एनएमओएसच्या ट्रायोड प्रदेशातील ड्रेन-स्रोत सध्या प्रवेश करत आहे कॅल्क्युलेटर

✖NMOS (PTM) मधील प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर हे सेमीकंडक्टर उपकरण मॉडेलिंगमध्ये ट्रान्झिस्टरचे कार्यप्रदर्शन वैशिष्ट्यीकृत करण्यासाठी वापरलेले पॅरामीटर आहे.ⓘ NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर [k'_n]			+10% -10%
✖चॅनेलची रुंदी संप्रेषण चॅनेलमध्ये डेटा प्रसारित करण्यासाठी उपलब्ध बँडविड्थच्या प्रमाणाचा संदर्भ देते.ⓘ चॅनेलची रुंदी [W_c]			+10% -10%
✖चॅनेलची लांबी त्याच्या प्रारंभ आणि शेवटच्या बिंदूंमधील अंतर म्हणून परिभाषित केली जाऊ शकते आणि त्याच्या उद्देश आणि स्थानावर अवलंबून मोठ्या प्रमाणात बदलू शकते.ⓘ चॅनेलची लांबी [L]			+10% -10%
✖गेट सोर्स व्होल्टेज हा ट्रान्झिस्टरच्या गेट-स्रोत टर्मिनलवर पडणारा व्होल्टेज आहे.ⓘ गेट स्त्रोत व्होल्टेज [V_gs]			+10% -10%
✖थ्रेशोल्ड व्होल्टेज, ज्याला गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज किंवा फक्त Vth असेही म्हटले जाते, हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या ऑपरेशनमध्ये एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्समधील मूलभूत घटक आहेत.ⓘ थ्रेशोल्ड व्होल्टेज [V_T]			+10% -10%
✖ड्रेन सोर्स व्होल्टेज हा एक इलेक्ट्रिकल शब्द आहे जो इलेक्ट्रॉनिक्समध्ये आणि विशेषतः फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरमध्ये वापरला जातो. हे FET च्या ड्रेन आणि सोर्स टर्मिनल्समधील व्होल्टेज फरकाचा संदर्भ देते.ⓘ ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज [V_ds]			+10% -10%

✖NMOS मधील ड्रेन करंट म्हणजे ड्रेनमधून फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) किंवा मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (MOSFET) च्या स्त्रोताकडे वाहणारा विद्युत प्रवाह.ⓘ एनएमओएसच्या ट्रायोड प्रदेशातील ड्रेन-स्रोत सध्या प्रवेश करत आहे [I_d]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

एनएमओएसच्या ट्रायोड प्रदेशातील ड्रेन-स्रोत सध्या प्रवेश करत आहे

सुत्र

`"I"_{"d"} = "k'"_{"n"}*"W"_{"c"}/"L"*(("V"_{"gs"}-"V"_{"T"})*"V"_{"ds"}-1/2*("V"_{"ds"})^2)`

उदाहरण

`"239.693mA"="2mS"*"10μm"/"3μm"*(("10.3V"-"1.82V")*"8.43V"-1/2*("8.43V")^2)`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

एनएमओएसच्या ट्रायोड प्रदेशातील ड्रेन-स्रोत सध्या प्रवेश करत आहे उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

NMOS मधील प्रवाह = NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*((गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज-1/2*(ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)^2)
I_d = k'_n*W_c/L*((V_gs-V_T)*V_ds-1/2*(V_ds)^2)
हे सूत्र 7 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

NMOS मधील प्रवाह - (मध्ये मोजली अँपिअर) - NMOS मधील ड्रेन करंट म्हणजे ड्रेनमधून फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) किंवा मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (MOSFET) च्या स्त्रोताकडे वाहणारा विद्युत प्रवाह.
NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - NMOS (PTM) मधील प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर हे सेमीकंडक्टर उपकरण मॉडेलिंगमध्ये ट्रान्झिस्टरचे कार्यप्रदर्शन वैशिष्ट्यीकृत करण्यासाठी वापरलेले पॅरामीटर आहे.
चॅनेलची रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - चॅनेलची रुंदी संप्रेषण चॅनेलमध्ये डेटा प्रसारित करण्यासाठी उपलब्ध बँडविड्थच्या प्रमाणाचा संदर्भ देते.
चॅनेलची लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - चॅनेलची लांबी त्याच्या प्रारंभ आणि शेवटच्या बिंदूंमधील अंतर म्हणून परिभाषित केली जाऊ शकते आणि त्याच्या उद्देश आणि स्थानावर अवलंबून मोठ्या प्रमाणात बदलू शकते.
गेट स्त्रोत व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - गेट सोर्स व्होल्टेज हा ट्रान्झिस्टरच्या गेट-स्रोत टर्मिनलवर पडणारा व्होल्टेज आहे.
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - थ्रेशोल्ड व्होल्टेज, ज्याला गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज किंवा फक्त Vth असेही म्हटले जाते, हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या ऑपरेशनमध्ये एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्समधील मूलभूत घटक आहेत.
ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ड्रेन सोर्स व्होल्टेज हा एक इलेक्ट्रिकल शब्द आहे जो इलेक्ट्रॉनिक्समध्ये आणि विशेषतः फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरमध्ये वापरला जातो. हे FET च्या ड्रेन आणि सोर्स टर्मिनल्समधील व्होल्टेज फरकाचा संदर्भ देते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर: 2 मिलिसीमेन्स --> 0.002 सीमेन्स (रूपांतरण तपासा येथे)
चॅनेलची रुंदी: 10 मायक्रोमीटर --> 1E-05 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
चॅनेलची लांबी: 3 मायक्रोमीटर --> 3E-06 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
गेट स्त्रोत व्होल्टेज: 10.3 व्होल्ट --> 10.3 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: 1.82 व्होल्ट --> 1.82 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज: 8.43 व्होल्ट --> 8.43 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

I_d = k'_n*W_c/L*((V_gs-V_T)*V_ds-1/2*(V_ds)^2) --> 0.002*1E-05/3E-06*((10.3-1.82)*8.43-1/2*(8.43)^2)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

I_d = 0.239693

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.239693 अँपिअर -->239.693 मिलीअँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

239.693 मिलीअँपिअर <-- NMOS मधील प्रवाह

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » एन-चॅनल सुधारणा » एनएमओएसच्या ट्रायोड प्रदेशातील ड्रेन-स्रोत सध्या प्रवेश करत आहे

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 17 एन-चॅनल सुधारणा कॅल्क्युलेटर

एनएमओएसच्या ट्रायोड प्रदेशातील ड्रेन-स्रोत सध्या प्रवेश करत आहे

जा NMOS मधील प्रवाह = NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*((गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज-1/2*(ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)^2)

NMOS च्या वर्तमान एंटरिंग ड्रेन टर्मिनलला गेट सोर्स व्होल्टेज दिलेला आहे

जा NMOS मधील प्रवाह = NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*((गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज-1/2*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज^2)

NMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये बदल = थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर*(sqrt(2*भौतिक मापदंड+शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज)-sqrt(2*भौतिक मापदंड))

NMOS चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल

जा NMOS मधील प्रवाह = NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज*(NMOS मध्ये ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज-1/2*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)

रेखीय प्रतिकार म्हणून NMOS

जा रेखीय प्रतिकार = चॅनेलची लांबी/(चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेलची रुंदी*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))

जेव्हा NMOS व्होल्टेज-नियंत्रित वर्तमान स्त्रोत म्हणून कार्य करते तेव्हा प्रवाह काढून टाका

जा NMOS मधील प्रवाह = 1/2*NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2

NMOS च्या संपृक्तता क्षेत्रामध्ये प्रवाह प्रवेश करणारी ड्रेन-स्रोत

NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर

जा फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर = sqrt(2*[Charge-e]*पी सब्सट्रेटचे डोपिंग एकाग्रता*[Permitivity-vacuum])/ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

एनएमओएसच्या संपृक्ततेच्या प्रदेशातील प्रवाहात प्रवेश करणार्‍या ड्रेन-स्रोतला प्रभावी व्होल्टेज दिलेला आहे

जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*(NMOS मध्ये ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज)^2

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत

जा NMOS मधील प्रवाह = 1/2*NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*(ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)^2

एनएमओएस ट्रान्झिस्टरमधील चॅनेलचा इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग

जा इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*चॅनेलच्या लांबीवर इलेक्ट्रिक फील्ड

NMOS दिलेला ड्रेन करंट व्होल्टेज-नियंत्रित वर्तमान स्त्रोत म्हणून कार्य करतो

जा ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर

NMOS मध्ये एकूण वीजपुरवठा

जा वीजपुरवठा केला = पुरवठा व्होल्टेज*(NMOS मधील प्रवाह+चालू)

वर्तमान स्रोत NMOS चे आउटपुट रेझिस्टन्स दिलेले ड्रेन करंट

जा आउटपुट प्रतिकार = डिव्हाइस पॅरामीटर/चॅनेल लांबी मॉड्यूलेशनशिवाय प्रवाह काढून टाका

NMOS मध्ये एकूण उर्जा नष्ट झाली

जा शक्ती उधळली = NMOS मधील प्रवाह^2*चॅनल प्रतिकार चालू

एनएमओएसमध्ये चॅनेलची लांबी दिलेली पॉझिटिव्ह व्होल्टेज

जा विद्युतदाब = डिव्हाइस पॅरामीटर*चॅनेलची लांबी

NMOS चे ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

जा ऑक्साइड कॅपेसिटन्स = (3.45*10^(-11))/ऑक्साईड जाडी

एनएमओएसच्या ट्रायोड प्रदेशातील ड्रेन-स्रोत सध्या प्रवेश करत आहे सुत्र

एमओएसएफईटी मधील ट्रायओड प्रदेश काय आहे? हे रेखीय प्रदेशापेक्षा वेगळे आहे का?

स्त्रोत आणि निचरा दरम्यान विद्यमान इनव्हर्जन लेयरच्या स्थितीवर आधारित, 3 प्रांतांमध्ये कटऑफ, ट्रायड आणि संपृक्तता, एक मॉस्फेट असे म्हणतात. ट्रायओड प्रदेश हा एक ऑपरेटिंग प्रदेश आहे जिथे उलटा प्रदेश अस्तित्त्वात आहे आणि वर्तमान प्रवाह आहे, परंतु हा प्रदेश स्त्रोताजवळ बारीक कापू लागला आहे. येथे संभाव्य आवश्यकता व्हीडीएस <व्हीव्हीएस -वीवी आहे. येथे, ड्रेन सोर्स करंटमध्ये ड्रेन सोर्स संभाव्यतेसह एक पॅराबोलिक रिलेशन जहाज आहे. एमओएसएफईईटी या प्रदेशात स्विच म्हणून कार्य करते. एमओएसएफईटीचा रेखीय प्रदेश ट्रायओड प्रदेशाचा एक विशेष भाग मानला जाऊ शकतो, जेथे लागू केलेल्या ड्रेन-सोर्स संभाव्यतेच्या अगदी कमी मूल्यामुळे, व्हीडीएस आणि आयडी यांच्यात अंदाजे रेषेचा संबंध आहे आणि मॉसफेट व्होल्टेजप्रमाणे वागतो. -आश्रित प्रतिरोधक. रेखीय किंवा "डीप ट्रायड" क्षेत्राची संभाव्य स्थिती व्हीडीएस << व्हीजेस-वीथ आहे.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!