effettiva del canale = Lunghezza giunzione PN-Larghezza della regione di esaurimento

Lunghezza giunzione PN

Partire Lunghezza giunzione PN = Larghezza della regione di esaurimento+Lunghezza effettiva del canale

Larghezza di transizione del CMOS

Partire Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS

Larghezza della diffusione della sorgente

Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte

Area di diffusione della sorgente

Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione

Campo elettrico critico

Partire Campo elettrico critico = (2*Saturazione della velocità)/Mobilità dell'elettrone

CMOS percorso libero medio

Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico

Tensione critica CMOS

Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio

Tensione al minimo EDP

Partire Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)

Larghezza di transizione del CMOS Formula

Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS
W = C_mos/C_gs

Qual è la necessità del doping nel CMOS?

Il drogaggio nella tecnologia CMOS viene utilizzato per introdurre impurità nel materiale semiconduttore per alterarne le proprietà elettriche. Aggiungendo droganti è possibile aumentare il numero di portatori di carica liberi (elettroni o lacune), consentendo un maggiore controllo sul comportamento elettrico del dispositivo. Ciò è essenziale per creare circuiti CMOS ad alte prestazioni che utilizzano transistor sia di tipo n che di tipo p.

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